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VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG VON METALL-KERAMIK-SUBSTRATEN UND STRUKTURIERTES METALL-KERAMIKSUBSTRAT
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung von Metall-Keramik-Substraten sowie ein strukturiertes Metall-Keramik-Substrat, das insbesondere in der Leistungselektronik zum Einsatz kommen kann. Bei dem Verfahren werden ein erstes Metall-Keramik-Substrat und ein zweites Metall-Keramik-Substrat geätzt, wobei bei der Kontaktierung mit einer Ätzlösung, die in der Lage ist, Aktivmetall aus der Verbindungsschicht der Metall-Keramik-Substrate abzutragen, das erste Metall-Keramik-Substrat und das zweite Metall-Keramik-Substrat so angeordnet sind, dass eine Orthogonalprojektion des ersten Metall-Keramik-Substrats auf eine Projektionsebene parallel zur Metallschicht des ersten Metall-Keramik-Substrats die Metallschicht des zweiten Metall-Keramik-Substrats zu nicht mehr als 60% abschattet.
The invention relates to a method for structuring metal-ceramic substrates and to a structured metal-ceramic substrate which can be used in particular in power electronics. In the method, a first metal-ceramic substrate and a second metal-ceramic substrate are etched, wherein, while being contacted with an etching solution that is capable of removing active metal from the connecting layer of the metal-ceramic substrates, the first metal-ceramic substrate and the second metal-ceramic substrate are positioned such that an orthogonal projection of the first metal-ceramic substrate onto a projection plane parallel to the metal layer of the first metal-ceramic substrate shades no more than 60% of the metal layer of the second metal-ceramic substrate.
L'invention concerne un procédé de structuration de substrats métallocéramiques et un substrat métallocéramique structuré qui peut être utilisé en particulier dans l'électronique de puissance. Dans le procédé, un premier substrat métallocéramique et un deuxième substrat métallocéramique sont gravés, où, tout en étant mis en contact avec une solution de gravure qui est en mesure d'éliminer le métal actif de la couche de liaison des substrats métallocéramiques, le premier substrat métallocéramique et le deuxième substrat métallocéramique sont positionnés de telle sorte qu'une projection orthogonale du premier substrat métallocéramique sur un plan de projection parallèle à la couche métallique du premier substrat métallocéramique n'ombre pas plus de 60 % de la couche métallique du deuxième substrat métallocéramique.
VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG VON METALL-KERAMIK-SUBSTRATEN UND STRUKTURIERTES METALL-KERAMIKSUBSTRAT
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung von Metall-Keramik-Substraten sowie ein strukturiertes Metall-Keramik-Substrat, das insbesondere in der Leistungselektronik zum Einsatz kommen kann. Bei dem Verfahren werden ein erstes Metall-Keramik-Substrat und ein zweites Metall-Keramik-Substrat geätzt, wobei bei der Kontaktierung mit einer Ätzlösung, die in der Lage ist, Aktivmetall aus der Verbindungsschicht der Metall-Keramik-Substrate abzutragen, das erste Metall-Keramik-Substrat und das zweite Metall-Keramik-Substrat so angeordnet sind, dass eine Orthogonalprojektion des ersten Metall-Keramik-Substrats auf eine Projektionsebene parallel zur Metallschicht des ersten Metall-Keramik-Substrats die Metallschicht des zweiten Metall-Keramik-Substrats zu nicht mehr als 60% abschattet.
The invention relates to a method for structuring metal-ceramic substrates and to a structured metal-ceramic substrate which can be used in particular in power electronics. In the method, a first metal-ceramic substrate and a second metal-ceramic substrate are etched, wherein, while being contacted with an etching solution that is capable of removing active metal from the connecting layer of the metal-ceramic substrates, the first metal-ceramic substrate and the second metal-ceramic substrate are positioned such that an orthogonal projection of the first metal-ceramic substrate onto a projection plane parallel to the metal layer of the first metal-ceramic substrate shades no more than 60% of the metal layer of the second metal-ceramic substrate.
L'invention concerne un procédé de structuration de substrats métallocéramiques et un substrat métallocéramique structuré qui peut être utilisé en particulier dans l'électronique de puissance. Dans le procédé, un premier substrat métallocéramique et un deuxième substrat métallocéramique sont gravés, où, tout en étant mis en contact avec une solution de gravure qui est en mesure d'éliminer le métal actif de la couche de liaison des substrats métallocéramiques, le premier substrat métallocéramique et le deuxième substrat métallocéramique sont positionnés de telle sorte qu'une projection orthogonale du premier substrat métallocéramique sur un plan de projection parallèle à la couche métallique du premier substrat métallocéramique n'ombre pas plus de 60 % de la couche métallique du deuxième substrat métallocéramique.
VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG VON METALL-KERAMIK-SUBSTRATEN UND STRUKTURIERTES METALL-KERAMIKSUBSTRAT
METHOD FOR STRUCTURING METAL-CERAMIC SUBSTRATES, AND STRUCTURED METAL-CERAMIC SUBSTRATE
PROCÉDÉ DE STRUCTURATION DE SUBSTRATS MÉTALLOCÉRAMIQUES ET SUBSTRAT MÉTALLOCÉRAMIQUE STRUCTURÉ
WACKER RICHARD (Autor:in) / SCHNEE DANIEL (Autor:in) / SCHWOEBEL ANDRÉ (Autor:in) / SCHARF JUERGEN (Autor:in)
28.07.2022
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
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