A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM USING SPUTTERING TARGET
Provided is an oxide sintered body that, when used to obtain an oxide semiconductor thin film by sputtering, can achieve a low carrier concentration and a high carrier mobility. Also provided is a sputtering target using the oxide sintered body. The oxide sintered body contains, as oxides, indium, gallium, and at least one positive divalent element selected from the group consisting of nickel, cobalt, calcium, strontium, and lead. The gallium content, in terms of the atomic ratio Ga/(In + Ga), is from 0.20 to 0.45, and the positive divalent element content, in terms of the atomic ratio M/(In + Ga + M), is from 0.0001 to 0.05. The amorphous oxide semiconductor thin film, which is formed using the oxide sintered body as a sputtering target, can achieve a carrier concentration of less than 3.0 x 1018 cm-3 and a carrier mobility of at least 10 cm2V-1sec-1.
L'invention fournit un corps fritté d'oxyde et une cible pour pulvérisation cathodique mettant en œuvre celui-ci, lequel corps fritté d'oxyde permet d'obtenir une faible concentration de porteurs et une mobilité élevée de porteurs, dans le cas où une couche mince semi-conductrice à oxyde est obtenue par un procédé de pulvérisation cathodique. Ce corps fritté d'oxyde comprend en tant qu'oxyde un indium, un gallium, et au moins un élément divalent positif choisi dans un groupe constitué de nickel, de cobalt, de calcium, de strontium et de plomb. La teneur en gallium est supérieure ou égale à 0,20 et inférieure ou égale à 0,45 selon un rapport atomique Ga/(In+Ga), et la teneur en élément divalent positif est supérieure ou égale à 0,0001 et inférieure ou égale à 0,05 selon un rapport atomique M/(In+Ga+M). La couche mince semi-conductrice à oxyde amorphe formée avec le corps fritté d'oxyde en tant que cible pour pulvérisation cathodique, présente une concentration de porteurs inférieure à 3,0×1018cm-3, et une mobilité de porteurs supérieure ou égale à 10cm2V-1sec-1.
スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。 この酸化物焼結体は、インジウム、ガリウム及びニッケル、コバルト、カルシウム、ストロンチウム及び鉛からなる群より選択された一つ以上の正二価元素を酸化物として含有する。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．２０以上０．４５以下であり前記正二価元素の含有量がＭ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｍ）原子数比で０．０００１以上０．０５以下である。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した非晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度３．０×１０１８ｃｍ－３未満で、キャリア移動度１０ｃｍ２Ｖ－１ｓｅｃ－１以上が得られる。
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM USING SPUTTERING TARGET
Provided is an oxide sintered body that, when used to obtain an oxide semiconductor thin film by sputtering, can achieve a low carrier concentration and a high carrier mobility. Also provided is a sputtering target using the oxide sintered body. The oxide sintered body contains, as oxides, indium, gallium, and at least one positive divalent element selected from the group consisting of nickel, cobalt, calcium, strontium, and lead. The gallium content, in terms of the atomic ratio Ga/(In + Ga), is from 0.20 to 0.45, and the positive divalent element content, in terms of the atomic ratio M/(In + Ga + M), is from 0.0001 to 0.05. The amorphous oxide semiconductor thin film, which is formed using the oxide sintered body as a sputtering target, can achieve a carrier concentration of less than 3.0 x 1018 cm-3 and a carrier mobility of at least 10 cm2V-1sec-1.
L'invention fournit un corps fritté d'oxyde et une cible pour pulvérisation cathodique mettant en œuvre celui-ci, lequel corps fritté d'oxyde permet d'obtenir une faible concentration de porteurs et une mobilité élevée de porteurs, dans le cas où une couche mince semi-conductrice à oxyde est obtenue par un procédé de pulvérisation cathodique. Ce corps fritté d'oxyde comprend en tant qu'oxyde un indium, un gallium, et au moins un élément divalent positif choisi dans un groupe constitué de nickel, de cobalt, de calcium, de strontium et de plomb. La teneur en gallium est supérieure ou égale à 0,20 et inférieure ou égale à 0,45 selon un rapport atomique Ga/(In+Ga), et la teneur en élément divalent positif est supérieure ou égale à 0,0001 et inférieure ou égale à 0,05 selon un rapport atomique M/(In+Ga+M). La couche mince semi-conductrice à oxyde amorphe formée avec le corps fritté d'oxyde en tant que cible pour pulvérisation cathodique, présente une concentration de porteurs inférieure à 3,0×1018cm-3, et une mobilité de porteurs supérieure ou égale à 10cm2V-1sec-1.
スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。 この酸化物焼結体は、インジウム、ガリウム及びニッケル、コバルト、カルシウム、ストロンチウム及び鉛からなる群より選択された一つ以上の正二価元素を酸化物として含有する。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．２０以上０．４５以下であり前記正二価元素の含有量がＭ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｍ）原子数比で０．０００１以上０．０５以下である。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した非晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度３．０×１０１８ｃｍ－３未満で、キャリア移動度１０ｃｍ２Ｖ－１ｓｅｃ－１以上が得られる。
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM USING SPUTTERING TARGET
CORPS FRITTÉ D'OXYDE, CIBLE POUR PULVÉRISATION CATHODIQUE, ET COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE À OXYDE OBTENUE À L'AIDE DE CELLE-CI
酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
NAKAYAMA TOKUYUKI (author) / NISHIMURA EIICHIRO (author) / MATSUMURA FUMIHIKO (author) / IWARA MASASHI (author)
2015-12-30
Patent
Electronic Resource
Japanese
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