A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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CERAMIC CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR PRODUCING SAME
[Problem] To obtain a ceramic circuit substrate that has excellent cracking resistance against ultrasonic bonding. [Solution] The problem is solved by means of a ceramic circuit substrate having a metal circuit board bonded to one surface of a ceramic substrate and a metal heat dissipation plate bonded to the other surface, wherein said ceramic circuit substrate is characterized by the metal circuit board having a crystal particle size of 20-70 μm. This ceramic circuit substrate can be produced by respectively disposing the metal circuit board on one surface of the ceramic substrate and the metal heat dissipation plate on the other surface, and bonding at a degree of vacuum of 1×10-3 Pa or less, at a bonding temperature of 780-850°C, and for a retention time of 10-60 minutes.
L'invention aborde le problème de l'obtention d'un substrat de circuit en céramique qui présente une excellente résistance à la fissuration lors de la liaison par ultrasons. L'invention résout ce problème au moyen d'un substrat de circuit en céramique comprenant une carte de circuit métallique liée à une surface d'un substrat en céramique et une plaque de dissipation de chaleur métallique liée à l'autre surface. Ledit substrat de circuit en céramique est caractérisé en ce que la carte de circuit métallique possède une taille de particule de cristal de 20 à 70 μm. Ce substrat de circuit en céramique peut être produit en disposant respectivement la carte de circuit métallique sur une surface du substrat en céramique et la plaque de dissipation de chaleur métallique sur l'autre surface, puis en effectuant la liaison à un degré de vide de 1×10-3 Pa ou moins, à une température de liaison de 780-850 °C, et pendant un temps de maintien de 10 à 60 minutes.
【課題】超音波接合に対して優れた耐クラック性を有するセラミックス回路基板を得ること。 【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属回路板、他方の面に金属放熱板が接合されたセラミックス回路基板であって、金属回路板の結晶粒子径が２０μｍ以上７０μｍ以下であることを特徴とするセラミックス回路基板によって上記課題を解決する。このセラミックス回路基板は、セラミックス基板の一方の面に金属回路板を、他方の面に金属放熱板をそれぞれ配置し、真空度１×１０－３Ｐａ以下、接合温度７８０℃以上８５０℃以下、保持時間１０分以上６０分以下で接合することで製造することができる。
CERAMIC CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR PRODUCING SAME
[Problem] To obtain a ceramic circuit substrate that has excellent cracking resistance against ultrasonic bonding. [Solution] The problem is solved by means of a ceramic circuit substrate having a metal circuit board bonded to one surface of a ceramic substrate and a metal heat dissipation plate bonded to the other surface, wherein said ceramic circuit substrate is characterized by the metal circuit board having a crystal particle size of 20-70 μm. This ceramic circuit substrate can be produced by respectively disposing the metal circuit board on one surface of the ceramic substrate and the metal heat dissipation plate on the other surface, and bonding at a degree of vacuum of 1×10-3 Pa or less, at a bonding temperature of 780-850°C, and for a retention time of 10-60 minutes.
L'invention aborde le problème de l'obtention d'un substrat de circuit en céramique qui présente une excellente résistance à la fissuration lors de la liaison par ultrasons. L'invention résout ce problème au moyen d'un substrat de circuit en céramique comprenant une carte de circuit métallique liée à une surface d'un substrat en céramique et une plaque de dissipation de chaleur métallique liée à l'autre surface. Ledit substrat de circuit en céramique est caractérisé en ce que la carte de circuit métallique possède une taille de particule de cristal de 20 à 70 μm. Ce substrat de circuit en céramique peut être produit en disposant respectivement la carte de circuit métallique sur une surface du substrat en céramique et la plaque de dissipation de chaleur métallique sur l'autre surface, puis en effectuant la liaison à un degré de vide de 1×10-3 Pa ou moins, à une température de liaison de 780-850 °C, et pendant un temps de maintien de 10 à 60 minutes.
【課題】超音波接合に対して優れた耐クラック性を有するセラミックス回路基板を得ること。 【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属回路板、他方の面に金属放熱板が接合されたセラミックス回路基板であって、金属回路板の結晶粒子径が２０μｍ以上７０μｍ以下であることを特徴とするセラミックス回路基板によって上記課題を解決する。このセラミックス回路基板は、セラミックス基板の一方の面に金属回路板を、他方の面に金属放熱板をそれぞれ配置し、真空度１×１０－３Ｐａ以下、接合温度７８０℃以上８５０℃以下、保持時間１０分以上６０分以下で接合することで製造することができる。
CERAMIC CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR PRODUCING SAME
CARTE DE CIRCUIT EN CÉRAMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
セラミックス回路基板及びその製造方法
AONO RYOTA (author) / YUASA AKIMASA (author) / MIYAKAWA TAKESHI (author)
2016-02-04
Patent
Electronic Resource
Japanese