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EPITAXIAL GROWTH SEED SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
To provide a seed substrate having less crystal defects, high quality and low cost and for epitaxially and purely growing an III group nitride, such as AlN, AlxGa1-xN (0<111>single crystal having an oxidation induced stacking fault (OSF) of 10 pieces/cm2 or less to a thin film.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】結晶欠陥が少なく高品質で安価なＡｌＮ、ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０＜Ｘ＜１）、ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物のエピおよび無垢のエピタキシャル成長用種基板を得ることおよびその製法に関する。【解決手段】エピタキシャル成長用種基板は、支持基板と、支持基板の上面に設けられる０．５～３μｍの平坦化層と、平坦化層の上面に設けられる種結晶層とを備える。支持基板は、ＩＩＩ族窒化物の多結晶セラミックスのコアと、そのコアの表面ボイドをＡｌまたはＳｉの酸化物、窒化物、オキシ窒化物、あるいはこれらの混合物により、埋設・平坦化した後に封止する０．０５～１．５μｍの封止層とを含む。種結晶層は、酸化誘起積層欠陥（Oxidation induced Stacking Fault：ＯＳＦ）が１０個／ｃｍ２以下のＳｉ＜１１１＞単結晶の表層０．１～１．５μｍを薄膜転写することにより設けられる。【選択図】図２
EPITAXIAL GROWTH SEED SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
To provide a seed substrate having less crystal defects, high quality and low cost and for epitaxially and purely growing an III group nitride, such as AlN, AlxGa1-xN (0<111>single crystal having an oxidation induced stacking fault (OSF) of 10 pieces/cm2 or less to a thin film.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】結晶欠陥が少なく高品質で安価なＡｌＮ、ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０＜Ｘ＜１）、ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物のエピおよび無垢のエピタキシャル成長用種基板を得ることおよびその製法に関する。【解決手段】エピタキシャル成長用種基板は、支持基板と、支持基板の上面に設けられる０．５～３μｍの平坦化層と、平坦化層の上面に設けられる種結晶層とを備える。支持基板は、ＩＩＩ族窒化物の多結晶セラミックスのコアと、そのコアの表面ボイドをＡｌまたはＳｉの酸化物、窒化物、オキシ窒化物、あるいはこれらの混合物により、埋設・平坦化した後に封止する０．０５～１．５μｍの封止層とを含む。種結晶層は、酸化誘起積層欠陥（Oxidation induced Stacking Fault：ＯＳＦ）が１０個／ｃｍ２以下のＳｉ＜１１１＞単結晶の表層０．１～１．５μｍを薄膜転写することにより設けられる。【選択図】図２
EPITAXIAL GROWTH SEED SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
エピタキシャル成長用種基板およびその製造方法、ならびに半導体基板およびその製造方法
KUBOTA YOSHIHIRO (author) / KONISHI SHIGERU (author) / MOGI HIROSHI (author) / HIGUCHI KOICHI (author)
2023-05-12
Patent
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Japanese
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