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IGZO SPUTTERING TARGET
To provide IGZO sputtering target capable of improving uniformity for at least one characteristic selected from the number of micro cracks in tissue, the number of pores in sintered body structure, and surface roughness.SOLUTION: The present IGZO sputtering target is a sputtering target having an oxide sintered body comprising indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn) and inevitable impurities. On a surface of the oxide sintered body, ΔL* determined by subtracting brightness Lc* in a central part of the surface from brightness Le* at a position of 10 mm from the end of the surface to the central side satisfies ΔL*<3.0, and a relative density of the oxide sintered body is 97.0% or more.SELECTED DRAWING: None
【課題】本発明は、組織内微小クラック数、焼結体組織内空孔数、表面粗さから選択される少なくとも一つの特性について均一性を向上させることが可能なＩＧＺＯスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】本発明のＩＧＺＯスパッタリングターゲットは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体を有するスパッタリングターゲットであって、前記酸化物焼結体の表面において、当該表面の端部から中央側へ１０ｍｍの位置での明度Ｌｅ＊から、当該表面の中央部での明度Ｌｃ＊を減じたΔＬ＊が、ΔＬ＊＜３．０を満たし、前記酸化物焼結体の相対密度が９７．０％以上であることを特徴とする。【選択図】なし
IGZO SPUTTERING TARGET
To provide IGZO sputtering target capable of improving uniformity for at least one characteristic selected from the number of micro cracks in tissue, the number of pores in sintered body structure, and surface roughness.SOLUTION: The present IGZO sputtering target is a sputtering target having an oxide sintered body comprising indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn) and inevitable impurities. On a surface of the oxide sintered body, ΔL* determined by subtracting brightness Lc* in a central part of the surface from brightness Le* at a position of 10 mm from the end of the surface to the central side satisfies ΔL*<3.0, and a relative density of the oxide sintered body is 97.0% or more.SELECTED DRAWING: None
【課題】本発明は、組織内微小クラック数、焼結体組織内空孔数、表面粗さから選択される少なくとも一つの特性について均一性を向上させることが可能なＩＧＺＯスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】本発明のＩＧＺＯスパッタリングターゲットは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体を有するスパッタリングターゲットであって、前記酸化物焼結体の表面において、当該表面の端部から中央側へ１０ｍｍの位置での明度Ｌｅ＊から、当該表面の中央部での明度Ｌｃ＊を減じたΔＬ＊が、ΔＬ＊＜３．０を満たし、前記酸化物焼結体の相対密度が９７．０％以上であることを特徴とする。【選択図】なし
IGZO SPUTTERING TARGET
ＩＧＺＯスパッタリングターゲット
KUWANA YUHEI (author) / OSADA KOZO (author) / KAJIYAMA JUN (author) / MURAI KAZUTAKA (author)
2023-10-20
Patent
Electronic Resource
Japanese