Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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A three-dimensional flash memory that improves leakage current is disclosed. A three-dimensional flash memory according to one embodiment comprises: word lines formed to extend in a horizontal direction on a substrate and stacked while being spaced apart from each other in a vertical direction; vertical channel structures formed to extend in the vertical direction on the substrate through the word lines, wherein each of the vertical channel structures includes a vertical channel pattern formed to extend in the vertical direction and a data storage pattern formed covering an outer wall of the vertical channel pattern, and the data storage pattern and the vertical channel pattern constitute memory cells corresponding to the word lines; a drain region located at the top of each of the vertical channel structures; and a source region located at the bottom of the vertical channel structures, wherein the drain region and the source region are formed of different materials.
Est divulguée une mémoire flash tridimensionnelle qui améliore le courant de fuite. Une mémoire flash tridimensionnelle selon un mode de réalisation comprend : des lignes de mots formées pour s'étendre dans une direction horizontale sur un substrat et empilées tout en étant espacées les unes des autres dans une direction verticale ; des structures de canal vertical formées pour s'étendre dans la direction verticale sur le substrat à travers les lignes de mots, chacune des structures de canal vertical comprenant un motif de canal vertical formé pour s'étendre dans la direction verticale et un motif de stockage de données formé recouvrant une paroi externe du motif de canal vertical, et le motif de stockage de données et le motif de canal vertical constituant des cellules de mémoire correspondant aux lignes de mots ; une région de drain située au sommet de chacune des structures de canal vertical ; et une région de source située au fond des structures de canal vertical, la région de drain et la région de source étant formées de matériaux différents.
누설 전류를 개선하는 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 서로 이격된 채 적층되는 워드 라인들; 상기 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽을 덮으며 형성되는 데이터 저장 패턴을 포함하며, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-; 상기 수직 채널 구조체들 각각의 상단에 위치하는 드레인 영역; 및 상기 수직 채널 구조체들의 하단에 위치하는 소스 영역을 포함하고, 상기 드레인 영역 및 상기 소스 영역은, 서로 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
A three-dimensional flash memory that improves leakage current is disclosed. A three-dimensional flash memory according to one embodiment comprises: word lines formed to extend in a horizontal direction on a substrate and stacked while being spaced apart from each other in a vertical direction; vertical channel structures formed to extend in the vertical direction on the substrate through the word lines, wherein each of the vertical channel structures includes a vertical channel pattern formed to extend in the vertical direction and a data storage pattern formed covering an outer wall of the vertical channel pattern, and the data storage pattern and the vertical channel pattern constitute memory cells corresponding to the word lines; a drain region located at the top of each of the vertical channel structures; and a source region located at the bottom of the vertical channel structures, wherein the drain region and the source region are formed of different materials.
Est divulguée une mémoire flash tridimensionnelle qui améliore le courant de fuite. Une mémoire flash tridimensionnelle selon un mode de réalisation comprend : des lignes de mots formées pour s'étendre dans une direction horizontale sur un substrat et empilées tout en étant espacées les unes des autres dans une direction verticale ; des structures de canal vertical formées pour s'étendre dans la direction verticale sur le substrat à travers les lignes de mots, chacune des structures de canal vertical comprenant un motif de canal vertical formé pour s'étendre dans la direction verticale et un motif de stockage de données formé recouvrant une paroi externe du motif de canal vertical, et le motif de stockage de données et le motif de canal vertical constituant des cellules de mémoire correspondant aux lignes de mots ; une région de drain située au sommet de chacune des structures de canal vertical ; et une région de source située au fond des structures de canal vertical, la région de drain et la région de source étant formées de matériaux différents.
누설 전류를 개선하는 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 서로 이격된 채 적층되는 워드 라인들; 상기 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽을 덮으며 형성되는 데이터 저장 패턴을 포함하며, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-; 상기 수직 채널 구조체들 각각의 상단에 위치하는 드레인 영역; 및 상기 수직 채널 구조체들의 하단에 위치하는 소스 영역을 포함하고, 상기 드레인 영역 및 상기 소스 영역은, 서로 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY THAT IMPROVES LEAKAGE CURRENT
MÉMOIRE FLASH TRIDIMENSIONNELLE QUI AMÉLIORE LE COURANT DE FUITE
누설 전류를 개선하는 3차원 플래시 메모리
AHN KUNOK (Autor:in)
19.09.2024
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
H10B
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Three-dimensional printing of flash-setting calcium aluminate cement
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Advances in flash memory devices
| British Library Online Contents | 2010
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