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Ionen-Oberflächenfalle und Verfahren zum Betreiben einer Ionen-Oberflächenfalle
Ionen-Oberflächenfalle (10) mit(a) einem Elektrodenpaar (12), daseine erste Fallen-Elektrode (14.1) und eine zweite Fallen-Elektrode (14.2) aufweist und das ausgebildet ist zum Bilden eines Fallenvolumens für zumindest ein Ion (22) beim Anlegen einer elektrischen Wechselspannung,(b) zumindest zwei Gleichspannungselektroden (16.1, 16.2), die angeordnet sind zum Abschließen des Fallenvolumens und/oder Erzeugen eines elektrischen Felds, mittels dem eine Ionen-Position eines in der Ionen-Oberflächenfalle (10) gefangenem Ions (22) relativ zur Ionen-Oberflächenfalle (10) veränderbar ist, und(c) einem Sensor zum Erfassen von Photonen (20), die vom zumindest einen Ion (22) ausgesendet werden, dadurch gekennzeichnet, dass(d) der Sensor ein energiesensitiv messender Supraleiter-Sensor (18) ist, der eine Supraleiterschicht-Trennschicht-Supraleiterschicht-Struktur hat, die eine erste Supraleiterschicht (24), eine Trennschicht (26) und eine zweite Supraleiterschicht (28) aufweist, und(e) mindestens die erste Supraleiterschicht (24) die erste Fallen-Elektrode (14.1) bildet.
The invention relates to an ion surface trap (10) comprising (a) an electrode pair (12) having a first trap electrode (14.1) and a second trap electrode (14.2) and configured for forming a trap volume for at least one ion (22) when an electrical AC voltage is applied, (b) at least two DC voltage electrodes (16) arranged for terminating the trap volume and/or generating an electric field enabling an ion position of an ion (22) trapped in the ion surface trap (10) to be varied relative to the ion surface trap (10), and (c) a sensor for detecting photons (20) emitted by the at least one ion (22), wherein (d) the sensor is an energy-sensitively measuring superconductor sensor (18) having a superconductor layer/separating layer/superconductor layer structure, and (e) at least the first superconductor layer (24, 28) forms the first trap electrode (14).
Ionen-Oberflächenfalle und Verfahren zum Betreiben einer Ionen-Oberflächenfalle
Ionen-Oberflächenfalle (10) mit(a) einem Elektrodenpaar (12), daseine erste Fallen-Elektrode (14.1) und eine zweite Fallen-Elektrode (14.2) aufweist und das ausgebildet ist zum Bilden eines Fallenvolumens für zumindest ein Ion (22) beim Anlegen einer elektrischen Wechselspannung,(b) zumindest zwei Gleichspannungselektroden (16.1, 16.2), die angeordnet sind zum Abschließen des Fallenvolumens und/oder Erzeugen eines elektrischen Felds, mittels dem eine Ionen-Position eines in der Ionen-Oberflächenfalle (10) gefangenem Ions (22) relativ zur Ionen-Oberflächenfalle (10) veränderbar ist, und(c) einem Sensor zum Erfassen von Photonen (20), die vom zumindest einen Ion (22) ausgesendet werden, dadurch gekennzeichnet, dass(d) der Sensor ein energiesensitiv messender Supraleiter-Sensor (18) ist, der eine Supraleiterschicht-Trennschicht-Supraleiterschicht-Struktur hat, die eine erste Supraleiterschicht (24), eine Trennschicht (26) und eine zweite Supraleiterschicht (28) aufweist, und(e) mindestens die erste Supraleiterschicht (24) die erste Fallen-Elektrode (14.1) bildet.
The invention relates to an ion surface trap (10) comprising (a) an electrode pair (12) having a first trap electrode (14.1) and a second trap electrode (14.2) and configured for forming a trap volume for at least one ion (22) when an electrical AC voltage is applied, (b) at least two DC voltage electrodes (16) arranged for terminating the trap volume and/or generating an electric field enabling an ion position of an ion (22) trapped in the ion surface trap (10) to be varied relative to the ion surface trap (10), and (c) a sensor for detecting photons (20) emitted by the at least one ion (22), wherein (d) the sensor is an energy-sensitively measuring superconductor sensor (18) having a superconductor layer/separating layer/superconductor layer structure, and (e) at least the first superconductor layer (24, 28) forms the first trap electrode (14).
Ionen-Oberflächenfalle und Verfahren zum Betreiben einer Ionen-Oberflächenfalle
RAUPACH SEBASTIAN (author)
2023-07-20
Patent
Electronic Resource
German
IPC:
H01J
Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
,
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
G01N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
,
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
/
G04F
TIME-INTERVAL MEASURING
,
Messen von Zeitintervallen
/
G06N
COMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
,
Rechnersysteme, basierend auf spezifischen Rechenmodellen
/
H10N
Ionen- und Plasmaoberflaechentechnik
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