A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SILICON NITRIDE-MELILITE COMPOUND SINTERED COMPACT AND DEVICE UTILIZING THE SAME
(과제) 평균 열팽창 계수(23∼150℃)가 2∼6ppm/K의 범위에서 임의로 조절 가능하고, 영률이 높고 또한 기계적 강도가 크고, 소결성이 뛰어난 질화규소ㆍ메릴라이트 복합 소결체 및 이것을 이용한 장치를 제공한다. (해결수단) 질화규소ㆍ메릴라이트 복합 소결체는 질화규소 및 메릴라이트(MeSi0N, Me는 메릴라이트를 형성하는 금속원소로서 La, Ce, Pr을 제외하는 주기율표 Ⅲa족 원소)를 함유하는 복합 소결체로서, Si를 SiN환산으로 41∼83㏖%, Me를 산화물 환산으로 13∼50㏖% 함유한다. 또, 장치는 반도체 검사용 장치로서, 상기한 바와 같은 질화규소ㆍ메릴라이트 복합 소결체를 이용하여 구성된다.
SILICON NITRIDE-MELILITE COMPOUND SINTERED COMPACT AND DEVICE UTILIZING THE SAME
(과제) 평균 열팽창 계수(23∼150℃)가 2∼6ppm/K의 범위에서 임의로 조절 가능하고, 영률이 높고 또한 기계적 강도가 크고, 소결성이 뛰어난 질화규소ㆍ메릴라이트 복합 소결체 및 이것을 이용한 장치를 제공한다. (해결수단) 질화규소ㆍ메릴라이트 복합 소결체는 질화규소 및 메릴라이트(MeSi0N, Me는 메릴라이트를 형성하는 금속원소로서 La, Ce, Pr을 제외하는 주기율표 Ⅲa족 원소)를 함유하는 복합 소결체로서, Si를 SiN환산으로 41∼83㏖%, Me를 산화물 환산으로 13∼50㏖% 함유한다. 또, 장치는 반도체 검사용 장치로서, 상기한 바와 같은 질화규소ㆍ메릴라이트 복합 소결체를 이용하여 구성된다.
SILICON NITRIDE-MELILITE COMPOUND SINTERED COMPACT AND DEVICE UTILIZING THE SAME
질화규소·메릴라이트 복합 소결체 및 이것을 이용한 장치
2015-10-21
Patent
Electronic Resource
Korean
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT AND BEARING USING THE SAME
| European Patent Office | 2021
| European Patent Office | 2024
SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT, HEATING DEVICE AND ADSORPTION DEVICE
| European Patent Office | 2015
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT
| European Patent Office | 2024