Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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A DRAM cell manufacturing method according to one mode may comprise the steps in which: an insulation layer is formed on a substrate; a channel layer is formed on the insulation layer; a high pressure heat treatment is performed in an oxygen environment; trenches are formed in portions of the channel layer and insulation layer; a first gate structure and a second gate structure are formed on the channel layer with the trench interposed therebetween; a first source and a first drain are formed with the first gate structure interposed therebetween; a second source and a second drain are formed with the second gate structure interposed therebetween; heat treatment is performed in a hydrogen environment; and a storage node line, which electrically connects the first drain and the second gate structure, is formed.
Un procédé de fabrication de cellule DRAM selon un mode peut comprendre les étapes dans lesquelles : une couche d'isolation est formée sur un substrat ; une couche de canal est formée sur la couche d'isolation ; un traitement thermique à haute pression est effectué dans un environnement d'oxygène ; des tranchées sont formées dans des parties de la couche de canal et de la couche d'isolation ; une première structure de grille et une seconde structure de grille sont formées sur la couche de canal avec la tranchée interposée entre celles-ci ; une première source et un premier drain sont formés avec la première structure de grille interposée entre eux ; une seconde source et un second drain sont formés avec la seconde structure de grille interposée entre eux ; un traitement thermique est effectué dans un environnement d'hydrogène ; et une ligne de nœud de stockage, qui connecte électriquement le premier drain et la seconde structure de grille, est formée.
일 양상에 따른 DRAM 셀 제조방법은, 기판상에 절연층이 형성되는 단계, 상기 절연층상에 채널층이 형성되는 단계, 산소 환경에서 고압 열처리가 수행되는 단계, 상기 채널층과 상기 절연층의 일부 영역에 트렌치가 형성되는 단계, 상기 트렌치를 사이에 두고 상기 채널층상에 제1 게이트 구조물 및 제2 게이트 구조물이 형성되는 단계, 상기 제1 게이트 구조물을 사이에 두고 제1 소스 및 제1 드레인이 형성되는 단계, 상기 제2 게이트 구조물을 사이에 두고 제2 소스 및 제2 드레인이 형성되는 단계, 수소 환경에서 열처리가 수행되는 단계 및 상기 제1 드레인과 상기 제2 게이트 구조물을 전기적으로 연결하는 스토리지 노드라인이 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
A DRAM cell manufacturing method according to one mode may comprise the steps in which: an insulation layer is formed on a substrate; a channel layer is formed on the insulation layer; a high pressure heat treatment is performed in an oxygen environment; trenches are formed in portions of the channel layer and insulation layer; a first gate structure and a second gate structure are formed on the channel layer with the trench interposed therebetween; a first source and a first drain are formed with the first gate structure interposed therebetween; a second source and a second drain are formed with the second gate structure interposed therebetween; heat treatment is performed in a hydrogen environment; and a storage node line, which electrically connects the first drain and the second gate structure, is formed.
Un procédé de fabrication de cellule DRAM selon un mode peut comprendre les étapes dans lesquelles : une couche d'isolation est formée sur un substrat ; une couche de canal est formée sur la couche d'isolation ; un traitement thermique à haute pression est effectué dans un environnement d'oxygène ; des tranchées sont formées dans des parties de la couche de canal et de la couche d'isolation ; une première structure de grille et une seconde structure de grille sont formées sur la couche de canal avec la tranchée interposée entre celles-ci ; une première source et un premier drain sont formés avec la première structure de grille interposée entre eux ; une seconde source et un second drain sont formés avec la seconde structure de grille interposée entre eux ; un traitement thermique est effectué dans un environnement d'hydrogène ; et une ligne de nœud de stockage, qui connecte électriquement le premier drain et la seconde structure de grille, est formée.
일 양상에 따른 DRAM 셀 제조방법은, 기판상에 절연층이 형성되는 단계, 상기 절연층상에 채널층이 형성되는 단계, 산소 환경에서 고압 열처리가 수행되는 단계, 상기 채널층과 상기 절연층의 일부 영역에 트렌치가 형성되는 단계, 상기 트렌치를 사이에 두고 상기 채널층상에 제1 게이트 구조물 및 제2 게이트 구조물이 형성되는 단계, 상기 제1 게이트 구조물을 사이에 두고 제1 소스 및 제1 드레인이 형성되는 단계, 상기 제2 게이트 구조물을 사이에 두고 제2 소스 및 제2 드레인이 형성되는 단계, 수소 환경에서 열처리가 수행되는 단계 및 상기 제1 드레인과 상기 제2 게이트 구조물을 전기적으로 연결하는 스토리지 노드라인이 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
DRAM CELL MANUFACTURING METHOD
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE DRAM
DRAM 셀 제조방법
HWANG HYUNSANG (Autor:in)
28.12.2023
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
H10B
Team anderthalb : DRAM-Speicher
| DataCite | 2010
Advanced metallization technology for 256M DRAM
| British Library Online Contents | 1996
Extending DRAM Model: Theory-Practice Nexus
| British Library Conference Proceedings | 1996
Extending DRAM Model: Theory-Practice Nexus
| British Library Online Contents | 1996