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MN-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM FORMATION COMPOSITION AND MN-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM
A composition used in the formation of a PZT-based piezoelectric film comprising a Mn-doped composite metal oxide includes: a PZT-based precursor including each metal atom constituting the composite metal oxide; a diol; and a polyvinyl pyrrolidone. When the metal atom ratio in the composition is expressed as Pb:Mn:Zr:Ti, the PZT-based precursor has 1.00-1.20 PB, at least 0.002 but less than 0.05 Mn, 0.40-0.55 Zr, 0.45-0.60 Ti, and a total Zr and Ti metal atom ratio of 1.
L'invention concerne une composition utilisée dans la formation d'un film piézoélectrique à base de PZT comprenant un oxyde métallique composite dopé au Mn, laquelle composition comprend : un précurseur à base de PZT comprenant chaque atome métallique constituant l'oxyde métallique composite ; un diol ; et un polyvinylpyrrolidone. Lorsque le rapport d'atomes métalliques dans la composition est exprimé comme Pb:Mn:Zr:Ti, le précurseur à base de PZT a un rapport de 1,00 à 1,20 de Pb, d'au moins 0,002 mais de moins de 0,05 de Mn, de 0,40 à 0,55 de Zr, de 0,45 à 0,60 de Ti, et un rapport total d'atomes métalliques de Zr et de Ti de 1.
Ｍｎドープの複合金属酸化物からなるＰＺＴ系圧電体膜の形成に用いられる組成物は、前記複合金属酸化物を構成する各金属原子を含むＰＺＴ系前駆体と、ジオールと、ポリビニルピロリドンとを含み、前記組成物中の金属原子比をＰｂ：Ｍｎ：Ｚｒ：Ｔｉと示す際に、Ｐｂが１．００～１．２０を満たし、Ｍｎが０．００２以上０．０５未満を満たし、Ｚｒが０．４０～０．５５を満たし、Ｔｉが０．４５～０．６０を満たし、かつ前記Ｚｒと前記Ｔｉの金属原子比の合計割合が１となる割合で、前記ＰＺＴ系前駆体を含む。
MN-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM FORMATION COMPOSITION AND MN-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM
A composition used in the formation of a PZT-based piezoelectric film comprising a Mn-doped composite metal oxide includes: a PZT-based precursor including each metal atom constituting the composite metal oxide; a diol; and a polyvinyl pyrrolidone. When the metal atom ratio in the composition is expressed as Pb:Mn:Zr:Ti, the PZT-based precursor has 1.00-1.20 PB, at least 0.002 but less than 0.05 Mn, 0.40-0.55 Zr, 0.45-0.60 Ti, and a total Zr and Ti metal atom ratio of 1.
L'invention concerne une composition utilisée dans la formation d'un film piézoélectrique à base de PZT comprenant un oxyde métallique composite dopé au Mn, laquelle composition comprend : un précurseur à base de PZT comprenant chaque atome métallique constituant l'oxyde métallique composite ; un diol ; et un polyvinylpyrrolidone. Lorsque le rapport d'atomes métalliques dans la composition est exprimé comme Pb:Mn:Zr:Ti, le précurseur à base de PZT a un rapport de 1,00 à 1,20 de Pb, d'au moins 0,002 mais de moins de 0,05 de Mn, de 0,40 à 0,55 de Zr, de 0,45 à 0,60 de Ti, et un rapport total d'atomes métalliques de Zr et de Ti de 1.
Ｍｎドープの複合金属酸化物からなるＰＺＴ系圧電体膜の形成に用いられる組成物は、前記複合金属酸化物を構成する各金属原子を含むＰＺＴ系前駆体と、ジオールと、ポリビニルピロリドンとを含み、前記組成物中の金属原子比をＰｂ：Ｍｎ：Ｚｒ：Ｔｉと示す際に、Ｐｂが１．００～１．２０を満たし、Ｍｎが０．００２以上０．０５未満を満たし、Ｚｒが０．４０～０．５５を満たし、Ｔｉが０．４５～０．６０を満たし、かつ前記Ｚｒと前記Ｔｉの金属原子比の合計割合が１となる割合で、前記ＰＺＴ系前駆体を含む。
MN-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM FORMATION COMPOSITION AND MN-DOPED PZT-BASED PIEZOELECTRIC FILM
COMPOSITION DE FORMATION DE FILM PIÉZOÉLECTRIQUE DOPÉ AU MN À BASE DE PZT ET FILM PIÉZOÉLECTRIQUE DOPÉ AU MN À BASE DE PZT
ＭｎドープのＰＺＴ系圧電体膜形成用組成物及びＭｎドープのＰＺＴ系圧電体膜
DOI TOSHIHIRO (author) / SAKURAI HIDEAKI (author) / SOYAMA NOBUYUKI (author)
2015-10-01
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2022
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