A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
The present invention is a sputtering target that comprises tungsten carbide or titanium carbide and that is characterized by having a purity of 4N or more and a density of 98% or more. The present invention addresses the problem of providing a sputtering target that comprises tungsten carbide or titanium carbide, that maintains high purity, that has high density, that is uniform and has high hardness, that makes stable and high-speed film formation possible, and that generates few particles.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation qui comprend du carbure de tungstène ou du carbure de titane et qui est caractérisée en ce qu'elle présente une pureté supérieure ou égale à 4N et une densité supérieure ou égale à 98 %. La présente invention aborde le problème de l'utilisation d'une cible de pulvérisation qui comprend du carbure de tungstène ou du carbure de titane, qui conserve une pureté élevée, qui présente une densité élevée, qui est uniforme et qui présente une dureté élevée, qui permet la formation d'un film de manière stable et avec une vitesse élevée, et qui génère peu de particules.
本発明は、純度が４Ｎ以上であり、密度が９８％以上であることを特徴とする炭化タングステン又は炭化チタンからなるスパッタリングターゲット。純度を高純度に維持すると共に密度が高く、均一かつ高硬度であって、安定的な高速成膜が可能でパーティクルの発生が少ない、炭化タングステンスパッタリング又は炭化チタンからなるターゲットを提供することを課題とする。
SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
The present invention is a sputtering target that comprises tungsten carbide or titanium carbide and that is characterized by having a purity of 4N or more and a density of 98% or more. The present invention addresses the problem of providing a sputtering target that comprises tungsten carbide or titanium carbide, that maintains high purity, that has high density, that is uniform and has high hardness, that makes stable and high-speed film formation possible, and that generates few particles.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation qui comprend du carbure de tungstène ou du carbure de titane et qui est caractérisée en ce qu'elle présente une pureté supérieure ou égale à 4N et une densité supérieure ou égale à 98 %. La présente invention aborde le problème de l'utilisation d'une cible de pulvérisation qui comprend du carbure de tungstène ou du carbure de titane, qui conserve une pureté élevée, qui présente une densité élevée, qui est uniforme et qui présente une dureté élevée, qui permet la formation d'un film de manière stable et avec une vitesse élevée, et qui génère peu de particules.
本発明は、純度が４Ｎ以上であり、密度が９８％以上であることを特徴とする炭化タングステン又は炭化チタンからなるスパッタリングターゲット。純度を高純度に維持すると共に密度が高く、均一かつ高硬度であって、安定的な高速成膜が可能でパーティクルの発生が少ない、炭化タングステンスパッタリング又は炭化チタンからなるターゲットを提供することを課題とする。
SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
CIBLE DE PULVÉRISATION COMPRENANT DU CARBURE DE TUNGSTÈNE OU DU CARBURE DE TITANE
炭化タングステン又は炭化チタンからなるスパッタリングターゲット
OHASHI KAZUMASA (author) / ODA KUNIHIRO (author)
2015-10-01
Patent
Electronic Resource
Japanese
SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
| European Patent Office | 2018
SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
| European Patent Office | 2016
SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
| European Patent Office | 2016
Preparation method of tungsten aluminum carbide -titanium carbide hard material
| European Patent Office | 2020
| European Patent Office | 2020