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ELECTROSTATIC CHUCK AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Disclosed are: an electrostatic chuck having a high volume resistivity so as to reduce a leakage current, thereby improving the adsorption and desorption response characteristics of a semiconductor wafer; and a manufacturing method therefor. The electrostatic chuck is a sintered body in which an electrode is impregnated so as to fix a semiconductor wafer by electrostatic force, and comprises alumina, a sintering aid, and a rare earth composite oxide comprising two to five different rare earth metals, has adsorption and desorption response characteristics of a semiconductor wafer of two seconds or less, and has a volume resistivity at room temperature of 1.0E + 16 to 1.0E + 17 Ω·cm.
L'invention concerne : un mandrin électrostatique ayant une résistivité transversale élevée de manière à réduire un courant de fuite, ce qui permet d'améliorer les caractéristiques de réponse d'adsorption et de désorption d'un semi-conducteur étagé ; et son procédé de fabrication. Le mandrin électrostatique est un corps fritté dans lequel une électrode est imprégnée de manière à fixer un semi-conducteur étagé par l'intermédiaire d'une force électrostatique, et comprend de l'alumine, un auxiliaire de frittage, et un oxyde composite des terres rares comprenant deux à cinq métaux des terres rares différents, possède des caractéristiques de réponse d'adsorption et de désorption d'un semi-conducteur étagé de deux secondes ou moins, et présente une résistivité transversale à température ambiante de 1.0E + 16 à 1.0E + 17 Ω·cm.
높은 체적 저항에 의해 누설 전류가 저감되어 반도체 웨이퍼의 흡착 및 탈착 응답 특성을 향상시킬 수 있는, 정전 척 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 정전 척은, 내부에 전극이 함침되어 정전기력에 의해 반도체 웨이퍼를 고정시키는 소결체로서, 알루미나; 소결조제; 및 2 내지 5 개의 서로 다른 희토류 금속을 포함하는 희토류 복합 산화물;을 포함하며, 반도체 웨이퍼의 흡착 및 탈착 응답 특성이 2초 이내이고, 상온에서의 체적 저항률이 1.0E + 16 내지 1.0E + 17 Ω·㎝인 것을 특징으로 한다.
ELECTROSTATIC CHUCK AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Disclosed are: an electrostatic chuck having a high volume resistivity so as to reduce a leakage current, thereby improving the adsorption and desorption response characteristics of a semiconductor wafer; and a manufacturing method therefor. The electrostatic chuck is a sintered body in which an electrode is impregnated so as to fix a semiconductor wafer by electrostatic force, and comprises alumina, a sintering aid, and a rare earth composite oxide comprising two to five different rare earth metals, has adsorption and desorption response characteristics of a semiconductor wafer of two seconds or less, and has a volume resistivity at room temperature of 1.0E + 16 to 1.0E + 17 Ω·cm.
L'invention concerne : un mandrin électrostatique ayant une résistivité transversale élevée de manière à réduire un courant de fuite, ce qui permet d'améliorer les caractéristiques de réponse d'adsorption et de désorption d'un semi-conducteur étagé ; et son procédé de fabrication. Le mandrin électrostatique est un corps fritté dans lequel une électrode est imprégnée de manière à fixer un semi-conducteur étagé par l'intermédiaire d'une force électrostatique, et comprend de l'alumine, un auxiliaire de frittage, et un oxyde composite des terres rares comprenant deux à cinq métaux des terres rares différents, possède des caractéristiques de réponse d'adsorption et de désorption d'un semi-conducteur étagé de deux secondes ou moins, et présente une résistivité transversale à température ambiante de 1.0E + 16 à 1.0E + 17 Ω·cm.
높은 체적 저항에 의해 누설 전류가 저감되어 반도체 웨이퍼의 흡착 및 탈착 응답 특성을 향상시킬 수 있는, 정전 척 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 정전 척은, 내부에 전극이 함침되어 정전기력에 의해 반도체 웨이퍼를 고정시키는 소결체로서, 알루미나; 소결조제; 및 2 내지 5 개의 서로 다른 희토류 금속을 포함하는 희토류 복합 산화물;을 포함하며, 반도체 웨이퍼의 흡착 및 탈착 응답 특성이 2초 이내이고, 상온에서의 체적 저항률이 1.0E + 16 내지 1.0E + 17 Ω·㎝인 것을 특징으로 한다.
ELECTROSTATIC CHUCK AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
정전 척 및 그 제조 방법
KIM YUN HO (Autor:in) / KIM JOO HWAN (Autor:in) / LEE KI RYONG (Autor:in)
14.05.2020
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
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