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PLASMA-RESISTANT COATING OF POROUS BODY BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
PROBLEM TO BE SOLVED: To improve corrosion resistance and erosion resistance in a semiconductor-processing chamber component by plasma.SOLUTION: This invention relates to a plasma-resistant coating which is deposited onto a surface of a porous body and onto pore walls of a plurality of pores within the porous body using an atomic layer deposition (ALD) process. The plasma resistant coating has a thickness of about 5 nm to about 3 μm, and protects the pore walls from erosion. The porous body with the plasma-resistant coating remains permeable to the gas.SELECTED DRAWING: Figure 2A
【課題】半導体処理チャンバコンポーネントのプラズマによる耐腐食性、耐浸食性を改善する。【解決手段】耐プラズマ性コーティングが、原子層堆積(ALD)プロセスを使用した、多孔質体の表面上及び多孔質体内の複数の細孔の細孔壁上の耐プラズマ性コーティングであって、耐プラズマ性コーティングは、約5nm〜約3μmの厚さを有し、耐プラズマ性コーティングは、細孔壁を浸食から保護し、耐プラズマ性コーティングを有する多孔質体は、ガスを透過可能のままである。【選択図】図2A
PLASMA-RESISTANT COATING OF POROUS BODY BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
PROBLEM TO BE SOLVED: To improve corrosion resistance and erosion resistance in a semiconductor-processing chamber component by plasma.SOLUTION: This invention relates to a plasma-resistant coating which is deposited onto a surface of a porous body and onto pore walls of a plurality of pores within the porous body using an atomic layer deposition (ALD) process. The plasma resistant coating has a thickness of about 5 nm to about 3 μm, and protects the pore walls from erosion. The porous body with the plasma-resistant coating remains permeable to the gas.SELECTED DRAWING: Figure 2A
【課題】半導体処理チャンバコンポーネントのプラズマによる耐腐食性、耐浸食性を改善する。【解決手段】耐プラズマ性コーティングが、原子層堆積(ALD)プロセスを使用した、多孔質体の表面上及び多孔質体内の複数の細孔の細孔壁上の耐プラズマ性コーティングであって、耐プラズマ性コーティングは、約5nm〜約3μmの厚さを有し、耐プラズマ性コーティングは、細孔壁を浸食から保護し、耐プラズマ性コーティングを有する多孔質体は、ガスを透過可能のままである。【選択図】図2A
PLASMA-RESISTANT COATING OF POROUS BODY BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
原子層堆積による多孔質体の耐プラズマ性コーティング
VAHID FIROUZDOR (author) / SUMANTH BANDA (author) / RAJINDER DHINDSA (author) / DANIEL BYUN (author) / DANA MARIE LOVELL (author)
2018-10-18
Patent
Electronic Resource
Japanese
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