A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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PIEZOELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC FILM MANUFACTURING METHOD, PIEZOELECTRIC ELEMENT AND PIEZOELECTRIC DEVICE
This piezoelectric film has as a main component a piezoelectric material having a Wurtzite-type crystal structure, and has an additive element including Kr; the piezoelectric material contains, as positive elements, one component selected from the group consisting of Zn, Al, Ga, Cd and Si, the ratio of the content of the element Kr to the content of elements contained in the piezoelectric material is 0.01-0.05 atm%.
Ce film piézoélectrique a comme constituant principal un matériau piézoélectrique ayant une structure cristalline de type Wurtzite, et a un élément additif comprenant du Kr; le matériau piézoélectrique contient, en tant qu'éléments positifs, un constituant choisi dans le groupe constitué par Zn, Al, Ga, Cd et Si, le rapport de la teneur de l'élément Kr à la teneur en éléments contenus dans le matériau piézoélectrique étant de 0,01 à 0,05 % atomique.
本発明に係る圧電体膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する圧電材料を主成分として備え、Ｋｒを含む添加元素を有し、前記圧電材料は、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｄ及びＳｉからなる群より選択される一種の成分を陽性元素として含み、前記圧電材料中の含有元素の含有量に対するＫｒ元素の含有量の割合が、０．０１ａｔｍ％～０．０５ａｔｍ％である。
PIEZOELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC FILM MANUFACTURING METHOD, PIEZOELECTRIC ELEMENT AND PIEZOELECTRIC DEVICE
This piezoelectric film has as a main component a piezoelectric material having a Wurtzite-type crystal structure, and has an additive element including Kr; the piezoelectric material contains, as positive elements, one component selected from the group consisting of Zn, Al, Ga, Cd and Si, the ratio of the content of the element Kr to the content of elements contained in the piezoelectric material is 0.01-0.05 atm%.
Ce film piézoélectrique a comme constituant principal un matériau piézoélectrique ayant une structure cristalline de type Wurtzite, et a un élément additif comprenant du Kr; le matériau piézoélectrique contient, en tant qu'éléments positifs, un constituant choisi dans le groupe constitué par Zn, Al, Ga, Cd et Si, le rapport de la teneur de l'élément Kr à la teneur en éléments contenus dans le matériau piézoélectrique étant de 0,01 à 0,05 % atomique.
本発明に係る圧電体膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する圧電材料を主成分として備え、Ｋｒを含む添加元素を有し、前記圧電材料は、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｄ及びＳｉからなる群より選択される一種の成分を陽性元素として含み、前記圧電材料中の含有元素の含有量に対するＫｒ元素の含有量の割合が、０．０１ａｔｍ％～０．０５ａｔｍ％である。
PIEZOELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC FILM MANUFACTURING METHOD, PIEZOELECTRIC ELEMENT AND PIEZOELECTRIC DEVICE
FILM PIÉZOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM PIÉZOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
圧電体膜、圧電体膜の製造方法、圧電素子及び圧電デバイス
TSUBURAOKA GAKU (author) / NAKAMURA DAISUKE (author) / ISHIKAWA TAKETO (author) / MACHINAGA HIRONOBU (author)
2022-10-06
Patent
Electronic Resource
Japanese
METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC FILM, AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
| European Patent Office | 2020
| European Patent Office | 2024
PIEZOELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2016
Piezoelectric thin film, piezoelectric element, and manufacturing method thereof
| European Patent Office | 2016
| European Patent Office | 2019