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A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER ARTICLE
The present invention relates to a chemical vapor deposition chamber article. The present invention further relates to a method of processing an article of a chemical vapor deposition chamber for manufacturing semiconductor components, as well as a chemical vapor deposition chamber article obtained through such a method. In a first aspect of the invention, there is provided, a chemical vapor deposition chamber article such as a wafer carrier, for manufacturing semiconductor components, said chamber article having a body and a surface comprised of silicon carbide, characterized in that said surface is provided with a protective layer at least on parts of said surface which are subject to parasitic deposition during said manufacturing of said semiconductor components in said chamber, and wherein said protective layer comprises an oxidized surface.
La présente invention concerne un article de chambre de dépôt chimique en phase vapeur. La présente invention concerne en outre un procédé de traitement d'un article d'une chambre de dépôt chimique en phase vapeur pour la fabrication de composants semi-conducteurs, ainsi qu'un article de chambre de dépôt chimique en phase vapeur obtenu par un tel procédé. Selon un premier aspect de l'invention, l'invention concerne un article de chambre de dépôt chimique en phase vapeur tel qu'un support de tranche, pour la fabrication de composants semi-conducteurs, ledit article de chambre ayant un corps et une surface composée de carbure de silicium, caractérisé en ce que ladite surface est pourvue d'une couche de protection au moins sur des parties de ladite surface qui sont soumises à un dépôt parasite lors de ladite fabrication desdits composants semi-conducteurs dans ladite chambre, et ladite couche de protection comprenant une surface oxydée.
A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER ARTICLE
The present invention relates to a chemical vapor deposition chamber article. The present invention further relates to a method of processing an article of a chemical vapor deposition chamber for manufacturing semiconductor components, as well as a chemical vapor deposition chamber article obtained through such a method. In a first aspect of the invention, there is provided, a chemical vapor deposition chamber article such as a wafer carrier, for manufacturing semiconductor components, said chamber article having a body and a surface comprised of silicon carbide, characterized in that said surface is provided with a protective layer at least on parts of said surface which are subject to parasitic deposition during said manufacturing of said semiconductor components in said chamber, and wherein said protective layer comprises an oxidized surface.
La présente invention concerne un article de chambre de dépôt chimique en phase vapeur. La présente invention concerne en outre un procédé de traitement d'un article d'une chambre de dépôt chimique en phase vapeur pour la fabrication de composants semi-conducteurs, ainsi qu'un article de chambre de dépôt chimique en phase vapeur obtenu par un tel procédé. Selon un premier aspect de l'invention, l'invention concerne un article de chambre de dépôt chimique en phase vapeur tel qu'un support de tranche, pour la fabrication de composants semi-conducteurs, ledit article de chambre ayant un corps et une surface composée de carbure de silicium, caractérisé en ce que ladite surface est pourvue d'une couche de protection au moins sur des parties de ladite surface qui sont soumises à un dépôt parasite lors de ladite fabrication desdits composants semi-conducteurs dans ladite chambre, et ladite couche de protection comprenant une surface oxydée.
A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER ARTICLE
ARTICLE DE CHAMBRE DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
VAN MUNSTER MARCUS GERARDUS (Autor:in) / SONG GUIMING (Autor:in)
28.01.2021
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
| British Library Online Contents | 1999
Thermal Plasma Chemical Vapor Deposition
| British Library Online Contents | 1993
4547404 Chemical vapor deposition process
Elsevier | 1987