Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SEED SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
The present invention relates to: the achievement of a low-cost epitaxial or green seed substrate for epitaxial growth having less crystal defects and high quality, the seed substrate being composed of a Group III nitride such as AlN, AlxGa1-xN (0 < X < 1) and GaN; and a method for producing this seed substrate for epitaxial growth. This seed substrate for epitaxial growth comprises: a supporting substrate; a planarization layer that is provided on the upper surface of the supporting substrate, while having a thickness of 0.5 μm to 3 μm; and a seed crystal layer that is provided on the upper surface of the planarization layer. The supporting substrate comprises: a core which is formed of a polycrystalline ceramic of a Group III nitride; and a sealing layer which has a thickness of 0.05 μm to 1.5 μm and seals the core after having surface voids of the core embedded and planarized by means of an oxide, nitride or oxynitride of Al or Si, or a mixture thereof. The seed crystal layer is provided by the thin film transfer of 0.1 μm to 1.5 μm of a surface layer of an Si<111> single crystal having oxidation induced stacking faults (OSFs) of 10 /cm2 or less.
La présente invention concerne : la réalisation d'un substrat germe épitaxial ou vert à faible coût pour une croissance épitaxiale ayant moins de défauts cristallins et une qualité élevée, le substrat germe étant composé d'un nitrure du groupe III tel que AlN, AlxGa1-xN (0 < X < 1) et GaN ; et un procédé de production dudit substrat germe pour une croissance épitaxiale. Ledit substrat germe pour croissance épitaxiale comprend : un substrat de support ; une couche de planarisation qui est disposée sur la surface supérieure du substrat de support, tout en ayant une épaisseur de 0,5 µm à 3 µm ; et une couche de cristaux germe qui est disposée sur la surface supérieure de la couche de planarisation. Le substrat de support comprend : un noyau qui est formé d'une céramique polycristalline d'un nitrure du groupe III ; et une couche de scellement qui a une épaisseur de 0,05 µm à 1,5 µm et scelle le noyau une fois que les vides de surface du noyau ont été incorporés et planarisés au moyen d'un oxyde, d'un nitrure ou d'un oxynitrure d'Al ou de Si, ou d'un mélange de ceux-ci. La couche de cristaux germe est fournie par le transfert d'un film mince de 0,1 à 1,5 µm d'une couche de surface d'un monocristal de Si<111> ayant des défauts d'empilement induits par oxydation (DEO) de 10/cm2 ou moins.
結晶欠陥が少なく高品質で安価なＡｌＮ、ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０＜Ｘ＜１）、ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物のエピおよび無垢のエピタキシャル成長用種基板を得ることおよびその製法に関する。 エピタキシャル成長用種基板は、支持基板と、支持基板の上面に設けられる０．５～３μｍの平坦化層と、平坦化層の上面に設けられる種結晶層とを備える。支持基板は、ＩＩＩ族窒化物の多結晶セラミックスのコアと、そのコアの表面ボイドをＡｌまたはＳｉの酸化物、窒化物、オキシ窒化物、あるいはこれらの混合物により、埋設・平坦化した後に封止する０．０５～１．５μｍの封止層とを含む。種結晶層は、酸化誘起積層欠陥（Oxidation induced Stacking Fault：ＯＳＦ）が１０個／ｃｍ２以下のＳｉ＜１１１＞単結晶の表層０．１～１．５μｍを薄膜転写することにより設けられる。
SEED SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
The present invention relates to: the achievement of a low-cost epitaxial or green seed substrate for epitaxial growth having less crystal defects and high quality, the seed substrate being composed of a Group III nitride such as AlN, AlxGa1-xN (0 < X < 1) and GaN; and a method for producing this seed substrate for epitaxial growth. This seed substrate for epitaxial growth comprises: a supporting substrate; a planarization layer that is provided on the upper surface of the supporting substrate, while having a thickness of 0.5 μm to 3 μm; and a seed crystal layer that is provided on the upper surface of the planarization layer. The supporting substrate comprises: a core which is formed of a polycrystalline ceramic of a Group III nitride; and a sealing layer which has a thickness of 0.05 μm to 1.5 μm and seals the core after having surface voids of the core embedded and planarized by means of an oxide, nitride or oxynitride of Al or Si, or a mixture thereof. The seed crystal layer is provided by the thin film transfer of 0.1 μm to 1.5 μm of a surface layer of an Si<111> single crystal having oxidation induced stacking faults (OSFs) of 10 /cm2 or less.
La présente invention concerne : la réalisation d'un substrat germe épitaxial ou vert à faible coût pour une croissance épitaxiale ayant moins de défauts cristallins et une qualité élevée, le substrat germe étant composé d'un nitrure du groupe III tel que AlN, AlxGa1-xN (0 < X < 1) et GaN ; et un procédé de production dudit substrat germe pour une croissance épitaxiale. Ledit substrat germe pour croissance épitaxiale comprend : un substrat de support ; une couche de planarisation qui est disposée sur la surface supérieure du substrat de support, tout en ayant une épaisseur de 0,5 µm à 3 µm ; et une couche de cristaux germe qui est disposée sur la surface supérieure de la couche de planarisation. Le substrat de support comprend : un noyau qui est formé d'une céramique polycristalline d'un nitrure du groupe III ; et une couche de scellement qui a une épaisseur de 0,05 µm à 1,5 µm et scelle le noyau une fois que les vides de surface du noyau ont été incorporés et planarisés au moyen d'un oxyde, d'un nitrure ou d'un oxynitrure d'Al ou de Si, ou d'un mélange de ceux-ci. La couche de cristaux germe est fournie par le transfert d'un film mince de 0,1 à 1,5 µm d'une couche de surface d'un monocristal de Si<111> ayant des défauts d'empilement induits par oxydation (DEO) de 10/cm2 ou moins.
結晶欠陥が少なく高品質で安価なＡｌＮ、ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０＜Ｘ＜１）、ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物のエピおよび無垢のエピタキシャル成長用種基板を得ることおよびその製法に関する。 エピタキシャル成長用種基板は、支持基板と、支持基板の上面に設けられる０．５～３μｍの平坦化層と、平坦化層の上面に設けられる種結晶層とを備える。支持基板は、ＩＩＩ族窒化物の多結晶セラミックスのコアと、そのコアの表面ボイドをＡｌまたはＳｉの酸化物、窒化物、オキシ窒化物、あるいはこれらの混合物により、埋設・平坦化した後に封止する０．０５～１．５μｍの封止層とを含む。種結晶層は、酸化誘起積層欠陥（Oxidation induced Stacking Fault：ＯＳＦ）が１０個／ｃｍ２以下のＳｉ＜１１１＞単結晶の表層０．１～１．５μｍを薄膜転写することにより設けられる。
SEED SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
SUBSTRAT GERME POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
エピタキシャル成長用種基板およびその製造方法、ならびに半導体基板およびその製造方法
KUBOTA YOSHIHIRO (Autor:in) / KONISHI SHIGERU (Autor:in) / MOGI HIROSHI (Autor:in) / HIGUCHI KOICHI (Autor:in)
04.05.2023
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2023
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR PRODUCING SAME
| Europäisches Patentamt | 2021