A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SILICON NITRIDE SUBSTRATE EVALUATION METHOD EVALUATION DEVICE EVALUATION SYSTEM FOR SILICON NITRIDE SUBSTRATE SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD
An objective of the present invention is to provide a silicon nitride substrate, wherein the non-uniformity of colors hardly occurs, and an evaluation method, evaluation device, and evaluation system for a silicon nitride substrate. The silicon nitride substrate has a first surface and a second surface opposite to the first surface. For a measurement surface, which is one surface of the first surface or the second surface, an average half-band width C_ave measured by the following measurement method is greater than 0 cm^-1 and smaller than 5.32 cm^-1. The measurement method of the average half-band width C_ave comprises setting one point on a central part and four points on a rim part of the measurement surface as measurement points. A Raman spectrum is measured at each of the measurement points. For each measured Raman spectrum, a half-band width C of a spectrum peak taking the maximum strength within a range of 850 cm^-1 or greater and 875 cm^-1 or lower is calculated. An average value of the calculated half-band width C is set as the average half-band width C_ave.
본 발명의 과제는 색 불균일이 발생하기 어려운 질화규소 기판, 질화규소 기판의 평가 방법, 평가 장치 및 평가 시스템을 제공하는 것이다. 제1 면과, 상기 제1 면과는 반대측의 제2 면을 갖는 질화규소 기판이다. 상기 제1 면과 상기 제2 면 중 한쪽 면인 측정면에 있어서 이하의 측정 방법으로 측정된 평균 반값 폭 Cave의 값이 0㎝-1보다 크고 5.32㎝-1보다 작다. 평균 반값 폭 Cave의 측정 방법: 상기 측정면의 중앙부 1점과 테두리부 4점을 측정점으로 한다. 상기 측정점의 각각에서 라만 스펙트럼을 측정한다. 측정한 각각의 상기 라만 스펙트럼에 있어서, 850㎝-1 이상 875㎝-1 이하의 범위 내에서 최대 강도를 취하는 스펙트럼 피크의 반값 폭 C를 산출한다. 산출한 상기 반값 폭 C의 평균값을 평균 반값 폭 Cave로 한다.
SILICON NITRIDE SUBSTRATE EVALUATION METHOD EVALUATION DEVICE EVALUATION SYSTEM FOR SILICON NITRIDE SUBSTRATE SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD
An objective of the present invention is to provide a silicon nitride substrate, wherein the non-uniformity of colors hardly occurs, and an evaluation method, evaluation device, and evaluation system for a silicon nitride substrate. The silicon nitride substrate has a first surface and a second surface opposite to the first surface. For a measurement surface, which is one surface of the first surface or the second surface, an average half-band width C_ave measured by the following measurement method is greater than 0 cm^-1 and smaller than 5.32 cm^-1. The measurement method of the average half-band width C_ave comprises setting one point on a central part and four points on a rim part of the measurement surface as measurement points. A Raman spectrum is measured at each of the measurement points. For each measured Raman spectrum, a half-band width C of a spectrum peak taking the maximum strength within a range of 850 cm^-1 or greater and 875 cm^-1 or lower is calculated. An average value of the calculated half-band width C is set as the average half-band width C_ave.
본 발명의 과제는 색 불균일이 발생하기 어려운 질화규소 기판, 질화규소 기판의 평가 방법, 평가 장치 및 평가 시스템을 제공하는 것이다. 제1 면과, 상기 제1 면과는 반대측의 제2 면을 갖는 질화규소 기판이다. 상기 제1 면과 상기 제2 면 중 한쪽 면인 측정면에 있어서 이하의 측정 방법으로 측정된 평균 반값 폭 Cave의 값이 0㎝-1보다 크고 5.32㎝-1보다 작다. 평균 반값 폭 Cave의 측정 방법: 상기 측정면의 중앙부 1점과 테두리부 4점을 측정점으로 한다. 상기 측정점의 각각에서 라만 스펙트럼을 측정한다. 측정한 각각의 상기 라만 스펙트럼에 있어서, 850㎝-1 이상 875㎝-1 이하의 범위 내에서 최대 강도를 취하는 스펙트럼 피크의 반값 폭 C를 산출한다. 산출한 상기 반값 폭 C의 평균값을 평균 반값 폭 Cave로 한다.
SILICON NITRIDE SUBSTRATE EVALUATION METHOD EVALUATION DEVICE EVALUATION SYSTEM FOR SILICON NITRIDE SUBSTRATE SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD
질화규소 기판, 질화규소 기판의 평가 방법, 평가 장치 및 평가 시스템, 질화규소 회로 기판
SUENAGA KAZUFUMI (author) / FUKUMOTO REI (author) / KAGA YOUICHIRO (author)
2023-09-01
Patent
Electronic Resource
Korean
Silicon Nitride Substrate And Silicon Nitride Circuit Board
| European Patent Office | 2021
SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD
| European Patent Office | 2020
Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board
| European Patent Office | 2022