Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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CIRCUIT BOARD AND POWER MODULE
This circuit board comprises a silicon nitride plate, a copper plate, and a bonding layer that bonds the silicon nitride plate and the copper plate. The bonding layer includes, from the silicon nitride plate side, a first bonding layer containing titanium nitride, a second bonding layer having a higher elemental silicon content than the first bonding layer, and a third bonding layer having a higher elemental silver content than the first bonding layer and the second bonding layer, and the second bonding layer is interposed between the first bonding layer and the third bonding layer so as to partition the first bonding layer from the third bonding layer.
L'invention concerne une carte de circuit imprimé comprenant une plaque de nitrure de silicium, une plaque de cuivre et une couche de liaison qui lie la plaque de nitrure de silicium et la plaque de cuivre. La couche de liaison comprend, à partir du côté plaque de nitrure de silicium, une première couche de liaison contenant du nitrure de titane, une deuxième couche de liaison ayant une teneur en silicium élémentaire supérieure à celle de la première couche de liaison, et une troisième couche de liaison ayant une teneur en argent élémentaire supérieure à celle de la première couche de liaison et de la deuxième couche de liaison, et la deuxième couche de liaison est interposée entre la première couche de liaison et la troisième couche de liaison de façon à séparer la première couche de liaison de la troisième couche de liaison.
回路基板は、窒化ケイ素板と、銅板と、窒化ケイ素板と銅板とを接合する接合層と、を備える。接合層は、窒化ケイ素板側から、窒化チタンを含む第１接合層と、第１接合層よりもケイ素元素の含有量が高い第２接合層と、第１接合層及び第２接合層よりも銀元素の含有量が高い第３接合層と、を有し、第２接合層は、第１接合層と第３接合層とを遮断するように、第１接合層と第３接合層との間に介在している。
CIRCUIT BOARD AND POWER MODULE
This circuit board comprises a silicon nitride plate, a copper plate, and a bonding layer that bonds the silicon nitride plate and the copper plate. The bonding layer includes, from the silicon nitride plate side, a first bonding layer containing titanium nitride, a second bonding layer having a higher elemental silicon content than the first bonding layer, and a third bonding layer having a higher elemental silver content than the first bonding layer and the second bonding layer, and the second bonding layer is interposed between the first bonding layer and the third bonding layer so as to partition the first bonding layer from the third bonding layer.
L'invention concerne une carte de circuit imprimé comprenant une plaque de nitrure de silicium, une plaque de cuivre et une couche de liaison qui lie la plaque de nitrure de silicium et la plaque de cuivre. La couche de liaison comprend, à partir du côté plaque de nitrure de silicium, une première couche de liaison contenant du nitrure de titane, une deuxième couche de liaison ayant une teneur en silicium élémentaire supérieure à celle de la première couche de liaison, et une troisième couche de liaison ayant une teneur en argent élémentaire supérieure à celle de la première couche de liaison et de la deuxième couche de liaison, et la deuxième couche de liaison est interposée entre la première couche de liaison et la troisième couche de liaison de façon à séparer la première couche de liaison de la troisième couche de liaison.
回路基板は、窒化ケイ素板と、銅板と、窒化ケイ素板と銅板とを接合する接合層と、を備える。接合層は、窒化ケイ素板側から、窒化チタンを含む第１接合層と、第１接合層よりもケイ素元素の含有量が高い第２接合層と、第１接合層及び第２接合層よりも銀元素の含有量が高い第３接合層と、を有し、第２接合層は、第１接合層と第３接合層とを遮断するように、第１接合層と第３接合層との間に介在している。
CIRCUIT BOARD AND POWER MODULE
CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ET MODULE DE PUISSANCE
回路基板、及びパワーモジュール
TSUGAWA YUTA (Autor:in) / YANO SEIJI (Autor:in) / AONO RYOTA (Autor:in)
29.08.2024
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD, CIRCUIT BOARD, AND POWER MODULE
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2020