A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT HAVING HIGH THERMAL CONDUCTIVITY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE USING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
A high-thermal-conductivity silicon nitride sintered compact having a thermal conductivity of 50 W/m∙K or higher and a three-point bending strength of 600 MPa or greater, wherein the silicon nitride sintered compact is characterized in that when an arbitrary cross-section of the silicon nitride sintered compact is subjected to XRD analysis, the peak ratio (I29.3°)/(I27.0° + I36.1°) is in the range of 0.01-0.08 and the peak ratio (I29.7°)/(I27.0° + I36.1°) is in the range of 0.02-0.16, where I29.3°, I29.7°, I27.0°, and I36.1° are the strongest peak intensities detected at diffraction angles of 29.3 ±0.2°, 29.7 ±0.2°, 27.0 ±0.2°, and 36.1 ±0.2°, respectively. The above configuration makes it possible to provide a silicon nitride sintered compact having high thermal conductivity of 50 W/m∙K or higher and excellent insulating properties and strength.
L'invention concerne un comprimé fritté de nitrure de silicium présentant une conductivité thermique élevée de 50 W/m∙K ou plus et une résistance à la flexion à trois points de 600 MPa ou plus, le comprimé fritté de nitrure de silicium étant caractérisé en ce que, lorsqu'une section transversale arbitraire du comprimé fritté de nitrure de silicium est soumis à une analyse XRD, le rapport des pics (I29.3°)/(I27.0° + I36.1°) est situé dans la plage de 0,01-0,08 et le rapport des pics (I29.7°)/(I27.0° + I36.1°) est situé dans la plage de 0,02-0,16, où I29.3°, I29.7°, I27.0° et I36.1° représentent les intensités de pic les plus intenses détectées aux angles de diffraction respectivement de 29,3 ± 0,2°, 29,7 ± 0,2°, 27,0 ± 0,2°, et 36,1 ± 0,2°. La configuration ci-dessus permet d'obtenir un comprimé fritté de nitrure de silicium présentant une conductivité thermique élevée de 50 W/m∙K ou plus et d'excellentes propriétés d'isolation et une excellente résistance.
熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化珪素焼結体において、窒化珪素焼結体の任意の断面をＸＲＤ分析したとき、回折角２９．３±０．２°、２９．７±０．２°、２７．０±０．２°、３６．１±０．２°で検出される最強ピーク強度Ｉ２９．３°、Ｉ２９．７°、Ｉ２７．０°、Ｉ３６．１°としたときに、ピーク比（Ｉ２９．３°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０１～０．０８を満たし、かつ、ピーク比（Ｉ２９．７°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０２～０．１６を満たすことを特徴とする窒化珪素焼結体である。上記構成によれば、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高く、絶縁性および強度が優れた窒化珪素焼結体を提供できる。
SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT HAVING HIGH THERMAL CONDUCTIVITY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE USING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
A high-thermal-conductivity silicon nitride sintered compact having a thermal conductivity of 50 W/m∙K or higher and a three-point bending strength of 600 MPa or greater, wherein the silicon nitride sintered compact is characterized in that when an arbitrary cross-section of the silicon nitride sintered compact is subjected to XRD analysis, the peak ratio (I29.3°)/(I27.0° + I36.1°) is in the range of 0.01-0.08 and the peak ratio (I29.7°)/(I27.0° + I36.1°) is in the range of 0.02-0.16, where I29.3°, I29.7°, I27.0°, and I36.1° are the strongest peak intensities detected at diffraction angles of 29.3 ±0.2°, 29.7 ±0.2°, 27.0 ±0.2°, and 36.1 ±0.2°, respectively. The above configuration makes it possible to provide a silicon nitride sintered compact having high thermal conductivity of 50 W/m∙K or higher and excellent insulating properties and strength.
L'invention concerne un comprimé fritté de nitrure de silicium présentant une conductivité thermique élevée de 50 W/m∙K ou plus et une résistance à la flexion à trois points de 600 MPa ou plus, le comprimé fritté de nitrure de silicium étant caractérisé en ce que, lorsqu'une section transversale arbitraire du comprimé fritté de nitrure de silicium est soumis à une analyse XRD, le rapport des pics (I29.3°)/(I27.0° + I36.1°) est situé dans la plage de 0,01-0,08 et le rapport des pics (I29.7°)/(I27.0° + I36.1°) est situé dans la plage de 0,02-0,16, où I29.3°, I29.7°, I27.0° et I36.1° représentent les intensités de pic les plus intenses détectées aux angles de diffraction respectivement de 29,3 ± 0,2°, 29,7 ± 0,2°, 27,0 ± 0,2°, et 36,1 ± 0,2°. La configuration ci-dessus permet d'obtenir un comprimé fritté de nitrure de silicium présentant une conductivité thermique élevée de 50 W/m∙K ou plus et d'excellentes propriétés d'isolation et une excellente résistance.
熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上である高熱伝導性窒化珪素焼結体において、窒化珪素焼結体の任意の断面をＸＲＤ分析したとき、回折角２９．３±０．２°、２９．７±０．２°、２７．０±０．２°、３６．１±０．２°で検出される最強ピーク強度Ｉ２９．３°、Ｉ２９．７°、Ｉ２７．０°、Ｉ３６．１°としたときに、ピーク比（Ｉ２９．３°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０１～０．０８を満たし、かつ、ピーク比（Ｉ２９．７°）／（Ｉ２７．０°＋Ｉ３６．１°）が０．０２～０．１６を満たすことを特徴とする窒化珪素焼結体である。上記構成によれば、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高く、絶縁性および強度が優れた窒化珪素焼結体を提供できる。
SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT HAVING HIGH THERMAL CONDUCTIVITY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE USING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
COMPRIMÉ FRITTÉ DE NITRURE DE SILICIUM, PRÉSENTANT UNE CONDUCTIVITÉ THERMIQUE ÉLEVÉE, SUBSTRAT EN NITRURE DE SILICIUM ET SUBSTRAT DE CIRCUIT EN NITRURE DE SILICIUM L'UTILISANT ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
高熱伝導性窒化珪素焼結体、それを用いた窒化珪素基板および窒化珪素回路基板並びに半導体装置
AOKI KATSUYUKI (author)
2016-07-28
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2024
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE
| European Patent Office | 2020
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2024