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CERAMIC PLATE, PACKAGE, CERAMIC PLATE MANUFACTURING METHOD, MODULE, AND ELECTRIC/ELECTRONIC COMPONENT
This ceramic plate comprises a plating film on at least part of a surface of a plate-shaped ceramic member. When this ceramic plate is heated from 25°C to 400°C at a heating rate of 5°C/min, the amount of hydrogen released per unit mass of this ceramic plate at 250°C, which is A250, as determined by thermal desorption spectrometry, is 5.0x10-10 A/g or less in terms of mass spectrum intensity of ion current value.
Cette plaque céramique comprend un film de placage sur au moins une partie d'une surface d'un élément céramique en forme de plaque. Lorsque cette plaque céramique est chauffée de 25 °C à 400 °C à une vitesse de chauffage de 5 °C/min, la quantité d'hydrogène libérée par unité de masse de cette plaque céramique à 250 °C, qui est A250, telle que déterminée par spectrométrie de désorption thermique, est égale ou inférieure à 5,0 x10-10A/g en termes d'intensité de spectre de masse de la valeur de courant ionique.
板状セラミックス部材の表面の少なくとも一部にメッキ膜を備えるセラミックス板。このセラミックス板を、昇温脱離ガス分析法により、２５℃から４００℃まで、５℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱したときの、２５０℃におけるセラミックス板の単位質量あたりの水素の放出量Ａ２５０は、イオン電流値による質量スペクトル強度で５．０×１０－１０Ａ／ｇ以下である。
CERAMIC PLATE, PACKAGE, CERAMIC PLATE MANUFACTURING METHOD, MODULE, AND ELECTRIC/ELECTRONIC COMPONENT
This ceramic plate comprises a plating film on at least part of a surface of a plate-shaped ceramic member. When this ceramic plate is heated from 25°C to 400°C at a heating rate of 5°C/min, the amount of hydrogen released per unit mass of this ceramic plate at 250°C, which is A250, as determined by thermal desorption spectrometry, is 5.0x10-10 A/g or less in terms of mass spectrum intensity of ion current value.
Cette plaque céramique comprend un film de placage sur au moins une partie d'une surface d'un élément céramique en forme de plaque. Lorsque cette plaque céramique est chauffée de 25 °C à 400 °C à une vitesse de chauffage de 5 °C/min, la quantité d'hydrogène libérée par unité de masse de cette plaque céramique à 250 °C, qui est A250, telle que déterminée par spectrométrie de désorption thermique, est égale ou inférieure à 5,0 x10-10A/g en termes d'intensité de spectre de masse de la valeur de courant ionique.
板状セラミックス部材の表面の少なくとも一部にメッキ膜を備えるセラミックス板。このセラミックス板を、昇温脱離ガス分析法により、２５℃から４００℃まで、５℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱したときの、２５０℃におけるセラミックス板の単位質量あたりの水素の放出量Ａ２５０は、イオン電流値による質量スペクトル強度で５．０×１０－１０Ａ／ｇ以下である。
CERAMIC PLATE, PACKAGE, CERAMIC PLATE MANUFACTURING METHOD, MODULE, AND ELECTRIC/ELECTRONIC COMPONENT
PLAQUE CÉRAMIQUE, BOÎTIER, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUE CÉRAMIQUE, MODULE ET COMPOSANT ÉLECTRIQUE/ÉLECTRONIQUE
セラミックス板、包装体、セラミックス板の製造方法、モジュールおよび電気・電子製品
GOTO DAISUKE (Autor:in) / ONO HIROSHI (Autor:in)
06.09.2024
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2024
CERAMIC PLATE AND METHOD FOR MANUFACTURING CERAMIC PLATE
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PIEZOELECTRIC CERAMIC PLATE, PLATE-SHAPED SUBSTRATE AND ELECTRONIC COMPONENT
| Europäisches Patentamt | 2016