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COPPER/CERAMIC JOINED BODY INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC JOINED BODY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
In this copper/ceramic joined body, a copper member comprising copper or a copper alloy is joined to a ceramic member comprising aluminum nitride or silicon nitride, an active metal nitride layer comprising a nitride of one or more active metals selected from among Ti, Zr, Nb and Hf is formed on the ceramic member side between the copper member and the ceramic member, a Mg solid solution layer obtained by dissolving Mg in a Cu matrix phase is formed between the active metal nitride layer and the copper member, and an active metal is present in the Mg solid solution layer.
Dans ce corps assemblé en cuivre/céramique, un élément en cuivre comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre est relié à un élément en céramique comprenant du nitrure d'aluminium ou du nitrure de silicium, une couche active de nitrure métallique comprenant un nitrure d'un ou plusieurs métaux actifs choisis parmi Ti, Zr, Nb et Hf est formée sur le côté de l'élément en céramique entre l'élément en cuivre et l'élément en céramique, une couche de solution solide de Mg obtenue par dissolution de Mg dans une phase de matrice de Cu est formée entre la couche de nitrure de métal actif et l'élément de cuivre, et un métal actif est présent dans la couche de solution solide de Mg.
本発明の銅／セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス部材と、が接合され、銅部材とセラミックス部材との間においては、セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の窒化物からなる活性金属窒化物層が形成され、この活性金属窒化物層と銅部材との間にＣｕの母相中にＭｇが固溶したＭｇ固溶層が形成されており、Ｍｇ固溶層には、活性金属が存在する。
COPPER/CERAMIC JOINED BODY INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC JOINED BODY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
In this copper/ceramic joined body, a copper member comprising copper or a copper alloy is joined to a ceramic member comprising aluminum nitride or silicon nitride, an active metal nitride layer comprising a nitride of one or more active metals selected from among Ti, Zr, Nb and Hf is formed on the ceramic member side between the copper member and the ceramic member, a Mg solid solution layer obtained by dissolving Mg in a Cu matrix phase is formed between the active metal nitride layer and the copper member, and an active metal is present in the Mg solid solution layer.
Dans ce corps assemblé en cuivre/céramique, un élément en cuivre comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre est relié à un élément en céramique comprenant du nitrure d'aluminium ou du nitrure de silicium, une couche active de nitrure métallique comprenant un nitrure d'un ou plusieurs métaux actifs choisis parmi Ti, Zr, Nb et Hf est formée sur le côté de l'élément en céramique entre l'élément en cuivre et l'élément en céramique, une couche de solution solide de Mg obtenue par dissolution de Mg dans une phase de matrice de Cu est formée entre la couche de nitrure de métal actif et l'élément de cuivre, et un métal actif est présent dans la couche de solution solide de Mg.
本発明の銅／セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス部材と、が接合され、銅部材とセラミックス部材との間においては、セラミックス部材側に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の窒化物からなる活性金属窒化物層が形成され、この活性金属窒化物層と銅部材との間にＣｕの母相中にＭｇが固溶したＭｇ固溶層が形成されており、Ｍｇ固溶層には、活性金属が存在する。
COPPER/CERAMIC JOINED BODY INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC JOINED BODY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE À CORPS ASSEMBLÉ EN CUIVRE/CÉRAMIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CORPS ASSEMBLÉ EN CUIVRE/CÉRAMIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
銅／セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
TERASAKI NOBUYUKI (Autor:in)
07.09.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
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COPPER/CERAMIC JOINED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
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COPPER/CERAMIC JOINED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
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