A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
METHOD OF PRODUCING SILICON CARBIDE
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: silicon carbide is obtained from a charge comprising nanopowder of silicon-containing (SiO, SiO, HSiO) carbon-containing (a carbohydrate of the general formula C(HO), where n ≥12; m=n-1, a polyhydric alcohol of the general formula CHO, where n≥2, aldehyde or ketone derivatives of polyhydric alcohols of the general formula (CHO)n, where n≥3, components, prepared in deionized water, with the subsequent stepwise heating in three stages: up to a temperature of 145-195°C with the maintaining for 1.5-3 hours, up to 800-1000°C, with the maintaining for 0.4-1 h, and up to 1450-1650°C, with the maintaining for 1-1.5 hours.EFFECT: increasing the purification degree and the yield product of the order of 80-85% 3 etc.3 ex
Изобретение относится к технологии получения карбида кремния для изготовления приборов СВЧ-техники, оптоэлектроники и силовой техники. Карбид кремния получают из шихты, содержащей нанопорошки кремнийсодержащего (SiO, SiO, HSiO) и углеродсодержащего (углевод общей формулы C(HO), где n≥12; m=n-1, многоатомный спирт общей формулы CHO, где n≥2, альдегидные либо кетонные производные многоатомных спиртов общей формулы (CHO)n, где n≥3 компонентов, приготовленной в деионизованной воде, с последующим ступенчатым нагревом в три стадии: до температуры 145-195°C с выдержкой 1,5-3 ч, до 800-1000°C с выдержкой 0,4-1 ч и до 1450-1650°C с выдержкой в течение 1-1,5 ч. Получают порошок карбида кремния белого цвета высокой чистоты - 1⋅10ат.% с выходом годного продукта порядка 80-85%. 3 пр.
METHOD OF PRODUCING SILICON CARBIDE
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: silicon carbide is obtained from a charge comprising nanopowder of silicon-containing (SiO, SiO, HSiO) carbon-containing (a carbohydrate of the general formula C(HO), where n ≥12; m=n-1, a polyhydric alcohol of the general formula CHO, where n≥2, aldehyde or ketone derivatives of polyhydric alcohols of the general formula (CHO)n, where n≥3, components, prepared in deionized water, with the subsequent stepwise heating in three stages: up to a temperature of 145-195°C with the maintaining for 1.5-3 hours, up to 800-1000°C, with the maintaining for 0.4-1 h, and up to 1450-1650°C, with the maintaining for 1-1.5 hours.EFFECT: increasing the purification degree and the yield product of the order of 80-85% 3 etc.3 ex
Изобретение относится к технологии получения карбида кремния для изготовления приборов СВЧ-техники, оптоэлектроники и силовой техники. Карбид кремния получают из шихты, содержащей нанопорошки кремнийсодержащего (SiO, SiO, HSiO) и углеродсодержащего (углевод общей формулы C(HO), где n≥12; m=n-1, многоатомный спирт общей формулы CHO, где n≥2, альдегидные либо кетонные производные многоатомных спиртов общей формулы (CHO)n, где n≥3 компонентов, приготовленной в деионизованной воде, с последующим ступенчатым нагревом в три стадии: до температуры 145-195°C с выдержкой 1,5-3 ч, до 800-1000°C с выдержкой 0,4-1 ч и до 1450-1650°C с выдержкой в течение 1-1,5 ч. Получают порошок карбида кремния белого цвета высокой чистоты - 1⋅10ат.% с выходом годного продукта порядка 80-85%. 3 пр.
METHOD OF PRODUCING SILICON CARBIDE
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ
KUDRYAVTSEVA MARGARITA ANATOLEVNA (author) / LEVONOVICH BORIS NAUMOVICH (author) / POVARENKINA VIKTORIYA VALEREVNA (author) / PROKOPENKO ANDREJ NIKOLAEVICH (author) / SHEVYAKOVA LIDIYA NIKOLAEVNA (author) / TUZOVSKIJ VSEVOLOD KONSTANTINOVICH (author) / TUZOVSKIJ KONSTANTIN ANATOLEVICH (author)
2018-01-25
Patent
Electronic Resource
Russian
IPC:
B82B
Nanostrukturen, gestaltet durch die Manipulation von einzelnen Atomen, Molekülen, oder einer begrenzten Ansammlung von Atomen oder Molekülen als einzelne Einheiten
,
NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS
/
C04B
Kalk
,
LIME
SILICON CARBIDE CYLINDRICAL BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE CYLINDRICAL BODY
European Patent Office | 2022
|