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DIRECT-CURRENT LOW-RESIDUAL-VOLTAGE VARISTOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR
The present disclosure relates to the technical field of varistors, in particular to a direct-current low-residual-voltage varistor and a preparation method therefor. The components of a formula for the varistor comprise auxiliary materials and ZnO that serves as a main component, wherein the auxiliary materials comprise a solution containing Al3+, a solution containing Ag+, a solution containing B3+, and at least one compound containing a metal element which is selected from any one or more of Bi, Sb, Co, Mn, Cr, Ni, Ba or Ca. By adding the element Ag, unstable ion migration in a grain boundary can be effectively inhibited, such that the aging resistance and discharge current capacity of an anti-direct-current load thereof are improved; and by adding the elements B, Ba and Ca, a glass phase can be formed together with bismuth oxide, thereby effectively improving the compactness of the crystal boundary of the varistor and ameliorating the phenomenon of an increased initial leakage current due to the addition of Al ions thereto, such that the direct current aging characteristic of the formula is more stable.
La présente divulgation concerne le domaine technique des varistances, en particulier une varistance à faible tension résiduelle à courant continu et son procédé de préparation. Les composants d'une formule pour la varistance comprennent des matériaux auxiliaires et du ZnO qui sert de composant principal, les matériaux auxiliaires comprenant une solution contenant Al3+, une solution contenant Ag+, une solution contenant B3+, et au moins un composé contenant un élément métallique qui est choisi parmi l'un quelconque ou plusieurs éléments parmi Bi, Sb, Co, Mn, Cr, Ni, Ba ou Ca. En ajoutant l'élément Ag, une migration d'ions instable dans une limite de grain peut être inhibée efficacement, ce qui améliore la résistance au vieillissement et la capacité de courant de décharge d'une charge anti-courant continu associée ; et en ajoutant les éléments B, Ba et Ca, une phase vitreuse peut être formée conjointement avec de l'oxyde de bismuth, ce qui améliore efficacement la compacité de la limite cristalline de la varistance et le phénomène d'un courant de fuite initial accru dû à l'ajout d'ions Al à celle-ci, de telle sorte que la caractéristique de vieillissement à courant continu de la formule est plus stable.
本公开涉及压敏电阻技术领域，特别涉及一种直流低残压型压敏电阻及其制备方法，配方成分包括辅料和作为主成分的ZnO，辅料包括含Al3+的溶液、含Ag+的溶液、含B3+的溶液和至少一种含金属元素的化合物，其中金属元素选自：Bi、Sb、Co、Mn、Cr、Ni、Ba或Ca中的任意一种或多种，通过添加Ag元素，可有效抑制晶界中不稳定离子迁移，从而提高其抗直流负载的老化能力及通流容量；通过添加B、Ba、Ca元素，可以与氧化铋形成玻璃相，有效提高压敏电阻晶界的致密性，并改善其添加Al离子带来的初始漏电流增大现象，从而使得本配方的直流老化特性更加稳定。
DIRECT-CURRENT LOW-RESIDUAL-VOLTAGE VARISTOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR
The present disclosure relates to the technical field of varistors, in particular to a direct-current low-residual-voltage varistor and a preparation method therefor. The components of a formula for the varistor comprise auxiliary materials and ZnO that serves as a main component, wherein the auxiliary materials comprise a solution containing Al3+, a solution containing Ag+, a solution containing B3+, and at least one compound containing a metal element which is selected from any one or more of Bi, Sb, Co, Mn, Cr, Ni, Ba or Ca. By adding the element Ag, unstable ion migration in a grain boundary can be effectively inhibited, such that the aging resistance and discharge current capacity of an anti-direct-current load thereof are improved; and by adding the elements B, Ba and Ca, a glass phase can be formed together with bismuth oxide, thereby effectively improving the compactness of the crystal boundary of the varistor and ameliorating the phenomenon of an increased initial leakage current due to the addition of Al ions thereto, such that the direct current aging characteristic of the formula is more stable.
La présente divulgation concerne le domaine technique des varistances, en particulier une varistance à faible tension résiduelle à courant continu et son procédé de préparation. Les composants d'une formule pour la varistance comprennent des matériaux auxiliaires et du ZnO qui sert de composant principal, les matériaux auxiliaires comprenant une solution contenant Al3+, une solution contenant Ag+, une solution contenant B3+, et au moins un composé contenant un élément métallique qui est choisi parmi l'un quelconque ou plusieurs éléments parmi Bi, Sb, Co, Mn, Cr, Ni, Ba ou Ca. En ajoutant l'élément Ag, une migration d'ions instable dans une limite de grain peut être inhibée efficacement, ce qui améliore la résistance au vieillissement et la capacité de courant de décharge d'une charge anti-courant continu associée ; et en ajoutant les éléments B, Ba et Ca, une phase vitreuse peut être formée conjointement avec de l'oxyde de bismuth, ce qui améliore efficacement la compacité de la limite cristalline de la varistance et le phénomène d'un courant de fuite initial accru dû à l'ajout d'ions Al à celle-ci, de telle sorte que la caractéristique de vieillissement à courant continu de la formule est plus stable.
本公开涉及压敏电阻技术领域，特别涉及一种直流低残压型压敏电阻及其制备方法，配方成分包括辅料和作为主成分的ZnO，辅料包括含Al3+的溶液、含Ag+的溶液、含B3+的溶液和至少一种含金属元素的化合物，其中金属元素选自：Bi、Sb、Co、Mn、Cr、Ni、Ba或Ca中的任意一种或多种，通过添加Ag元素，可有效抑制晶界中不稳定离子迁移，从而提高其抗直流负载的老化能力及通流容量；通过添加B、Ba、Ca元素，可以与氧化铋形成玻璃相，有效提高压敏电阻晶界的致密性，并改善其添加Al离子带来的初始漏电流增大现象，从而使得本配方的直流老化特性更加稳定。
DIRECT-CURRENT LOW-RESIDUAL-VOLTAGE VARISTOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR
VARISTANCE À FAIBLE TENSION RÉSIDUELLE À COURANT CONTINU ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
一种直流低残压型压敏电阻及其制备方法
CHEN XIANGZHOU (Autor:in)
08.08.2024
Patent
Elektronische Ressource
Chinesisch
CHIP VARISTOR, AND PREPARATION METHOD THEREFOR AND USE THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2024
Molding aid of ZnO varistor, ZnO varistor and preparation method of ZnO varistor
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New low-voltage varistor composites
| British Library Online Contents | 1996
Novel Route for Preparation of High Voltage Varistor Powder
| British Library Online Contents | 1997