Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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PRODUCTION METHOD FOR COPPER/CERAMIC JOINED BODY, PRODUCTION METHOD FOR INSULATED CIRCUIT BOARD, COPPER/CERAMIC JOINED BODY, AND INSULATED CIRCUIT BOARD
According to the present invention, a copper member has a composition in which the Cu purity is 99.96 mass% or more, the balance is inevitable impurities, the contained amount of P is 2 mass ppm or less, and the total contained amount of Pb, Se, and Te is 10 mass ppm or less. The present invention comprises a joining step for joining a ceramic member and the copper member that have been layered, by applying, in the lamination direction, heat and pressure on the layered ceramic member and copper member. The average crystal grain size of the copper member before the joining is 10 μm or more, and an aspect ratio defined as the ratio of the major axis length and minor axis length of crystal grains on a rolling surface is 2 or less. In the joining step, the pressure application load in the lamination direction is set in the range of 0.05-1.5 MPa, the heating temperature is set in the range of 800-850°C, and the retention time at the heating temperature is set in the range of 10-90 minutes.
Selon la présente invention, un élément en cuivre a une composition dans laquelle la pureté de Cu est de 99,96 % en masse ou plus, le reste étant des impuretés accessoires, la quantité contenue de P est de 2 ppm en masse ou moins et la quantité totale contenue de Pb, Se et Te est de 10 ppm en masse ou moins. La présente invention comprend une étape d'assemblage consistant à assembler un élément en céramique et l'élément en cuivre en couches, en appliquant, dans la direction de stratification, de la chaleur et de la pression sur l'élément en céramique et l'élément en cuivre agencés en couches. La taille moyenne des grains cristallins de l'élément en cuivre avant l'assemblage est réglée à 10 µm ou plus, et un rapport d'aspect défini comme étant le rapport de la longueur d'axe majeur et de la longueur d'axe mineur d'un grain cristallin au niveau d'une surface de roulement est réglé à 2 ou moins. Dans l'étape d'assemblage, la charge d'application de pression dans la direction de stratification est réglée dans la plage de 0,05 à 1,5 MPa, la température de chauffage est réglée dans la plage de 800 à 850 °C, et le temps de rétention à la température de chauffage est réglé dans la plage de 10 à 90 minutes.
銅部材は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とし、積層した前記銅部材と前記セラミックス部材とを積層方向に加圧して加熱することにより、積層した前記銅部材と前記セラミックス部材とを接合する接合工程と、を有し、接合前の前記銅部材の平均結晶粒径を１０μｍ以上、圧延面における結晶粒の長径／短径の比を意味するアスペクト比を２以下とし、前記接合工程では、積層方向への加圧荷重を０．０５ＭＰａ以上１．５ＭＰａ以下の範囲内、加熱温度を８００℃以上８５０℃以下の範囲内、加熱温度での保持時間を１０分以上９０分以下の範囲内とする。
PRODUCTION METHOD FOR COPPER/CERAMIC JOINED BODY, PRODUCTION METHOD FOR INSULATED CIRCUIT BOARD, COPPER/CERAMIC JOINED BODY, AND INSULATED CIRCUIT BOARD
According to the present invention, a copper member has a composition in which the Cu purity is 99.96 mass% or more, the balance is inevitable impurities, the contained amount of P is 2 mass ppm or less, and the total contained amount of Pb, Se, and Te is 10 mass ppm or less. The present invention comprises a joining step for joining a ceramic member and the copper member that have been layered, by applying, in the lamination direction, heat and pressure on the layered ceramic member and copper member. The average crystal grain size of the copper member before the joining is 10 μm or more, and an aspect ratio defined as the ratio of the major axis length and minor axis length of crystal grains on a rolling surface is 2 or less. In the joining step, the pressure application load in the lamination direction is set in the range of 0.05-1.5 MPa, the heating temperature is set in the range of 800-850°C, and the retention time at the heating temperature is set in the range of 10-90 minutes.
Selon la présente invention, un élément en cuivre a une composition dans laquelle la pureté de Cu est de 99,96 % en masse ou plus, le reste étant des impuretés accessoires, la quantité contenue de P est de 2 ppm en masse ou moins et la quantité totale contenue de Pb, Se et Te est de 10 ppm en masse ou moins. La présente invention comprend une étape d'assemblage consistant à assembler un élément en céramique et l'élément en cuivre en couches, en appliquant, dans la direction de stratification, de la chaleur et de la pression sur l'élément en céramique et l'élément en cuivre agencés en couches. La taille moyenne des grains cristallins de l'élément en cuivre avant l'assemblage est réglée à 10 µm ou plus, et un rapport d'aspect défini comme étant le rapport de la longueur d'axe majeur et de la longueur d'axe mineur d'un grain cristallin au niveau d'une surface de roulement est réglé à 2 ou moins. Dans l'étape d'assemblage, la charge d'application de pression dans la direction de stratification est réglée dans la plage de 0,05 à 1,5 MPa, la température de chauffage est réglée dans la plage de 800 à 850 °C, et le temps de rétention à la température de chauffage est réglé dans la plage de 10 à 90 minutes.
銅部材は、Ｃｕの純度が９９．９６ｍａｓｓ％以上で残部が不可避不純物とされるとともに、Ｐの含有量が２ｍａｓｓｐｐｍ以下、かつ、Ｐｂ、Ｓｅ及びＴｅの合計含有量が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされた組成とし、積層した前記銅部材と前記セラミックス部材とを積層方向に加圧して加熱することにより、積層した前記銅部材と前記セラミックス部材とを接合する接合工程と、を有し、接合前の前記銅部材の平均結晶粒径を１０μｍ以上、圧延面における結晶粒の長径／短径の比を意味するアスペクト比を２以下とし、前記接合工程では、積層方向への加圧荷重を０．０５ＭＰａ以上１．５ＭＰａ以下の範囲内、加熱温度を８００℃以上８５０℃以下の範囲内、加熱温度での保持時間を１０分以上９０分以下の範囲内とする。
PRODUCTION METHOD FOR COPPER/CERAMIC JOINED BODY, PRODUCTION METHOD FOR INSULATED CIRCUIT BOARD, COPPER/CERAMIC JOINED BODY, AND INSULATED CIRCUIT BOARD
PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR CORPS ASSEMBLÉ CUIVRE/CÉRAMIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLANTE, CORPS ASSEMBLÉ CUIVRE/CÉRAMIQUE ET CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLANTE
銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法、銅／セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板
NISHIMOTO SHUJI (Autor:in) / TAKAKUWA SATOSHI (Autor:in)
13.08.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
B23K
Löten
,
SOLDERING OR UNSOLDERING
/
B32B
LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
,
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
C22C
Legierungen
,
ALLOYS
/
C22F
CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS OR NON-FERROUS ALLOYS
,
Verändern der physikalischen Struktur von Nichteisenmetallen oder Nichteisenlegierungen
/
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
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