A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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Method for manufacturing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder therefrom
기판 제조용 질화규소 분말 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 제조용 질화규소 분말 제조방법은 금속 실리콘 분말, 및 산화이트륨과 산화마그네슘을 포함 하는 결정상 제어 분말을 포함하는 혼합원료분말을 제조하는 단계, 상기 혼합원료분말에 유기바인더를 혼합하여 소정의 입경을 가지는 그래뉼을 제조하는 단계, 상기 그래뉼에 소정의 압력으로 질소가스를 가하면서 1200 ~ 1500℃ 범위 내 소정의 온도로 질화처리하는 단계, 및 질화처리된 그래뉼을 분쇄시키는 단계를 포함한다. 이에 의하면, 목적하는 수준으로 α결정상을 가지도록 분말을 구현하기 용이하고, 이를 통해서 기판으로 구현 시 치밀한 밀도를 갖는 기판을 제조할 수 있다. 또한, 이를 이용해 소결된 기판의 입계 내 균일하게 2차상을 형성시킬 수 있음에 따라서 제조된 기판의 열전도도를 더욱 개선시킬 수 있다. 더불어 본 발명에 따른 질화규소 분말의 경우 불순물의 함량이 적거나 없고, 특히 용출된 유리규소가 포함되지 않음에 따라서 열전도도 및 기계적 강도가 우수한 기판의 제조에 적합하다.
Provided is a method for preparing silicon nitride powder for manufacturing a substrate. The method for preparing silicon nitride powder for manufacturing a substrate, according to an embodiment of the present invention, comprises the steps of: preparing mixed raw material powder comprising metallic silicon powder and crystalline phase control powder; preparing the mixed raw material powder into granules having a predetermined particle size; nitrifying the granules at a predetermined temperature ranging from 1,200-1,500°C while nitrogen gas is applied to the granules at a predetermined pressure; and pulverizing the nitrified granules. According to the method, it is easy to realize powder having an α crystal phase at a desired level, and when this is realized as a substrate, a substrate having compact density can be manufactured.
Method for manufacturing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder therefrom
기판 제조용 질화규소 분말 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 제조용 질화규소 분말 제조방법은 금속 실리콘 분말, 및 산화이트륨과 산화마그네슘을 포함 하는 결정상 제어 분말을 포함하는 혼합원료분말을 제조하는 단계, 상기 혼합원료분말에 유기바인더를 혼합하여 소정의 입경을 가지는 그래뉼을 제조하는 단계, 상기 그래뉼에 소정의 압력으로 질소가스를 가하면서 1200 ~ 1500℃ 범위 내 소정의 온도로 질화처리하는 단계, 및 질화처리된 그래뉼을 분쇄시키는 단계를 포함한다. 이에 의하면, 목적하는 수준으로 α결정상을 가지도록 분말을 구현하기 용이하고, 이를 통해서 기판으로 구현 시 치밀한 밀도를 갖는 기판을 제조할 수 있다. 또한, 이를 이용해 소결된 기판의 입계 내 균일하게 2차상을 형성시킬 수 있음에 따라서 제조된 기판의 열전도도를 더욱 개선시킬 수 있다. 더불어 본 발명에 따른 질화규소 분말의 경우 불순물의 함량이 적거나 없고, 특히 용출된 유리규소가 포함되지 않음에 따라서 열전도도 및 기계적 강도가 우수한 기판의 제조에 적합하다.
Provided is a method for preparing silicon nitride powder for manufacturing a substrate. The method for preparing silicon nitride powder for manufacturing a substrate, according to an embodiment of the present invention, comprises the steps of: preparing mixed raw material powder comprising metallic silicon powder and crystalline phase control powder; preparing the mixed raw material powder into granules having a predetermined particle size; nitrifying the granules at a predetermined temperature ranging from 1,200-1,500°C while nitrogen gas is applied to the granules at a predetermined pressure; and pulverizing the nitrified granules. According to the method, it is easy to realize powder having an α crystal phase at a desired level, and when this is realized as a substrate, a substrate having compact density can be manufactured.
Method for manufacturing silicon nitride powder for manufacturing substrate and silicon nitride powder therefrom
기판 제조용 질화규소 분말 제조방법 및 이를 통해 제조된 질화규소 분말
2024-09-06
Patent
Electronic Resource
Korean
| European Patent Office | 2022
Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate therefrom
European Patent Office | 2024
Method for manufacturing silicon nitride substrate and silicon nitride substrate therefrom
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2024