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Multilayer Electronic Component and Method for Manufacturing Multilayer Electronic Component
Provided is a multilayer electronic component, which includes a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of internal electrode layers, wherein the plurality of dielectric layers have a plurality of crystal grains including a perovskite-type compound containing Ba, a first rare earth element and a second rare earth element. A difference between a positive trivalent ion radius of the first rare earth element and a positive divalent ion radius of Ba is smaller than a difference between a positive trivalent ion radius of the second rare earth element and the positive divalent ion radius of Ba. At least some of the plurality of crystal grains have a first region placed along a grain boundary of the crystal grains and a second region placed in the center of the crystal grains. The sum of the amount of the first rare earth element and the second rare earth element in the first region is larger than the sum of the amount of the first rare earth element and the second rare earth element in the second region.
적층된 복수개의 유전체층과 복수개의 내부 전극층을 포함하는 적층체를 포함하고, 복수개의 유전체층은 Ba, 제1 및 제2 희토류 원소를 포함하여 구성되는 페로브스카이트형 화합물을 포함하는 복수개의 결정립을 가지며, 제1 희토류 원소의 양 3가의 이온 반경과 Ba의 양 2가의 이온 반경의 차는 제2 희토류 원소의 양 3가의 이온 반경과 Ba의 양 2가의 이온 반경의 차에 비해 작고, 복수개의 결정립 중 적어도 일부는 결정립의 입계를 따라 위치하는 제1 영역과 결정립의 중앙부에 위치하는 제2 영역을 가지고 있으며, 제1 영역에서의 제1 희토류 원소의 양과 제2 희토류 원소의 양의 합은 제2 영역에서의 제1 희토류 원소의 양과 제2 희토류 원소의 양의 합보다도 많은 적층형 전자부품이 제공된다.
Multilayer Electronic Component and Method for Manufacturing Multilayer Electronic Component
Provided is a multilayer electronic component, which includes a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of internal electrode layers, wherein the plurality of dielectric layers have a plurality of crystal grains including a perovskite-type compound containing Ba, a first rare earth element and a second rare earth element. A difference between a positive trivalent ion radius of the first rare earth element and a positive divalent ion radius of Ba is smaller than a difference between a positive trivalent ion radius of the second rare earth element and the positive divalent ion radius of Ba. At least some of the plurality of crystal grains have a first region placed along a grain boundary of the crystal grains and a second region placed in the center of the crystal grains. The sum of the amount of the first rare earth element and the second rare earth element in the first region is larger than the sum of the amount of the first rare earth element and the second rare earth element in the second region.
적층된 복수개의 유전체층과 복수개의 내부 전극층을 포함하는 적층체를 포함하고, 복수개의 유전체층은 Ba, 제1 및 제2 희토류 원소를 포함하여 구성되는 페로브스카이트형 화합물을 포함하는 복수개의 결정립을 가지며, 제1 희토류 원소의 양 3가의 이온 반경과 Ba의 양 2가의 이온 반경의 차는 제2 희토류 원소의 양 3가의 이온 반경과 Ba의 양 2가의 이온 반경의 차에 비해 작고, 복수개의 결정립 중 적어도 일부는 결정립의 입계를 따라 위치하는 제1 영역과 결정립의 중앙부에 위치하는 제2 영역을 가지고 있으며, 제1 영역에서의 제1 희토류 원소의 양과 제2 희토류 원소의 양의 합은 제2 영역에서의 제1 희토류 원소의 양과 제2 희토류 원소의 양의 합보다도 많은 적층형 전자부품이 제공된다.
Multilayer Electronic Component and Method for Manufacturing Multilayer Electronic Component
적층형 전자부품 및 적층형 전자부품의 제조 방법
HASHIMOTO HIDEYUKI (author)
2021-01-06
Patent
Electronic Resource
Korean
MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT
European Patent Office | 2021
|Multilayer Electronic Component and Method for Manufacturing Multilayer Electronic Component
European Patent Office | 2022
MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT
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