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SILICON NITRIDE POWDER, SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SAID SILICON NITRIDE POWDER
The present invention addresses the problem of providing: a silicon nitride sintered body and a circuit substrate which exhibit both high mechanical strength and high thermal conductivity; a silicon nitride powder used as a starting material for these; and a production method for the silicon nitride powder. Provided is a silicon nitride powder which has a specific surface area of 4.0-9.0 m2/g, a β phase ratio of less than 40%, and an oxygen content of 0.20-0.95 mass%, said silicon nitride powder wherein: the frequency distribution curve obtained from a volume-based particle size distribution measurement performed using laser diffraction scattering has two peaks; the tops of the peaks are within the range of 0.4-0.7 µm, and within the range of 1.5-3.0 µm respectively; the ratio (the frequency of the top of the peak in the particle size range of 0.4-0.7 µm/the frequency of the top of the peak in the particle size range of 1.5-3.0 µm) of the frequencies of the tops of the peaks is 0.5-1.5; and the ratio (D50/DBET) (µm/µm) of the median diameter (D50) (µm) obtained from the particle size distribution measurement, to the specific surface area equivalent diameter (DBET) (µm) calculated from the specific surface area is at least 3.5. Also provided are: a silicon nitride sintered body and a circuit substrate which are obtained from the silicon nitride powder; and a production method for the silicon nitride powder.
La présente invention aborde le problème consistant à fournir : un corps fritté en nitrure de silicium et un substrat de circuit présentant à la fois une résistance mécanique élevée et une conductivité thermique élevée ; une poudre de nitrure de silicium utilisée en tant que matériau de départ pour ceux-ci ; et un procédé de production de la poudre de nitrure de silicium. L'invention concerne une poudre de nitrure de silicium qui a une aire de surface spécifique de 4,0 à 9,0 m2/g, un rapport de phase β inférieur à 40 %, et une teneur en oxygène de 0,20 à 0,95 % en masse, ladite poudre de nitrure de silicium dans laquelle : la courbe de distribution de fréquence obtenue à partir d'une mesure de la distribution des tailles de particules volumétriques réalisée par diffraction/diffusion laser comprend deux pics ; les sommets des pics sont respectivement à l'intérieur de la plage allant de 0,4 à 0,7 µm, et à l'intérieur de la plage allant de 1,5 à 3,0 µm ; le rapport (fréquence du sommet du pic dans la plage de taille de particule de 0,4 à 0,7 µm/fréquence du sommet du pic dans la plage de taille de particule de 1,5 à 3,0 µm) des fréquences des sommets des pics est de 0,5 à 1,5 ; et le rapport (D50/DBET) (µm/µm) entre le diamètre médian (D50) (µm) obtenu à partir de la mesure de distribution des tailles de particules et le diamètre équivalent de l'aire de surface spécifique (DBET (µm) calculé à partir de l'aire de surface spécifique est d'au moins 3,5. L'invention concerne également : un corps fritté en nitrure de silicium et un substrat de circuit qui sont obtenus à partir de la poudre de nitrure de silicium ; et un procédé de production de la poudre de nitrure de silicium.
本発明は、高い熱伝導率を有しながらも、高い機械的強度をも併せ持つ窒化ケイ素焼結体及び回路基板、その原料となる窒化ケイ素粉末及びその製造方法を提供することを課題とする。比表面積が４．０～９．０ｍ２／ｇであり、β相の割合が４０％より小さく、酸素含有量が０．２０～０．９５質量％であり、レーザー回折散乱法による体積基準の粒度分布測定により得られる頻度分布曲線が、二つのピークを有し、該ピークのピークトップが、０．４～０．７μｍの範囲と、１．５～３．０μｍの範囲にあり、前記ピークトップの頻度の比（粒子径０．４～０．７μｍの範囲のピークトップの頻度／粒子径１．５～３．０μmの範囲のピークトップの頻度）が０．５～１．５であり、前記粒度分布測定により得られるメディアン径Ｄ５０（μｍ）と、前記比表面積より算出される比表面積相当径ＤＢＥＴ（μｍ）との比Ｄ５０／ＤＢＥＴ（μｍ／μｍ）が３．５以上である窒化ケイ素粉末、この窒化ケイ素粉末から得られる窒化ケイ素焼結体及び回路基板、並びに、その窒化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
SILICON NITRIDE POWDER, SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SAID SILICON NITRIDE POWDER
The present invention addresses the problem of providing: a silicon nitride sintered body and a circuit substrate which exhibit both high mechanical strength and high thermal conductivity; a silicon nitride powder used as a starting material for these; and a production method for the silicon nitride powder. Provided is a silicon nitride powder which has a specific surface area of 4.0-9.0 m2/g, a β phase ratio of less than 40%, and an oxygen content of 0.20-0.95 mass%, said silicon nitride powder wherein: the frequency distribution curve obtained from a volume-based particle size distribution measurement performed using laser diffraction scattering has two peaks; the tops of the peaks are within the range of 0.4-0.7 µm, and within the range of 1.5-3.0 µm respectively; the ratio (the frequency of the top of the peak in the particle size range of 0.4-0.7 µm/the frequency of the top of the peak in the particle size range of 1.5-3.0 µm) of the frequencies of the tops of the peaks is 0.5-1.5; and the ratio (D50/DBET) (µm/µm) of the median diameter (D50) (µm) obtained from the particle size distribution measurement, to the specific surface area equivalent diameter (DBET) (µm) calculated from the specific surface area is at least 3.5. Also provided are: a silicon nitride sintered body and a circuit substrate which are obtained from the silicon nitride powder; and a production method for the silicon nitride powder.
La présente invention aborde le problème consistant à fournir : un corps fritté en nitrure de silicium et un substrat de circuit présentant à la fois une résistance mécanique élevée et une conductivité thermique élevée ; une poudre de nitrure de silicium utilisée en tant que matériau de départ pour ceux-ci ; et un procédé de production de la poudre de nitrure de silicium. L'invention concerne une poudre de nitrure de silicium qui a une aire de surface spécifique de 4,0 à 9,0 m2/g, un rapport de phase β inférieur à 40 %, et une teneur en oxygène de 0,20 à 0,95 % en masse, ladite poudre de nitrure de silicium dans laquelle : la courbe de distribution de fréquence obtenue à partir d'une mesure de la distribution des tailles de particules volumétriques réalisée par diffraction/diffusion laser comprend deux pics ; les sommets des pics sont respectivement à l'intérieur de la plage allant de 0,4 à 0,7 µm, et à l'intérieur de la plage allant de 1,5 à 3,0 µm ; le rapport (fréquence du sommet du pic dans la plage de taille de particule de 0,4 à 0,7 µm/fréquence du sommet du pic dans la plage de taille de particule de 1,5 à 3,0 µm) des fréquences des sommets des pics est de 0,5 à 1,5 ; et le rapport (D50/DBET) (µm/µm) entre le diamètre médian (D50) (µm) obtenu à partir de la mesure de distribution des tailles de particules et le diamètre équivalent de l'aire de surface spécifique (DBET (µm) calculé à partir de l'aire de surface spécifique est d'au moins 3,5. L'invention concerne également : un corps fritté en nitrure de silicium et un substrat de circuit qui sont obtenus à partir de la poudre de nitrure de silicium ; et un procédé de production de la poudre de nitrure de silicium.
本発明は、高い熱伝導率を有しながらも、高い機械的強度をも併せ持つ窒化ケイ素焼結体及び回路基板、その原料となる窒化ケイ素粉末及びその製造方法を提供することを課題とする。比表面積が４．０～９．０ｍ２／ｇであり、β相の割合が４０％より小さく、酸素含有量が０．２０～０．９５質量％であり、レーザー回折散乱法による体積基準の粒度分布測定により得られる頻度分布曲線が、二つのピークを有し、該ピークのピークトップが、０．４～０．７μｍの範囲と、１．５～３．０μｍの範囲にあり、前記ピークトップの頻度の比（粒子径０．４～０．７μｍの範囲のピークトップの頻度／粒子径１．５～３．０μmの範囲のピークトップの頻度）が０．５～１．５であり、前記粒度分布測定により得られるメディアン径Ｄ５０（μｍ）と、前記比表面積より算出される比表面積相当径ＤＢＥＴ（μｍ）との比Ｄ５０／ＤＢＥＴ（μｍ／μｍ）が３．５以上である窒化ケイ素粉末、この窒化ケイ素粉末から得られる窒化ケイ素焼結体及び回路基板、並びに、その窒化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
SILICON NITRIDE POWDER, SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR SAID SILICON NITRIDE POWDER
POUDRE DE NITRURE DE SILICIUM, CORPS FRITTÉ EN NITRURE DE SILICIUM ET SUBSTRAT DE CIRCUIT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LADITE POUDRE DE NITRURE DE SILICIUM
窒化ケイ素粉末、窒化ケイ素焼結体及び回路基板、ならびに窒化ケイ素粉末の製造方法
YAMAO TAKESHI (author) / HONDA MICHIO (author) / JIDA SHINSUKE (author)
2015-12-23
Patent
Electronic Resource
Japanese
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