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SPUTTERING TARGET MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM
To provide a sputtering target material capable of suppressing generation of particles.SOLUTION: A sputtering target material is expressed as Sr1-xLaxSnO3 (x shows a number of 0.0010 or larger and 0.10 or lower), and comprises an oxide having a perovskite structure. A bulk density is 6.00 g/cm3 or more and 6.50 g/cm3 or less. Preferably, a volume resistivity at a room temperature is 40.0 Ω-cm or less. Further preferably, the volume resistivity is lowered following temperature rise.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】パーティクルの発生が抑制されたスパッタリングターゲット材を提供すること。【解決手段】スパッタリングターゲット材は、Ｓｒ１−ｘＬａｘＳｎＯ３（ｘは０．００１０以上０．１０以下の数を表す。）で表され、ペロブスカイト構造を有する酸化物からなる。嵩密度が６．００ｇ／ｃｍ３以上６．５０ｇ／ｃｍ３以下である。室温における体積抵抗が４０．０Ω・ｃｍ以下であることが好適である。温度上昇に伴って体積抵抗が低下することも好適である。【選択図】図１
SPUTTERING TARGET MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM
To provide a sputtering target material capable of suppressing generation of particles.SOLUTION: A sputtering target material is expressed as Sr1-xLaxSnO3 (x shows a number of 0.0010 or larger and 0.10 or lower), and comprises an oxide having a perovskite structure. A bulk density is 6.00 g/cm3 or more and 6.50 g/cm3 or less. Preferably, a volume resistivity at a room temperature is 40.0 Ω-cm or less. Further preferably, the volume resistivity is lowered following temperature rise.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】パーティクルの発生が抑制されたスパッタリングターゲット材を提供すること。【解決手段】スパッタリングターゲット材は、Ｓｒ１−ｘＬａｘＳｎＯ３（ｘは０．００１０以上０．１０以下の数を表す。）で表され、ペロブスカイト構造を有する酸化物からなる。嵩密度が６．００ｇ／ｃｍ３以上６．５０ｇ／ｃｍ３以下である。室温における体積抵抗が４０．０Ω・ｃｍ以下であることが好適である。温度上昇に伴って体積抵抗が低下することも好適である。【選択図】図１
SPUTTERING TARGET MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM
スパッタリングターゲット材及びその製造方法並びに薄膜
YOSHIDA KAZUMA (Autor:in)
24.09.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
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