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COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
In the copper/ceramic bonded body according to the present invention, copper members (12), (13), respectively, are bonded to one side and the other side of a ceramic member (11). Active metal nitride layers (21), (31) are formed on the ceramic-member (11) sides of the copper members (12), (13). The area ratios A1, A2 of active metal compounds containing Si and an active metal in regions (E1), (E2) measuring 10 μm from the active metal nitride layers (21), (31) toward the copper members (12), (13) are 10% or lower, and the ratio A1/A2 of the area ratio A1 of active metal compounds on the one side and the area ratio A2 of active metal compounds on the other side is within a range from 0.7 to 1.4.
L'invention concerne un corps collé en cuivre/céramique, dans lequel des éléments en cuivre (12), (13) sont collés respectivement sur une face et sur l'autre face d'un élément céramique (11). Des couches (21), (31) de nitrure d'un métal actif sont formées sur les faces correspondant à l'élément céramique (11) des éléments en cuivre (12), (13). Les rapports entre aires A1, A2 des composés métalliques actifs contenant Si et un métal actif dans les régions (E1), (E2) mesurant 10 μm à partir des couches (21), (31) de nitrure d'un métal actif vers les éléments en cuivre (12), (13) sont de 10 % ou moins, et les rapports A1/A2 entre le rapport entre aires A1 des composés métalliques actifs sur une face et le rapport entre aires A2 des composés métalliques actifs sur l'autre face est compris dans la plage de 0,7 à 1,4.
本発明の銅／セラミックス接合体は、セラミックス部材（１１）の一方の面および他方の面にそれぞれ銅部材（１２），（１３）が接合されており、銅部材（１２），（１３）のうちセラミックス部材（１１）側には、活性金属窒化物層（２１），（３１）が形成されており、活性金属窒化物層（２１），（３１）から銅部材（１２），（１３）側へ１０μｍの領域（Ｅ１），（Ｅ２）におけるＳｉと活性金属とを含む活性金属化合物の面積率Ａ１，Ａ２が１０％以下とされており、一方の面側の前記活性金属化合物の面積率Ａ１と、前記他方の面側の前記活性金属化合物の面積率Ａ２との比Ａ１／Ａ２が、０．７以上１．４以下の範囲内とされている。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
In the copper/ceramic bonded body according to the present invention, copper members (12), (13), respectively, are bonded to one side and the other side of a ceramic member (11). Active metal nitride layers (21), (31) are formed on the ceramic-member (11) sides of the copper members (12), (13). The area ratios A1, A2 of active metal compounds containing Si and an active metal in regions (E1), (E2) measuring 10 μm from the active metal nitride layers (21), (31) toward the copper members (12), (13) are 10% or lower, and the ratio A1/A2 of the area ratio A1 of active metal compounds on the one side and the area ratio A2 of active metal compounds on the other side is within a range from 0.7 to 1.4.
L'invention concerne un corps collé en cuivre/céramique, dans lequel des éléments en cuivre (12), (13) sont collés respectivement sur une face et sur l'autre face d'un élément céramique (11). Des couches (21), (31) de nitrure d'un métal actif sont formées sur les faces correspondant à l'élément céramique (11) des éléments en cuivre (12), (13). Les rapports entre aires A1, A2 des composés métalliques actifs contenant Si et un métal actif dans les régions (E1), (E2) mesurant 10 μm à partir des couches (21), (31) de nitrure d'un métal actif vers les éléments en cuivre (12), (13) sont de 10 % ou moins, et les rapports A1/A2 entre le rapport entre aires A1 des composés métalliques actifs sur une face et le rapport entre aires A2 des composés métalliques actifs sur l'autre face est compris dans la plage de 0,7 à 1,4.
本発明の銅／セラミックス接合体は、セラミックス部材（１１）の一方の面および他方の面にそれぞれ銅部材（１２），（１３）が接合されており、銅部材（１２），（１３）のうちセラミックス部材（１１）側には、活性金属窒化物層（２１），（３１）が形成されており、活性金属窒化物層（２１），（３１）から銅部材（１２），（１３）側へ１０μｍの領域（Ｅ１），（Ｅ２）におけるＳｉと活性金属とを含む活性金属化合物の面積率Ａ１，Ａ２が１０％以下とされており、一方の面側の前記活性金属化合物の面積率Ａ１と、前記他方の面側の前記活性金属化合物の面積率Ａ２との比Ａ１／Ａ２が、０．７以上１．４以下の範囲内とされている。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
CORPS COLLÉ EN CUIVRE/CÉRAMIQUE ET CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
TERASAKI NOBUYUKI (Autor:in)
27.10.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Copper-ceramic bonded body and insulated circuit board
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