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IGZO SINTERED BODY, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SPUTTERING TARGET
To provide an IGZO sintered body having high density and deflective strength and less breakage when used as a sputtering target, and a manufacturing method thereof.SOLUTION: Disclosed is an oxide sintered body involving In, Ga, and Zn, wherein the sintered body is characterized by having a homologous crystal structure represented by InGaZnO4 and having a carbon content in the sintered body of 0.005 wt.% or under, a crystal grain size of 5 μm or under, and a relative density of the sintered body of 98% or over.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】本発明の目的は、密度および抗折強度が高く、スパッタリングターゲットに使用された場合においても割れの少ないＩＧＺＯ焼結体、及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含有する酸化物焼結体であって、ＩｎＧａＺｎＯ４で表されるホモロガス結晶構造を有し、焼結体中の炭素量が０．００５ｗｔ％以下であり、結晶粒径が５μｍ以下、かつ焼結体の相対密度が９８％以上であることを特徴とする焼結体。【選択図】 図1
IGZO SINTERED BODY, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SPUTTERING TARGET
To provide an IGZO sintered body having high density and deflective strength and less breakage when used as a sputtering target, and a manufacturing method thereof.SOLUTION: Disclosed is an oxide sintered body involving In, Ga, and Zn, wherein the sintered body is characterized by having a homologous crystal structure represented by InGaZnO4 and having a carbon content in the sintered body of 0.005 wt.% or under, a crystal grain size of 5 μm or under, and a relative density of the sintered body of 98% or over.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】本発明の目的は、密度および抗折強度が高く、スパッタリングターゲットに使用された場合においても割れの少ないＩＧＺＯ焼結体、及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含有する酸化物焼結体であって、ＩｎＧａＺｎＯ４で表されるホモロガス結晶構造を有し、焼結体中の炭素量が０．００５ｗｔ％以下であり、結晶粒径が５μｍ以下、かつ焼結体の相対密度が９８％以上であることを特徴とする焼結体。【選択図】 図1
IGZO SINTERED BODY, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SPUTTERING TARGET
ＩＧＺＯ焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット
MESHIDA MASAMI (author)
2022-10-18
Patent
Electronic Resource
Japanese