A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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Heat shield device for low oxygen single crystal growth of single crystal ingot growth device
The present invention relates to a heat shielding device for growing a low-oxygen single crystal in a single crystal ingot growth apparatus. According to the present invention, the heat shielding device comprises: a crucible containing silicon melt; a graphite crucible surrounding the crucible; a heat shielding unit surrounding the lower perimeter in the center of the graphite crucible and installed to be spaced apart from the graphite crucible by a predetermined distance; and a connection unit connecting the heat shielding unit and the graphite crucible. Accordingly, since the temperature of the bottom of the crucible is lowered during crystal growth by the thermal shielding device and a thermal shielding coating to reduce the concentration of oxygen flowing into crystals, a bulk micro defect (BMD) concentration in semiconductor devices is reduced by high-quality and low-oxygen single crystal growth, thereby contributing to increase yield.
본 발명은 단결정 잉곳 성장장치의 저산소 단결정 성장을 위한 열차폐 장치에 관한 것으로, 실리콘 융액이 담기는 도가니; 상기 도가니를 감싸는 흑연 도가니; 상기 흑연도가니의 중앙에서 하부 둘레를 감사며, 상기 흑연 도가니와 소정거리 이격되어 설치되는 열차폐부; 상기 열차폐부와 상기 흑연 도가니를 연결하는 연결부를 포함한다. 이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 열차폐 장치와 제2 실시예에 따른 열차폐 코팅을 통해 결정성장시의 도가니 바닥의 온도를 낮추어 결정으로 유입되는 산소농도를 줄여 고 품질 수준의 저산소 단결정 성장을 통하여, 반도체 Device에서의 BMD 농도를 줄임으로써 수율을 향상하는데 기여할 수 있다.
Heat shield device for low oxygen single crystal growth of single crystal ingot growth device
The present invention relates to a heat shielding device for growing a low-oxygen single crystal in a single crystal ingot growth apparatus. According to the present invention, the heat shielding device comprises: a crucible containing silicon melt; a graphite crucible surrounding the crucible; a heat shielding unit surrounding the lower perimeter in the center of the graphite crucible and installed to be spaced apart from the graphite crucible by a predetermined distance; and a connection unit connecting the heat shielding unit and the graphite crucible. Accordingly, since the temperature of the bottom of the crucible is lowered during crystal growth by the thermal shielding device and a thermal shielding coating to reduce the concentration of oxygen flowing into crystals, a bulk micro defect (BMD) concentration in semiconductor devices is reduced by high-quality and low-oxygen single crystal growth, thereby contributing to increase yield.
본 발명은 단결정 잉곳 성장장치의 저산소 단결정 성장을 위한 열차폐 장치에 관한 것으로, 실리콘 융액이 담기는 도가니; 상기 도가니를 감싸는 흑연 도가니; 상기 흑연도가니의 중앙에서 하부 둘레를 감사며, 상기 흑연 도가니와 소정거리 이격되어 설치되는 열차폐부; 상기 열차폐부와 상기 흑연 도가니를 연결하는 연결부를 포함한다. 이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 열차폐 장치와 제2 실시예에 따른 열차폐 코팅을 통해 결정성장시의 도가니 바닥의 온도를 낮추어 결정으로 유입되는 산소농도를 줄여 고 품질 수준의 저산소 단결정 성장을 통하여, 반도체 Device에서의 BMD 농도를 줄임으로써 수율을 향상하는데 기여할 수 있다.
Heat shield device for low oxygen single crystal growth of single crystal ingot growth device
단결정 잉곳 성장장치의 저산소 단결정 성장을 위한 열차폐 장치
2021-11-25
Patent
Electronic Resource
Korean
Heat shield device for low oxygen single crystal growth of single crystal ingot growth device
European Patent Office | 2022
METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT AND PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT
| European Patent Office | 2020
Method for producing piezoelectric single crystal ingot and piezoelectric single crystal ingot
| European Patent Office | 2021
Optimization of heat shield for single silicon crystal growth by using numerical simulation
| British Library Online Contents | 2012