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METHOD FOR PRODUCING A POWDERY PRECURSOR MATERIAL, POWDERY PRECURSOR MATERIAL AND USE THEREOF
본 발명은 다음의 일반적인 화학적 조성 Ⅰ 또는 Ⅱ 또는 Ⅲ 또는 Ⅳ: Ⅰ: (CaSr)AlSiN: X1, Ⅱ: (CaSrLi)AlSi(NF): X2, Ⅲ: ZAlSiN: X3, Ⅳ: (ZLi)AlSi(NF): X4의 분말형 전구체 재료의 제조 방법과 관련이 있고, 상기 제조 방법은 A) 추출물(educt)들로 이루어진 분말형 혼합물을 제조하는 단계로서, 이 경우 상기 추출물들은 전술된 화학적 조성들 Ⅰ 및/또는 Ⅱ 및/또는 Ⅲ 및/또는 Ⅳ의 이온들을 포함하는 단계, B) 보호 기체 분위기(protective gas atmosphere)하에 상기 혼합물을 어닐링(annealing) 하는 단계, 그리고 후속하는 분쇄 단계를 포함하며, 이 경우 상기 방법 단계 A)에서 추출물로서 5㎡/g보다 크거나 같고 100㎡/g보다 작거나 같은 특수 표면적을 구비한 적어도 하나의 질화규소가 선택되고, 이때 상기 방법 단계 B)의 어닐링 공정은 1550℃보다 낮거나 같은 온도로 실시된다.
A method can be used for producing a powdery precursor material of the following general composition I or II or III or IV: I: (CaySr1−y) AlSiN3:X1 II:(CabSraLi1−a−b) AISi (N1−cFc)3:X2 III: Z5−δAl4−2δSi8+2δN18: X3 IV: (Zi−dLid)5−δAl4−2δSi8+2δ(N1−XFX)18: X4. The method includes A) producing a powdery mixture of starting materials, wherein the starting materials comprise ions of the aforementioned compositions I and/or II and/or III and/or IV, B) annealing the mixture under a protective gas atmosphere, subsequent milling. In method step A), at least one silicon nitride having a specific area of greater than or equal to 5 m2/g and smaller than or equal to 100 m2/g is selected as starting material. The annealing in method step B) is carried out at a temperature of less than or equal to 1550° C.
METHOD FOR PRODUCING A POWDERY PRECURSOR MATERIAL, POWDERY PRECURSOR MATERIAL AND USE THEREOF
본 발명은 다음의 일반적인 화학적 조성 Ⅰ 또는 Ⅱ 또는 Ⅲ 또는 Ⅳ: Ⅰ: (CaSr)AlSiN: X1, Ⅱ: (CaSrLi)AlSi(NF): X2, Ⅲ: ZAlSiN: X3, Ⅳ: (ZLi)AlSi(NF): X4의 분말형 전구체 재료의 제조 방법과 관련이 있고, 상기 제조 방법은 A) 추출물(educt)들로 이루어진 분말형 혼합물을 제조하는 단계로서, 이 경우 상기 추출물들은 전술된 화학적 조성들 Ⅰ 및/또는 Ⅱ 및/또는 Ⅲ 및/또는 Ⅳ의 이온들을 포함하는 단계, B) 보호 기체 분위기(protective gas atmosphere)하에 상기 혼합물을 어닐링(annealing) 하는 단계, 그리고 후속하는 분쇄 단계를 포함하며, 이 경우 상기 방법 단계 A)에서 추출물로서 5㎡/g보다 크거나 같고 100㎡/g보다 작거나 같은 특수 표면적을 구비한 적어도 하나의 질화규소가 선택되고, 이때 상기 방법 단계 B)의 어닐링 공정은 1550℃보다 낮거나 같은 온도로 실시된다.
A method can be used for producing a powdery precursor material of the following general composition I or II or III or IV: I: (CaySr1−y) AlSiN3:X1 II:(CabSraLi1−a−b) AISi (N1−cFc)3:X2 III: Z5−δAl4−2δSi8+2δN18: X3 IV: (Zi−dLid)5−δAl4−2δSi8+2δ(N1−XFX)18: X4. The method includes A) producing a powdery mixture of starting materials, wherein the starting materials comprise ions of the aforementioned compositions I and/or II and/or III and/or IV, B) annealing the mixture under a protective gas atmosphere, subsequent milling. In method step A), at least one silicon nitride having a specific area of greater than or equal to 5 m2/g and smaller than or equal to 100 m2/g is selected as starting material. The annealing in method step B) is carried out at a temperature of less than or equal to 1550° C.
METHOD FOR PRODUCING A POWDERY PRECURSOR MATERIAL, POWDERY PRECURSOR MATERIAL AND USE THEREOF
분말형 전구체 재료의 제조 방법, 분말형 전구체 재료 및 분말형 전구체 재료의 용도
POHL KLEIN BIANCA (author) / KECHELE JULIANE (author)
2016-02-02
Patent
Electronic Resource
Korean
European Patent Office | 2016
|European Patent Office | 2016
|European Patent Office | 2021
Method for producing a powdery precursor material, powdery precursor material and use thereof
European Patent Office | 2016
|Method for producing a powdery precursor material, powdery precursor material and use thereof
European Patent Office | 2017
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