Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL FUNCTIONAL FILM
The sputtering target according to the present invention is characterized by: having a carbide phase including carbides of one or more elements selected from Ti and Nb, an oxide phase including oxides of one or more elements selected from Ti, Mo, Ta, and W; having an area percentage of 5% or less for a metal phase; and having a density ratio of 90% or more. A structure is obtained by dispersing the carbide phase in a matrix formed of the oxide phase. The average particle size of the carbide phase is preferably within a range of 1-100 μm.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation selon la présente invention, qui est caractérisée par le fait de comporter une phase de carbure comprenant des carbures d'un ou plusieurs éléments choisis parmi Ti et Nb, une phase d'oxyde comprenant des oxydes d'un ou plusieurs éléments choisis parmi Ti, Mo, Ta et W ; de présenter un pourcentage de surface inférieur ou égal à 5 % pour une phase métallique ; et de présenter un rapport de densité supérieur ou égal à 90 %. Une structure est obtenue par dispersion de la phase de carbure dans une matrice constituée de la phase d'oxyde. La granulométrie moyenne de la phase de carbure se situe de préférence dans une plage de 1 à 100 µm.
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｔｉ，Ｎｂから選択される一種又は二種の元素の炭化物からなる炭化物相と、Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選択される一種又は二種以上の元素の酸化物からなる酸化物相と、を含有し、金属相の面積率が５％以下とされており、密度比が９０％以上であることを特徴とする。前記酸化物相からなるマトリックス中に前記炭化物相が分散した組織とされ、前記炭化物相の平均粒子径が１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL FUNCTIONAL FILM
The sputtering target according to the present invention is characterized by: having a carbide phase including carbides of one or more elements selected from Ti and Nb, an oxide phase including oxides of one or more elements selected from Ti, Mo, Ta, and W; having an area percentage of 5% or less for a metal phase; and having a density ratio of 90% or more. A structure is obtained by dispersing the carbide phase in a matrix formed of the oxide phase. The average particle size of the carbide phase is preferably within a range of 1-100 μm.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation selon la présente invention, qui est caractérisée par le fait de comporter une phase de carbure comprenant des carbures d'un ou plusieurs éléments choisis parmi Ti et Nb, une phase d'oxyde comprenant des oxydes d'un ou plusieurs éléments choisis parmi Ti, Mo, Ta et W ; de présenter un pourcentage de surface inférieur ou égal à 5 % pour une phase métallique ; et de présenter un rapport de densité supérieur ou égal à 90 %. Une structure est obtenue par dispersion de la phase de carbure dans une matrice constituée de la phase d'oxyde. La granulométrie moyenne de la phase de carbure se situe de préférence dans une plage de 1 à 100 µm.
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｔｉ，Ｎｂから選択される一種又は二種の元素の炭化物からなる炭化物相と、Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選択される一種又は二種以上の元素の酸化物からなる酸化物相と、を含有し、金属相の面積率が５％以下とされており、密度比が９０％以上であることを特徴とする。前記酸化物相からなるマトリックス中に前記炭化物相が分散した組織とされ、前記炭化物相の平均粒子径が１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL FUNCTIONAL FILM
CIBLE DE PULVÉRISATION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CIBLE DE PULVÉRISATION ET FILM OPTIQUE FONCTIONNEL
スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、および、光学機能膜
KANEKO DAISUKE (Autor:in) / UMEMOTO KEITA (Autor:in) / SUGIUCHI YUKIYA (Autor:in) / OKANO SHIN (Autor:in) / OHTOMO TAKESHI (Autor:in)
12.05.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET AND OPTICAL FUNCTIONAL FILM
| Europäisches Patentamt | 2021
| Europäisches Patentamt | 2020
OPTICAL FUNCTIONAL FILM, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2021
OPTICAL FUNCTIONAL FILM, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2020
CERAMIC FILM, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2019