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MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
Disclosed is a polycrystalline sintered ceramic material of very low electrical resistivity comprising by mass: - more than 95% silicon carbide (SiC), - less than 1.5% silicon in another form than SiC, - less than 2.5% carbon in another form than SiC, - less than 1% oxygen (O), - less than 0.5% aluminium (Al), - less than 0.5% of the elements Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu, - less than 0.5% alkali elements, - less than 0.5% alkaline earths, - between 0.1 and 1.5% nitrogen (N), - the other elements forming the complement to 100%, wherein the grains of the above material have a median equivalent diameter of between 0.5 and 5 micrometres, the mass ratio of SiC alpha (α))/SiC Beta (β) is less than 0.1, and the total porosity represents less than 15% by volume of said material.
Matériau céramique fritté polycristallin de très faible résistivité électrique comprenant en masse : -plus de 95% de carbure de Silicium (SiC), -moins de 1,5% de silicium sous une autre forme que SiC -moins de 2,5% de carbone sous une autre forme que SiC, -moins de 1% d'oxygène(O), -moins de 0,5% d'aluminium(Al), -moins de 0,5% des éléments Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb et Lu, -moins de 0,5% d'éléments alcalins, -moins de 0,5% d'alcalino-terreux, -entre 0,1 et 1,5% d'azote (N), -les autres éléments formant le complément à 100%, dont les grains dudit matériau ont un diamètre équivalent médian compris entre 0,5 et 5 micromètres, le rapport massique de SiC alpha (α) / SiC beta (β) est inférieur à 0,1 et la porosité totale représente moins de 15% en pourcentage volumique dudit matériau.
MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
Disclosed is a polycrystalline sintered ceramic material of very low electrical resistivity comprising by mass: - more than 95% silicon carbide (SiC), - less than 1.5% silicon in another form than SiC, - less than 2.5% carbon in another form than SiC, - less than 1% oxygen (O), - less than 0.5% aluminium (Al), - less than 0.5% of the elements Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu, - less than 0.5% alkali elements, - less than 0.5% alkaline earths, - between 0.1 and 1.5% nitrogen (N), - the other elements forming the complement to 100%, wherein the grains of the above material have a median equivalent diameter of between 0.5 and 5 micrometres, the mass ratio of SiC alpha (α))/SiC Beta (β) is less than 0.1, and the total porosity represents less than 15% by volume of said material.
Matériau céramique fritté polycristallin de très faible résistivité électrique comprenant en masse : -plus de 95% de carbure de Silicium (SiC), -moins de 1,5% de silicium sous une autre forme que SiC -moins de 2,5% de carbone sous une autre forme que SiC, -moins de 1% d'oxygène(O), -moins de 0,5% d'aluminium(Al), -moins de 0,5% des éléments Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb et Lu, -moins de 0,5% d'éléments alcalins, -moins de 0,5% d'alcalino-terreux, -entre 0,1 et 1,5% d'azote (N), -les autres éléments formant le complément à 100%, dont les grains dudit matériau ont un diamètre équivalent médian compris entre 0,5 et 5 micromètres, le rapport massique de SiC alpha (α) / SiC beta (β) est inférieur à 0,1 et la porosité totale représente moins de 15% en pourcentage volumique dudit matériau.
MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
DENSE SINTERED MATERIAL OF SILICON CARBIDE WITH VERY LOW ELECTRICAL RESISTIVITY
MASSASSO GIOVANNI (author) / BOUSQUET COSTANA (author)
2022-11-03
Patent
Electronic Resource
French
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
| European Patent Office | 2024
MATERIAU FRITTE DENSE DE CARBURE DE SILICIUM A TRES FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
| European Patent Office | 2023
BLOC REFRACTAIRE FRITTE A BASE DE CARBURE DE SILICIUM A LIAISON NITRURE DE SILICIUM
| European Patent Office | 2019
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
| European Patent Office | 2022
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAU DE SIC FRITTE TRES PUR ET DENSE
| European Patent Office | 2023