A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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TUNGSTEN OXIDE SPUTTERING TARGET
To provide a tungsten oxide sputtering target that can suppress generation of abnormal discharge even when sputter proceeds, and can perform sputter deposition stably for a long term.SOLUTION: A peak of W18O49 is confirmed by X-ray diffraction analysis on a sputtering surface and a cross section orthogonal to the sputtering surface, a ratio IS(103)/IS(010) of a diffraction intensity IS(103) of a (103) surface of W18O49 at the sputtering surface to a diffraction intensity IS(010) of a (010) surface is 0.38 or less, a ratio IC(103)/IC(010) of a diffraction intensity IC(103) of the (103) surface of W18O49 at the cross section to a diffraction intensity IC(010) of the (010) surface is 0.55 or more, and an area ratio of a W18O49 phase at a surface parallel to the sputtering surface is 37% or more.SELECTED DRAWING: None
【課題】スパッタが進行しても異常放電の発生を抑制でき、長期間安定してスパッタ成膜を行うことが可能な酸化タングステンスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】スパッタ面及び前記スパッタ面に直交する断面におけるＸ線回折分析により、Ｗ１８Ｏ４９のピークが確認されるとともに、前記スパッタ面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＳ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＳ（０１０）との比ＩＳ（１０３）／ＩＳ（０１０）が０．３８以下とされ、前記断面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＣ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＣ（０１０）との比ＩＣ（１０３）／ＩＣ（０１０）が０．５５以上とされており、スパッタ面に平行な面におけるＷ１８Ｏ４９相の面積率が３７％以上とされていることを特徴とする。【選択図】なし
TUNGSTEN OXIDE SPUTTERING TARGET
To provide a tungsten oxide sputtering target that can suppress generation of abnormal discharge even when sputter proceeds, and can perform sputter deposition stably for a long term.SOLUTION: A peak of W18O49 is confirmed by X-ray diffraction analysis on a sputtering surface and a cross section orthogonal to the sputtering surface, a ratio IS(103)/IS(010) of a diffraction intensity IS(103) of a (103) surface of W18O49 at the sputtering surface to a diffraction intensity IS(010) of a (010) surface is 0.38 or less, a ratio IC(103)/IC(010) of a diffraction intensity IC(103) of the (103) surface of W18O49 at the cross section to a diffraction intensity IC(010) of the (010) surface is 0.55 or more, and an area ratio of a W18O49 phase at a surface parallel to the sputtering surface is 37% or more.SELECTED DRAWING: None
【課題】スパッタが進行しても異常放電の発生を抑制でき、長期間安定してスパッタ成膜を行うことが可能な酸化タングステンスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】スパッタ面及び前記スパッタ面に直交する断面におけるＸ線回折分析により、Ｗ１８Ｏ４９のピークが確認されるとともに、前記スパッタ面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＳ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＳ（０１０）との比ＩＳ（１０３）／ＩＳ（０１０）が０．３８以下とされ、前記断面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＣ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＣ（０１０）との比ＩＣ（１０３）／ＩＣ（０１０）が０．５５以上とされており、スパッタ面に平行な面におけるＷ１８Ｏ４９相の面積率が３７％以上とされていることを特徴とする。【選択図】なし
TUNGSTEN OXIDE SPUTTERING TARGET
酸化タングステンスパッタリングターゲット
YAMAGUCHI TAKESHI (author) / IO KENSUKE (author) / KAWAMURA SHIORI (author) / UMEMOTO KEITA (author)
2020-09-24
Patent
Electronic Resource
Japanese