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MULLITE SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND COMPOSITE SUBSTRATE
This mullite sintered compact has an impurity element content not exceeding 1mass%, wherein the average particle diameter of the mullite sintered particles does not exceed 8μm, and the average maximum length of the pores which are present on the polished surface does not exceed 0.4μm. The center average roughness (Ra) of the surface is preferably 3nm or less. The maximum height (Rp) of the surface is preferably 30 nm or less. The number of pores present on the surface should preferably not exceed 10 per unit of area measuring 4μm x 4μm.
L'invention concerne un compact fritté en mullite ayant une teneur en éléments d'impureté ne dépassant pas 1 % en masse, dans lequel le diamètre de particule moyen des particules de mullite frittées ne dépasse pas 8 µm et la longueur maximale moyenne des pores qui sont présents sur la surface polie ne dépasse pas 0,4 µm. La rugosité moyenne centrale (Ra) de la surface est de préférence inférieure ou égale à 3 nm. La hauteur maximale (Rp) de la surface est de préférence inférieure ou égale à 30 nm. Il est préférable que le nombre de pores présents sur la surface ne dépasse pas 10 par unité de surface mesurant 4 µm par 4 µm.
本発明のムライト焼結体は、不純物元素の含有量が１質量％以下のムライト焼結体であって、ムライト焼結粒の平均粒径が８μｍ以下であり、研磨仕上げした表面に存在する気孔の最大部長さの平均が０．４μｍ以下のものである。前記表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）は３ｎｍ以下であることが好ましい。前記表面の最大高さ（Ｒｐ）は３０ｎｍ以下であることが好ましい。前記表面に存在する気孔数は、４μｍ×４μｍの面積当たり、１０個以下であることが好ましい。
MULLITE SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND COMPOSITE SUBSTRATE
This mullite sintered compact has an impurity element content not exceeding 1mass%, wherein the average particle diameter of the mullite sintered particles does not exceed 8μm, and the average maximum length of the pores which are present on the polished surface does not exceed 0.4μm. The center average roughness (Ra) of the surface is preferably 3nm or less. The maximum height (Rp) of the surface is preferably 30 nm or less. The number of pores present on the surface should preferably not exceed 10 per unit of area measuring 4μm x 4μm.
L'invention concerne un compact fritté en mullite ayant une teneur en éléments d'impureté ne dépassant pas 1 % en masse, dans lequel le diamètre de particule moyen des particules de mullite frittées ne dépasse pas 8 µm et la longueur maximale moyenne des pores qui sont présents sur la surface polie ne dépasse pas 0,4 µm. La rugosité moyenne centrale (Ra) de la surface est de préférence inférieure ou égale à 3 nm. La hauteur maximale (Rp) de la surface est de préférence inférieure ou égale à 30 nm. Il est préférable que le nombre de pores présents sur la surface ne dépasse pas 10 par unité de surface mesurant 4 µm par 4 µm.
本発明のムライト焼結体は、不純物元素の含有量が１質量％以下のムライト焼結体であって、ムライト焼結粒の平均粒径が８μｍ以下であり、研磨仕上げした表面に存在する気孔の最大部長さの平均が０．４μｍ以下のものである。前記表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）は３ｎｍ以下であることが好ましい。前記表面の最大高さ（Ｒｐ）は３０ｎｍ以下であることが好ましい。前記表面に存在する気孔数は、４μｍ×４μｍの面積当たり、１０個以下であることが好ましい。
MULLITE SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND COMPOSITE SUBSTRATE
COMPACT FRITTÉ EN MULLITE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET SUBSTRAT COMPOSITE
ムライト焼結体、その製法及び複合基板
ISODA YOSHINORI (author) / SATO YOSUKE (author) / KATSUDA YUJI (author)
2015-12-10
Patent
Electronic Resource
Japanese
MULLITE SINTERED BODY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND COMPOSITE SUBSTRATE
| European Patent Office | 2016
MULLITE SINTERED BODY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND COMPOSITE SUBSTRATE
| European Patent Office | 2016
MULLITE SINTERED BODY METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND COMPOSITE SUBSTRATE
European Patent Office | 2016
Mullite sintered body, method for producing the same, and composite substrate
| European Patent Office | 2017
MULLITE-BASE SINTERED COMPACT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
| European Patent Office | 2020