Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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A semiconductor structure and a forming method therefor. The forming method comprises: providing a semiconductor substrate, wherein a stacked structure is formed on the semiconductor substrate, and comprises a sacrificial layer and a semiconductor layer which are alternately stacked in a vertical direction, and a first active area, a channel region and a second active area which are sequentially arranged in a first direction; removing the sacrificial layer, which is in the channel region, so as to form a cavity, and expose a surface of the semiconductor layer, which is in the channel region; forming a word line structure extending in a second direction on the surface of the semiconductor layer, which is in the channel region; forming, in the first active area and the second active area, a plurality of first openings extending through the stacked structure, wherein a side surface of each first opening exposes part of a side surface of the semiconductor layer, which is in the channel region; and etching and separating the semiconductor layer, which is in the channel region, along the first openings to form a plurality of discrete channel areas.
Structure semi-conductrice et son procédé de formation. Le procédé de formation consiste à : fournir un substrat semi-conducteur, une structure empilée étant formée sur le substrat semi-conducteur, et comprenant une couche sacrificielle et une couche semi-conductrice qui sont empilées en alternance dans un sens vertical, et une première zone active, une région de canal et une seconde zone active qui sont agencées séquentiellement dans un premier sens ; retirer la couche sacrificielle, qui se trouve dans la région de canal, de façon à former une cavité, et à exposer une surface de la couche semi-conductrice, qui se trouve dans la région de canal ; former une structure de ligne de mots s'étendant dans un second sens sur la surface de la couche semi-conductrice, qui se trouve dans la région de canal ; former, dans la première zone active et la seconde zone active, une pluralité de premières ouvertures s'étendant à travers la structure empilée, une surface latérale de chaque première ouverture exposant une partie d'une surface latérale de la couche semi-conductrice, qui se trouve dans la région de canal ; et graver et séparer la couche semi-conductrice, qui se trouve dans la région de canal, le long des premières ouvertures pour former une pluralité de zones de canal individuelles.
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括，提供半导体衬底，其上形成有堆叠结构，包括在竖直方向上交替层叠的牺牲层和半导体层，且包括沿第一方向依次排布的第一有源区、沟道区域和第二有源区；去除沟道区域的牺牲层，以形成空腔，暴露出沟道区域的半导体层的表面；在沟道区域的半导体层的表面上形成沿第二方向延伸的字线结构；在第一有源区和第二有源区形成贯穿堆叠结构多个第一开口，第一开口的侧面暴露出沟道区域半导体层的部分侧面；沿第一开口刻蚀断开沟道区域的半导体层，形成多个分立的沟道区。
A semiconductor structure and a forming method therefor. The forming method comprises: providing a semiconductor substrate, wherein a stacked structure is formed on the semiconductor substrate, and comprises a sacrificial layer and a semiconductor layer which are alternately stacked in a vertical direction, and a first active area, a channel region and a second active area which are sequentially arranged in a first direction; removing the sacrificial layer, which is in the channel region, so as to form a cavity, and expose a surface of the semiconductor layer, which is in the channel region; forming a word line structure extending in a second direction on the surface of the semiconductor layer, which is in the channel region; forming, in the first active area and the second active area, a plurality of first openings extending through the stacked structure, wherein a side surface of each first opening exposes part of a side surface of the semiconductor layer, which is in the channel region; and etching and separating the semiconductor layer, which is in the channel region, along the first openings to form a plurality of discrete channel areas.
Structure semi-conductrice et son procédé de formation. Le procédé de formation consiste à : fournir un substrat semi-conducteur, une structure empilée étant formée sur le substrat semi-conducteur, et comprenant une couche sacrificielle et une couche semi-conductrice qui sont empilées en alternance dans un sens vertical, et une première zone active, une région de canal et une seconde zone active qui sont agencées séquentiellement dans un premier sens ; retirer la couche sacrificielle, qui se trouve dans la région de canal, de façon à former une cavité, et à exposer une surface de la couche semi-conductrice, qui se trouve dans la région de canal ; former une structure de ligne de mots s'étendant dans un second sens sur la surface de la couche semi-conductrice, qui se trouve dans la région de canal ; former, dans la première zone active et la seconde zone active, une pluralité de premières ouvertures s'étendant à travers la structure empilée, une surface latérale de chaque première ouverture exposant une partie d'une surface latérale de la couche semi-conductrice, qui se trouve dans la région de canal ; et graver et séparer la couche semi-conductrice, qui se trouve dans la région de canal, le long des premières ouvertures pour former une pluralité de zones de canal individuelles.
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括，提供半导体衬底，其上形成有堆叠结构，包括在竖直方向上交替层叠的牺牲层和半导体层，且包括沿第一方向依次排布的第一有源区、沟道区域和第二有源区；去除沟道区域的牺牲层，以形成空腔，暴露出沟道区域的半导体层的表面；在沟道区域的半导体层的表面上形成沿第二方向延伸的字线结构；在第一有源区和第二有源区形成贯穿堆叠结构多个第一开口，第一开口的侧面暴露出沟道区域半导体层的部分侧面；沿第一开口刻蚀断开沟道区域的半导体层，形成多个分立的沟道区。
SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREFOR
STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
半导体结构及其形成方法
TANG YI (Autor:in)
30.05.2024
Patent
Elektronische Ressource
Chinesisch
IPC:
H10B
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