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SPUTTERING TARGET MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM
To provide a sputtering target material capable of suppressing generation of particles.SOLUTION: A sputtering target material is expressed as Sr1-xLaxSnO3 (x shows a number of 0.0010 or larger and 0.10 or lower), and comprises an oxide having a perovskite structure. A bulk density is 6.00 g/cm3 or more and 6.50 g/cm3 or less. Preferably, a volume resistivity at a room temperature is 40.0 Ω-cm or less. Further preferably, the volume resistivity is lowered following temperature rise.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】パーティクルの発生が抑制されたスパッタリングターゲット材を提供すること。【解決手段】スパッタリングターゲット材は、Sr1−xLaxSnO3(xは0.0010以上0.10以下の数を表す。)で表され、ペロブスカイト構造を有する酸化物からなる。嵩密度が6.00g/cm3以上6.50g/cm3以下である。室温における体積抵抗が40.0Ω・cm以下であることが好適である。温度上昇に伴って体積抵抗が低下することも好適である。【選択図】図1
SPUTTERING TARGET MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM
To provide a sputtering target material capable of suppressing generation of particles.SOLUTION: A sputtering target material is expressed as Sr1-xLaxSnO3 (x shows a number of 0.0010 or larger and 0.10 or lower), and comprises an oxide having a perovskite structure. A bulk density is 6.00 g/cm3 or more and 6.50 g/cm3 or less. Preferably, a volume resistivity at a room temperature is 40.0 Ω-cm or less. Further preferably, the volume resistivity is lowered following temperature rise.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】パーティクルの発生が抑制されたスパッタリングターゲット材を提供すること。【解決手段】スパッタリングターゲット材は、Sr1−xLaxSnO3(xは0.0010以上0.10以下の数を表す。)で表され、ペロブスカイト構造を有する酸化物からなる。嵩密度が6.00g/cm3以上6.50g/cm3以下である。室温における体積抵抗が40.0Ω・cm以下であることが好適である。温度上昇に伴って体積抵抗が低下することも好適である。【選択図】図1
SPUTTERING TARGET MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM
スパッタリングターゲット材及びその製造方法並びに薄膜
YOSHIDA KAZUMA (author)
2020-09-24
Patent
Electronic Resource
Japanese
Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film
European Patent Office | 2021
|SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR FORMING THIN FILM
European Patent Office | 2024
|SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR FORMING THIN FILM
European Patent Office | 2021
|SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR FORMING THIN FILM
European Patent Office | 2019
|SPUTTERING TARGET METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR FORMING THIN FILM
European Patent Office | 2019
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