Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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COPPER/CERAMIC BONDED BODY, INSULATING CIRCUIT BOARD, COPPER/CERAMIC BONDED BODY PRODUCTION METHOD, AND INSULATING CIRCUIT BOARD PRODUCTION METHOD
This copper/ceramic bonded body is constituted by a copper member (12), comprising copper or a copper alloy, and a ceramic member (11), comprising aluminum oxide, which are bonded to each other. A magnesium oxide layer (31) is formed between the copper member (12) and the ceramic member (11) on the ceramic member (11) side. A Mg solid solution layer (32) in which Mg is solid-solved in a Cu matrix phase is formed between the magnesium oxide layer (31) and the copper member (12). One or more active metals selected from Ti, Zr, Nb, and Hf are present in the Mg solid solution layer (32).
L'invention concerne un corps lié cuivre/céramique qui est constitué d'un élément en cuivre (12), comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre, et d'un élément en céramique (11), comprenant de l'oxyde d'aluminium, qui sont liés l'un à l'autre. Une couche de magnésie (31) est formée entre l'élément en cuivre (12) et l'élément en céramique (11) sur le côté élément en céramique (11). Une couche de solution solide de Mg (32) dans laquelle Mg est dissous à l'état solide dans une phase de matrice de Cu est formée entre la couche de magnésie (31) et l'élément en cuivre (12). Un ou plusieurs métaux actifs choisis parmi Ti, Zr, Nb et Hf sont présents dans la couche de solution solide de Mg (32).
銅又は銅合金からなる銅部材（１２）と、アルミニウム酸化物からなるセラミックス部材（１１）とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、銅部材（１２）とセラミックス部材（１１）との間においては、セラミックス部材（１１）側に酸化マグネシウム層（３１）が形成され、この酸化マグネシウム層（３１）と銅部材（１２）との間にＣｕの母相中にＭｇが固溶したＭｇ固溶層（３２）が形成されており、Ｍｇ固溶層（３２）には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属が存在する。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY, INSULATING CIRCUIT BOARD, COPPER/CERAMIC BONDED BODY PRODUCTION METHOD, AND INSULATING CIRCUIT BOARD PRODUCTION METHOD
This copper/ceramic bonded body is constituted by a copper member (12), comprising copper or a copper alloy, and a ceramic member (11), comprising aluminum oxide, which are bonded to each other. A magnesium oxide layer (31) is formed between the copper member (12) and the ceramic member (11) on the ceramic member (11) side. A Mg solid solution layer (32) in which Mg is solid-solved in a Cu matrix phase is formed between the magnesium oxide layer (31) and the copper member (12). One or more active metals selected from Ti, Zr, Nb, and Hf are present in the Mg solid solution layer (32).
L'invention concerne un corps lié cuivre/céramique qui est constitué d'un élément en cuivre (12), comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre, et d'un élément en céramique (11), comprenant de l'oxyde d'aluminium, qui sont liés l'un à l'autre. Une couche de magnésie (31) est formée entre l'élément en cuivre (12) et l'élément en céramique (11) sur le côté élément en céramique (11). Une couche de solution solide de Mg (32) dans laquelle Mg est dissous à l'état solide dans une phase de matrice de Cu est formée entre la couche de magnésie (31) et l'élément en cuivre (12). Un ou plusieurs métaux actifs choisis parmi Ti, Zr, Nb et Hf sont présents dans la couche de solution solide de Mg (32).
銅又は銅合金からなる銅部材（１２）と、アルミニウム酸化物からなるセラミックス部材（１１）とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、銅部材（１２）とセラミックス部材（１１）との間においては、セラミックス部材（１１）側に酸化マグネシウム層（３１）が形成され、この酸化マグネシウム層（３１）と銅部材（１２）との間にＣｕの母相中にＭｇが固溶したＭｇ固溶層（３２）が形成されており、Ｍｇ固溶層（３２）には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属が存在する。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY, INSULATING CIRCUIT BOARD, COPPER/CERAMIC BONDED BODY PRODUCTION METHOD, AND INSULATING CIRCUIT BOARD PRODUCTION METHOD
CORPS LIÉ CUIVRE/CÉRAMIQUE, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLANTE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CORPS LIÉ CUIVRE/CÉRAMIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLANTE
銅／セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
TERASAKI NOBUYUKI (Autor:in)
01.08.2019
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
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