A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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Method for preparing silicon nitride sintered body silicon nitride sintered body and heat radiation substrate using the same
Provided are a method for manufacturing a silicon nitride sintered body, the silicon nitride sintered body and a heat radiation substrate using the same. The method for manufacturing a silicon nitride sintered body includes a step (S1) of preparing silicon nitride powder of which oxygen content is 1.5 mass% or less and a step (S2) of charging the silicon nitride powder in a sintering mold, and sintering the silicon nitride powder by continuously applying a pulse type direct current of 1-10 V and 500-40,000 A to a particle gap of raw material powder while pressurizing the powder with 70 MPa or higher.
열전도율이 높은 질화규소 소결체의 제조 방법 및 그 질화규소 소결체, 및 질화규소 소결체를 구비한 방열 기판을 제공한다. (S1) 산소 함유량이 1.5 질량% 이하인 질화규소 분말을 준비하고, (S2) 상기 질화규소 분말을 소결형(燒結型)에 충전하고, 70 ㎫ 이상으로 가압하면서, 원료 분말의 입자 간극에 전압 1V 이상 10V 미만, 출력 전류 500A 이상 40,000A 이하의 펄스상 직류 전류를 연속 인가해 상기 질화규소 분말을 소결하는 것을 포함하는 질화규소 소결체의 제조 방법에 의해 실현될 수 있다.
Method for preparing silicon nitride sintered body silicon nitride sintered body and heat radiation substrate using the same
Provided are a method for manufacturing a silicon nitride sintered body, the silicon nitride sintered body and a heat radiation substrate using the same. The method for manufacturing a silicon nitride sintered body includes a step (S1) of preparing silicon nitride powder of which oxygen content is 1.5 mass% or less and a step (S2) of charging the silicon nitride powder in a sintering mold, and sintering the silicon nitride powder by continuously applying a pulse type direct current of 1-10 V and 500-40,000 A to a particle gap of raw material powder while pressurizing the powder with 70 MPa or higher.
열전도율이 높은 질화규소 소결체의 제조 방법 및 그 질화규소 소결체, 및 질화규소 소결체를 구비한 방열 기판을 제공한다. (S1) 산소 함유량이 1.5 질량% 이하인 질화규소 분말을 준비하고, (S2) 상기 질화규소 분말을 소결형(燒結型)에 충전하고, 70 ㎫ 이상으로 가압하면서, 원료 분말의 입자 간극에 전압 1V 이상 10V 미만, 출력 전류 500A 이상 40,000A 이하의 펄스상 직류 전류를 연속 인가해 상기 질화규소 분말을 소결하는 것을 포함하는 질화규소 소결체의 제조 방법에 의해 실현될 수 있다.
Method for preparing silicon nitride sintered body silicon nitride sintered body and heat radiation substrate using the same
질화규소 소결체의 제조 방법, 질화규소 소결체 및 이를 이용한 방열 기판
NARIMATSU EIICHIRO (author) / KINOSHITA YOSHIHIRO (author) / KO JUNG MIN (author)
2019-01-04
Patent
Electronic Resource
Korean
European Patent Office | 2020
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