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SPUTTERING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT OXIDE FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
투명 산화물막을 직류 스퍼터링으로 성막할 수 있고, 이상 방전이 발생되거나 하는 경우가 없는 산화아연계의 투명 산화물막 형성용 스퍼터링 타깃을 제공한다. 본 투명 산화물막 형성용 스퍼터링 타깃은, 전체 금속 성분량에 대해서, Al 및 Ga 의 어느 1 종 또는 2 종 : 0.6 ∼ 8.0 at% 와, Si : 0.1 at% 이상을 Al 과 Ga 와 Si 의 합계로 33.0 at% 이하 함유하고, 잔부가 Zn 및 불가피 불순물로 이루어지는 조성의 소성체로서, 그 소성체 중에서 5 ㎛ 이하의 입경을 갖는 Zn 과 Si 의 복합 산화물이 존재하는 것을 특징으로 한다.
SPUTTERING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT OXIDE FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
투명 산화물막을 직류 스퍼터링으로 성막할 수 있고, 이상 방전이 발생되거나 하는 경우가 없는 산화아연계의 투명 산화물막 형성용 스퍼터링 타깃을 제공한다. 본 투명 산화물막 형성용 스퍼터링 타깃은, 전체 금속 성분량에 대해서, Al 및 Ga 의 어느 1 종 또는 2 종 : 0.6 ∼ 8.0 at% 와, Si : 0.1 at% 이상을 Al 과 Ga 와 Si 의 합계로 33.0 at% 이하 함유하고, 잔부가 Zn 및 불가피 불순물로 이루어지는 조성의 소성체로서, 그 소성체 중에서 5 ㎛ 이하의 입경을 갖는 Zn 과 Si 의 복합 산화물이 존재하는 것을 특징으로 한다.
SPUTTERING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT OXIDE FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
투명 산화물막 형성용 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
2019-06-19
Patent
Electronic Resource
Korean
Sputtering target for forming transparent oxide film and method for producing same
European Patent Office | 2015
|TRANSPARENT ELECTRODE FILM, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING SAME TRANSPARENT ELECTRODE FILM
European Patent Office | 2015
|European Patent Office | 2019
European Patent Office | 2016
|European Patent Office | 2019
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