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TUNGSTEN OXIDE SPUTTERING TARGET
This tungsten oxide sputtering target is characterized in that a peak of W18O49 is identified by X-ray diffraction analysis on a sputter surface and a cross section perpendicular to the sputter surface, wherein IS(103)/IS(010), which is the ratio of diffraction intensity IS(103) of (103) plane to diffraction intensity IS(010) of (010) plane for W18O49 on the sputter surface, is 0.38 or less, IC(103)/IC(010), which is the ratio of diffraction intensity IC(103) of (103) plane to diffraction intensity IC(010) of (010) plane for W18O49 on the cross section is at least 0.55, and the area ratio of W18O49 phase on a surface parallel to the sputter surface is at least 37%.
L'invention concerne une cible de pulvérisation d'oxyde de tungstène caractérisée en ce qu'un pic de W18O49 est identifié par analyse de diffraction par rayons X sur une surface de pulvérisation et une section transversale perpendiculaire à la surface de pulvérisation, IS(103)/IS(010), qui est le rapport entre l'intensité de diffraction IS(103) du plan (103) et l'intensité de diffraction IS(010) du plan (010) pour W18O49 sur la surface de pulvérisation, étant inférieur ou égal à 0,38, IC(103)/IC(010), qui est le rapport entre l'intensité de diffraction IC(103) du plan (103) et l'intensité de diffraction IC(010) du plan (010) pour W18O49 sur la section transversale étant d'au moins 0,55, et le rapport de surface de la phase W18O49 sur une surface parallèle à la surface de pulvérisation étant d'au moins 37 %.
スパッタ面及び前記スパッタ面に直交する断面におけるＸ線回折分析により、Ｗ１８Ｏ４９のピークが確認されるとともに、前記スパッタ面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＳ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＳ（０１０）との比ＩＳ（１０３）／ＩＳ（０１０）が０．３８以下とされ、前記断面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＣ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＣ（０１０）との比ＩＣ（１０３）／ＩＣ（０１０）が０．５５以上とされており、スパッタ面に平行な面におけるＷ１８Ｏ４９相の面積率が３７％以上とされていることを特徴とする。
TUNGSTEN OXIDE SPUTTERING TARGET
This tungsten oxide sputtering target is characterized in that a peak of W18O49 is identified by X-ray diffraction analysis on a sputter surface and a cross section perpendicular to the sputter surface, wherein IS(103)/IS(010), which is the ratio of diffraction intensity IS(103) of (103) plane to diffraction intensity IS(010) of (010) plane for W18O49 on the sputter surface, is 0.38 or less, IC(103)/IC(010), which is the ratio of diffraction intensity IC(103) of (103) plane to diffraction intensity IC(010) of (010) plane for W18O49 on the cross section is at least 0.55, and the area ratio of W18O49 phase on a surface parallel to the sputter surface is at least 37%.
L'invention concerne une cible de pulvérisation d'oxyde de tungstène caractérisée en ce qu'un pic de W18O49 est identifié par analyse de diffraction par rayons X sur une surface de pulvérisation et une section transversale perpendiculaire à la surface de pulvérisation, IS(103)/IS(010), qui est le rapport entre l'intensité de diffraction IS(103) du plan (103) et l'intensité de diffraction IS(010) du plan (010) pour W18O49 sur la surface de pulvérisation, étant inférieur ou égal à 0,38, IC(103)/IC(010), qui est le rapport entre l'intensité de diffraction IC(103) du plan (103) et l'intensité de diffraction IC(010) du plan (010) pour W18O49 sur la section transversale étant d'au moins 0,55, et le rapport de surface de la phase W18O49 sur une surface parallèle à la surface de pulvérisation étant d'au moins 37 %.
スパッタ面及び前記スパッタ面に直交する断面におけるＸ線回折分析により、Ｗ１８Ｏ４９のピークが確認されるとともに、前記スパッタ面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＳ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＳ（０１０）との比ＩＳ（１０３）／ＩＳ（０１０）が０．３８以下とされ、前記断面におけるＷ１８Ｏ４９の（１０３）面の回折強度ＩＣ（１０３）と（０１０）面の回折強度ＩＣ（０１０）との比ＩＣ（１０３）／ＩＣ（０１０）が０．５５以上とされており、スパッタ面に平行な面におけるＷ１８Ｏ４９相の面積率が３７％以上とされていることを特徴とする。
TUNGSTEN OXIDE SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION D'OXYDE DE TUNGSTÈNE
酸化タングステンスパッタリングターゲット
YAMAGUCHI GO (author) / IO KENSUKE (author) / KAWAMURA SHIORI (author) / UMEMOTO KEITA (author)
2020-09-24
Patent
Electronic Resource
Japanese