A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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PIEZOELECTRIC FILM, METHOD FOR MANUFACTURING FOR SAME, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
[Problem] To provide a piezoelectric film having high piezoelectric properties and little degradation in piezoelectric properties during long-term drive, a method for manufacturing the same, a piezoelectric element provided with said piezoelectric film, and a liquid discharge device. [Solution] This piezoelectric film (40) is a piezoelectric film that includes a perovskite-type oxide represented by the following formula (P), and the crystal phase of the perovskite-type oxide includes tetragonal crystals and rhombohedral crystals in a proportion satisfying the following formula (1). A1+δ[(ZrxTi1-x)1-aNba] Oy ... (P) 0.70 ≤ rhombohedral crystal/(rhombohedral crystal + tetragonal crystal) ≤ 0.95 ... (1) Wherein in the formula (P) A is an A-site element mainly composed of Pb, and Zr, Ti, and Nb are B-site elements; x is 0.4 to less than 1, except for 0.51 - 0.53; and a is 0.08 or greater.
Le problème décrit par l'invention est de concevoir un film piézoélectrique possédant des propriétés piézoélectriques élevées et révélant une faible dégradation des propriétés piézoélectriques lors d'un pilotage à long terme, son procédé de fabrication, un élément piézoélectrique pourvu dudit film piézoélectrique et un dispositif de décharge de liquide. La solution selon l'invention porte sur un film piézoélectrique (40) qui constitue un film piézoélectrique comprenant un oxyde de type pérovskite représenté par la formule suivante (P), et la phase cristalline de l'oxyde de type pérovskite comprenant des cristaux tétragonaux et des cristaux rhomboédriques selon une proportion satisfaisant la formule suivante (1). A1+δ[(ZrxTi1-x)1-aNba] Oy ... (P) 0,70 ≤ cristal rhomboédrique/(cristal rhomboédrique + cristal tétragonal) ≤ 0,95... (1). Dans la formule (P), A est un élément de site A principalement constitué de Pb, et Zr, Ti et Nb étant des éléments de site B ; x a une valeur de 0,4 à moins de 1, à l'exception de 0,51-0,53 ; et a a une valeur supérieure ou égale à 0,08.
【課題】圧電特性が高く長期駆動時の圧電特性の劣化の小さい圧電体膜とその製造方法、その圧電体膜を備えた圧電素子及び液体吐出装置を提供する。 【解決手段】本発明の圧電体膜（４０）は、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を含む圧電体膜であって、ペロブスカイト型酸化物の結晶相が、下記式（１）を満足する割合で正方晶と菱面体晶を含む。 Ａ１＋δ［（ＺｒｘＴｉ１－ｘ）１－ａＮｂａ］Ｏｙ・・・（Ｐ）、 ０．７０≦菱面体晶／（菱面体晶＋正方晶）≦０．９５ ・・・（１）、 但し、式（Ｐ）中、ＡはＰｂを主成分とするＡサイト元素であり、Ｚｒ，Ｔｉ，及びＮｂはＢサイト元素である。ｘは０．４以上１未満、但し０．５１以上０．５３以下を除く。ａは０．０８以上である。
PIEZOELECTRIC FILM, METHOD FOR MANUFACTURING FOR SAME, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
[Problem] To provide a piezoelectric film having high piezoelectric properties and little degradation in piezoelectric properties during long-term drive, a method for manufacturing the same, a piezoelectric element provided with said piezoelectric film, and a liquid discharge device. [Solution] This piezoelectric film (40) is a piezoelectric film that includes a perovskite-type oxide represented by the following formula (P), and the crystal phase of the perovskite-type oxide includes tetragonal crystals and rhombohedral crystals in a proportion satisfying the following formula (1). A1+δ[(ZrxTi1-x)1-aNba] Oy ... (P) 0.70 ≤ rhombohedral crystal/(rhombohedral crystal + tetragonal crystal) ≤ 0.95 ... (1) Wherein in the formula (P) A is an A-site element mainly composed of Pb, and Zr, Ti, and Nb are B-site elements; x is 0.4 to less than 1, except for 0.51 - 0.53; and a is 0.08 or greater.
Le problème décrit par l'invention est de concevoir un film piézoélectrique possédant des propriétés piézoélectriques élevées et révélant une faible dégradation des propriétés piézoélectriques lors d'un pilotage à long terme, son procédé de fabrication, un élément piézoélectrique pourvu dudit film piézoélectrique et un dispositif de décharge de liquide. La solution selon l'invention porte sur un film piézoélectrique (40) qui constitue un film piézoélectrique comprenant un oxyde de type pérovskite représenté par la formule suivante (P), et la phase cristalline de l'oxyde de type pérovskite comprenant des cristaux tétragonaux et des cristaux rhomboédriques selon une proportion satisfaisant la formule suivante (1). A1+δ[(ZrxTi1-x)1-aNba] Oy ... (P) 0,70 ≤ cristal rhomboédrique/(cristal rhomboédrique + cristal tétragonal) ≤ 0,95... (1). Dans la formule (P), A est un élément de site A principalement constitué de Pb, et Zr, Ti et Nb étant des éléments de site B ; x a une valeur de 0,4 à moins de 1, à l'exception de 0,51-0,53 ; et a a une valeur supérieure ou égale à 0,08.
【課題】圧電特性が高く長期駆動時の圧電特性の劣化の小さい圧電体膜とその製造方法、その圧電体膜を備えた圧電素子及び液体吐出装置を提供する。 【解決手段】本発明の圧電体膜（４０）は、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を含む圧電体膜であって、ペロブスカイト型酸化物の結晶相が、下記式（１）を満足する割合で正方晶と菱面体晶を含む。 Ａ１＋δ［（ＺｒｘＴｉ１－ｘ）１－ａＮｂａ］Ｏｙ・・・（Ｐ）、 ０．７０≦菱面体晶／（菱面体晶＋正方晶）≦０．９５ ・・・（１）、 但し、式（Ｐ）中、ＡはＰｂを主成分とするＡサイト元素であり、Ｚｒ，Ｔｉ，及びＮｂはＢサイト元素である。ｘは０．４以上１未満、但し０．５１以上０．５３以下を除く。ａは０．０８以上である。
PIEZOELECTRIC FILM, METHOD FOR MANUFACTURING FOR SAME, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
FILM PIÉZOÉLECTRIQUE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE DÉCHARGE DE LIQUIDE
圧電体膜とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置
MURAKAMI NAOKI (author) / ARAKAWA TAKAMI (author) / FUJII TAKAMICHI (author)
2016-03-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
/
B41J
TYPEWRITERS
,
Schreibmaschinen
/
C01G
Verbindungen der von den Unterklassen C01D oder C01F nicht umfassten Metalle
,
COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
PIEZOELECTRIC FILM AND PIEZOELECTRIC ELEMENT PROVIDED WITH SAME, AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
| European Patent Office | 2016
PIEZOELECTRIC FILM AND PIEZOELECTRIC ELEMENT INCLUDING THE SAME, AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
| European Patent Office | 2016
Piezoelectric film, piezoelectric element including the same, and liquid discharge apparatus
| European Patent Office | 2018
PIEZOELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC ELEMENT INCLUDING THE SAME, AND LIQUID DISCHARGE APPARATUS
| European Patent Office | 2017
| European Patent Office | 2022