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DOPED BISMUTH SILICATE CRYSTALS VIA DEVITRIFICATION OF GLASS FORMING LIQUIDS
This technology is directed to the preparation of doped-bismuth-silicate seed crystals through controlled crystallization (e.g. dimensionality of growth and nucleation mechanism) and the method of forming high purity single seed (particle size ranges from micrometers to millimeters) for various uses. These seed crystals have a nominal stoichiometry of Bi2-xAxSi05, Bi2-xAxSi309, Bi4-xAxSi309, and Bi12-xAxSi020, where A is a rare earth dopant selected from La, Ce, Nd, Pr, and/or Sm.
La présente invention concerne la préparation de cristaux germes de silicate de bismuth dopés par cristallisation contrôlée (par exemple la dimensionnalité du mécanisme de croissance et de nucléation) et le procédé de formation de semis monograine de grande pureté (taille de particule allant des micromètres aux millimètres) pour diverses utilisations. Ces germes cristallins présentent une stœchiométrie nominale de Bi2-xAxSi05, Bi2-xAxSi309, Bi4-xAxSi309 et Bi12-xAxSi020, A étant un dopant des terres rares choisi parmi le La, le Ce, le Nd, le Pr et/ou le Sm.
DOPED BISMUTH SILICATE CRYSTALS VIA DEVITRIFICATION OF GLASS FORMING LIQUIDS
This technology is directed to the preparation of doped-bismuth-silicate seed crystals through controlled crystallization (e.g. dimensionality of growth and nucleation mechanism) and the method of forming high purity single seed (particle size ranges from micrometers to millimeters) for various uses. These seed crystals have a nominal stoichiometry of Bi2-xAxSi05, Bi2-xAxSi309, Bi4-xAxSi309, and Bi12-xAxSi020, where A is a rare earth dopant selected from La, Ce, Nd, Pr, and/or Sm.
La présente invention concerne la préparation de cristaux germes de silicate de bismuth dopés par cristallisation contrôlée (par exemple la dimensionnalité du mécanisme de croissance et de nucléation) et le procédé de formation de semis monograine de grande pureté (taille de particule allant des micromètres aux millimètres) pour diverses utilisations. Ces germes cristallins présentent une stœchiométrie nominale de Bi2-xAxSi05, Bi2-xAxSi309, Bi4-xAxSi309 et Bi12-xAxSi020, A étant un dopant des terres rares choisi parmi le La, le Ce, le Nd, le Pr et/ou le Sm.
DOPED BISMUTH SILICATE CRYSTALS VIA DEVITRIFICATION OF GLASS FORMING LIQUIDS
CRISTAUX DE SILICATE DE BISMUTH DOPÉS PAR DÉVITRIFICATION DE LIQUIDES FORMANT DU VERRE
GONG YUXUAN (Autor:in) / VELEZ MARIANO (Autor:in)
19.09.2019
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
Doped bismuth silicate crystals via devitrification of glass forming liquids
| Europäisches Patentamt | 2022
DOPED BISMUTH SILICATE CRYSTALS VIA DEVITRIFICATION OF GLASS FORMING LIQUIDS
| Europäisches Patentamt | 2023
Devitrification of Al-based glass forming alloys
| British Library Online Contents | 2004
Growth and Characteristics of Neodymium Doped Bismuth Silicate Crystals
| British Library Online Contents | 1995
Devitrification behaviour of CaO rich calcium silicate glasses
| British Library Online Contents | 2003