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PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
Procédé de fabrication d’un matériau fritté polycristallin de carbure de silicium très pur et dense comprenant a) la préparation d'une charge minérale de départ comportant en masse au moins 95% d’une poudre de particules de carbure de silicium sous forme cristalline beta, de teneur massique en SiC supérieure à 99% et de taille médiane comprise entre 0,1 et 5 micromètres ; un additif de frittage en phase solide comprenant un élément choisi parmi l’aluminium, le bore, le fer, le titane, le chrome, le magnésium ou le zirconium, dans une quantité telle que l’apport en ledit élément représente entre 0,1 et 0,8% de la masse totale desdites particules de carbure de silicium, entre 0,5 et 3% d’ajout d’une source de carbone; b) une mise en forme de la charge de départ sous la forme d'une préforme et c) frittage en phase solide de ladite préforme sous une pression ou une charge supérieure à 60MPa et à une température supérieure à 1800°C et inférieure à 2100°C sous atmosphère azotée.
A polycrystalline silicon carbide sintered material includes silicon carbide grains having a median equivalent diameter of between 1 and 10 microns, the material having a total porosity of less than 2% by volume of the material, and a silicon carbide mass content of at least 99%, except for the free carbon, wherein in the material the mass ratio of the content of SiC having a beta-type crystallographic form to the content of SiC having an alpha-type crystallographic form is less than 2.
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
Procédé de fabrication d’un matériau fritté polycristallin de carbure de silicium très pur et dense comprenant a) la préparation d'une charge minérale de départ comportant en masse au moins 95% d’une poudre de particules de carbure de silicium sous forme cristalline beta, de teneur massique en SiC supérieure à 99% et de taille médiane comprise entre 0,1 et 5 micromètres ; un additif de frittage en phase solide comprenant un élément choisi parmi l’aluminium, le bore, le fer, le titane, le chrome, le magnésium ou le zirconium, dans une quantité telle que l’apport en ledit élément représente entre 0,1 et 0,8% de la masse totale desdites particules de carbure de silicium, entre 0,5 et 3% d’ajout d’une source de carbone; b) une mise en forme de la charge de départ sous la forme d'une préforme et c) frittage en phase solide de ladite préforme sous une pression ou une charge supérieure à 60MPa et à une température supérieure à 1800°C et inférieure à 2100°C sous atmosphère azotée.
A polycrystalline silicon carbide sintered material includes silicon carbide grains having a median equivalent diameter of between 1 and 10 microns, the material having a total porosity of less than 2% by volume of the material, and a silicon carbide mass content of at least 99%, except for the free carbon, wherein in the material the mass ratio of the content of SiC having a beta-type crystallographic form to the content of SiC having an alpha-type crystallographic form is less than 2.
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
MASSASSO GIOVANNI (author) / BOUSQUET COSTANA (author)
2023-09-08
Patent
Electronic Resource
French
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
| European Patent Office | 2022
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
| European Patent Office | 2024
MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
| European Patent Office | 2023
MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
| European Patent Office | 2022
MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
| European Patent Office | 2024