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SONOS STRUCTURE, PROGRAMMING METHOD AND FORMING METHOD THEREFOR, AND MEMORY
An SONOS structure, a programming method and forming method therefor, and a memory. The SONOS structure may comprise: a semiconductor substrate; a dielectric layer, which is located on a surface of the semiconductor substrate; a charge trapping layer, which is located on a surface of the dielectric layer; a tunneling dielectric layer, which covers the charge trapping layer; and a conductive layer, which is located on a surface of the tunneling dielectric layer, wherein the thickness of the dielectric layer is greater than the thickness of the tunneling dielectric layer. The present invention can effectively improve the storage reliability.
Structure SONOS, procédé de programmation et procédé de formation associé, et mémoire. La structure SONOS peut comprendre : un substrat semi-conducteur ; une couche diélectrique, qui est située sur une surface du substrat semi-conducteur ; une couche de piégeage de charge, qui est située sur une surface de la couche diélectrique ; une couche diélectrique à effet tunnel, qui recouvre la couche de piégeage de charge ; et une couche conductrice, qui est située sur une surface de la couche diélectrique à effet tunnel, l'épaisseur de la couche diélectrique étant supérieure à l'épaisseur de la couche diélectrique à effet tunnel. La présente invention peut améliorer efficacement la fiabilité de stockage.
一种SONOS结构及其编程方法、形成方法、存储器，所述SONOS结构可以包括：半导体衬底；介质层，位于所述半导体衬底的表面；电荷捕获层，位于所述介质层的表面；隧穿介质层，覆盖所述电荷捕获层；导电层，位于所述隧穿介质层的表面；其中，所述介质层的厚度大于所述隧穿介质层的厚度。本发明可以有效提高存储可靠性。
SONOS STRUCTURE, PROGRAMMING METHOD AND FORMING METHOD THEREFOR, AND MEMORY
An SONOS structure, a programming method and forming method therefor, and a memory. The SONOS structure may comprise: a semiconductor substrate; a dielectric layer, which is located on a surface of the semiconductor substrate; a charge trapping layer, which is located on a surface of the dielectric layer; a tunneling dielectric layer, which covers the charge trapping layer; and a conductive layer, which is located on a surface of the tunneling dielectric layer, wherein the thickness of the dielectric layer is greater than the thickness of the tunneling dielectric layer. The present invention can effectively improve the storage reliability.
Structure SONOS, procédé de programmation et procédé de formation associé, et mémoire. La structure SONOS peut comprendre : un substrat semi-conducteur ; une couche diélectrique, qui est située sur une surface du substrat semi-conducteur ; une couche de piégeage de charge, qui est située sur une surface de la couche diélectrique ; une couche diélectrique à effet tunnel, qui recouvre la couche de piégeage de charge ; et une couche conductrice, qui est située sur une surface de la couche diélectrique à effet tunnel, l'épaisseur de la couche diélectrique étant supérieure à l'épaisseur de la couche diélectrique à effet tunnel. La présente invention peut améliorer efficacement la fiabilité de stockage.
一种SONOS结构及其编程方法、形成方法、存储器，所述SONOS结构可以包括：半导体衬底；介质层，位于所述半导体衬底的表面；电荷捕获层，位于所述介质层的表面；隧穿介质层，覆盖所述电荷捕获层；导电层，位于所述隧穿介质层的表面；其中，所述介质层的厚度大于所述隧穿介质层的厚度。本发明可以有效提高存储可靠性。
SONOS STRUCTURE, PROGRAMMING METHOD AND FORMING METHOD THEREFOR, AND MEMORY
STRUCTURE SONOS, PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION ET PROCÉDÉ DE FORMATION ASSOCIÉ, ET MÉMOIRE
SONOS结构及其编程方法、形成方法、存储器
DING YANG (Autor:in) / ZHANG KEGANG (Autor:in)
10.05.2024
Patent
Elektronische Ressource
Chinesisch
IPC:
H10B
FLOOR PLATE STRUCTURE OF MOBILE BUILDING MODULE, AND FORMING METHOD THEREFOR
| Europäisches Patentamt | 2021
METHOD OF VERTICAL FORMING OF A CONCRETE WALL STRUCTURE AND APPARATUS THEREFOR
| Europäisches Patentamt | 2019
METHOD OF VERTICAL FORMING OF A CONCRETE WALL STRUCTURE AND APPARATUS THEREFOR
| Europäisches Patentamt | 2019