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Sinterkörper auf Zinkoxid-Basis, Verfahren zu dessen Herstellung, sowie Sputtertarget und transparenter, elektrisch leitfähiger Film
[Aufgabe] Einen Sinterkörper auf Zinkoxid-Basis, durch den bei der Herstellung eines für Pufferschichten usw. von CIGS-Solarzellen anzuwendenden, transparenten, elektrisch leitfähigen Films mit einem hohen Widerstand durch ein Sputterverfahren die Entstehung der Fehlentladung (Bogenbildung) unterdrückt wird, und ein Verfahren zu dessen Herstellung zur Verfügung zu stellen. [Mittel zum Lösen] Dieser Sinterkörper auf Zinkoxid-Basis ist dadurch gekennzeichnet, dass er 0,01 bis 1 Gew.-% mindestens eines Zusatzelements, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Mg, Al, Ti, Ga, In und Sn, berechnet als Oxid, und 20 Gew.-ppm bis 200 Gew.-ppm Si-Element enthält, dass die Kristallkorngröße von Zinkoxid im Sinterkörper 25 bis 100 µm beträgt, dass das Si-Element im Sinterkörper als Si-haltige Kristallkörner mit einer Größe von 5 µm oder weniger vorhanden ist, und dass die Si-haltigen Kristallkörner an der Korngrenze von Zinkoxid im Sinterkörper nicht abgeschieden sind. Das Verfahren zur Herstellung des Sinterkörpers ist dadurch gekennzeichnet, dass eine bei Raumtemperatur flüssige Siliziumverbindung mit einer Siloxanstruktur als Zufuhrquelle des Si-Elements angewendet wird, und dass die Brenntemperatur für den Formkörper im Bereich von 900 bis 1400°C festgesetzt wird.
Sinterkörper auf Zinkoxid-Basis, Verfahren zu dessen Herstellung, sowie Sputtertarget und transparenter, elektrisch leitfähiger Film
[Aufgabe] Einen Sinterkörper auf Zinkoxid-Basis, durch den bei der Herstellung eines für Pufferschichten usw. von CIGS-Solarzellen anzuwendenden, transparenten, elektrisch leitfähigen Films mit einem hohen Widerstand durch ein Sputterverfahren die Entstehung der Fehlentladung (Bogenbildung) unterdrückt wird, und ein Verfahren zu dessen Herstellung zur Verfügung zu stellen. [Mittel zum Lösen] Dieser Sinterkörper auf Zinkoxid-Basis ist dadurch gekennzeichnet, dass er 0,01 bis 1 Gew.-% mindestens eines Zusatzelements, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Mg, Al, Ti, Ga, In und Sn, berechnet als Oxid, und 20 Gew.-ppm bis 200 Gew.-ppm Si-Element enthält, dass die Kristallkorngröße von Zinkoxid im Sinterkörper 25 bis 100 µm beträgt, dass das Si-Element im Sinterkörper als Si-haltige Kristallkörner mit einer Größe von 5 µm oder weniger vorhanden ist, und dass die Si-haltigen Kristallkörner an der Korngrenze von Zinkoxid im Sinterkörper nicht abgeschieden sind. Das Verfahren zur Herstellung des Sinterkörpers ist dadurch gekennzeichnet, dass eine bei Raumtemperatur flüssige Siliziumverbindung mit einer Siloxanstruktur als Zufuhrquelle des Si-Elements angewendet wird, und dass die Brenntemperatur für den Formkörper im Bereich von 900 bis 1400°C festgesetzt wird.
Sinterkörper auf Zinkoxid-Basis, Verfahren zu dessen Herstellung, sowie Sputtertarget und transparenter, elektrisch leitfähiger Film
KUBOUCHI YUTA (author)
2015-12-03
Patent
Electronic Resource
German
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