A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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WIRING SUBSTRATE
The present invention relates to a wiring substrate. This wiring substrate (12) comprises an insulating substrate (18), surface wiring layers (20, 22) that are provided on the surface of the insulating substrate (18), and an internal wiring layer (24) that is provided within the insulating substrate (18). The crystal phase of the insulating substrate (18) comprises at least Al2O3 or a compound containing Al2O3 as the main crystal phase, and the crystal grain size of Al2O3 is less than 1.5 μm. The surface wiring layers and the internal wiring layer contain copper and tungsten, copper and molybdenum, or copper, tungsten and molybdenum; and the grain sizes of tungsten and molybdenum are less than 1.0 μm. The surface wiring layers and the internal wiring layer have surface roughnesses Ra of less than 2.5 μm.
La présente invention concerne un substrat de câblage. Ce substrat de câblage (12) comprend un substrat isolant (18), des couches de câblage de surface (20, 22) qui sont disposées sur la surface du substrat isolant (18), et une couche de câblage interne (24) qui est disposée à l'intérieur du substrat isolant (18). La phase cristalline du substrat isolant (18) comprend au moins Al2O3 ou un composé contenant Al2O3 en tant que phase cristalline principale, et la taille des grains cristallins de Al2O3 est inférieure à 1,5 μm. Les couches de câblage de surface et la couche de câblage interne contiennent du cuivre et du tungstène, du cuivre et du molybdène, ou du cuivre, du tungstène et du molybdène ; et les tailles des grains du tungstène et du molybdène sont inférieures à 1,0 μm. Les couches de câblage de surface et la couche de câblage interne ont des rugosités de surface Ra inférieures à 2,5 μm.
本発明は配線基板に関する。配線基板（１２）は、絶縁基板（１８）と、該絶縁基板（１８）の表面に配設された表面配線層（２０、２２）と、絶縁基板（１８）の内部に配設された内部配線層（２４）とを有する配線基板（１２）であって、絶縁基板（１８）は、結晶相が、少なくともＡｌ2Ｏ3又はＡｌ2Ｏ3を含む化合物を主結晶相とし、Ａｌ2Ｏ3の結晶粒径が１．５μｍ未満であり、表面配線層及び内部配線層は、銅とタングステンあるいは銅とモリブデンあるいは銅とタングステン及びモリブデンを含み、タングステン及びモリブデンの粒径が１．０μｍ未満であり、表面配線層及び内部配線層の表面粗さＲａが２．５μｍ未満である。
WIRING SUBSTRATE
The present invention relates to a wiring substrate. This wiring substrate (12) comprises an insulating substrate (18), surface wiring layers (20, 22) that are provided on the surface of the insulating substrate (18), and an internal wiring layer (24) that is provided within the insulating substrate (18). The crystal phase of the insulating substrate (18) comprises at least Al2O3 or a compound containing Al2O3 as the main crystal phase, and the crystal grain size of Al2O3 is less than 1.5 μm. The surface wiring layers and the internal wiring layer contain copper and tungsten, copper and molybdenum, or copper, tungsten and molybdenum; and the grain sizes of tungsten and molybdenum are less than 1.0 μm. The surface wiring layers and the internal wiring layer have surface roughnesses Ra of less than 2.5 μm.
La présente invention concerne un substrat de câblage. Ce substrat de câblage (12) comprend un substrat isolant (18), des couches de câblage de surface (20, 22) qui sont disposées sur la surface du substrat isolant (18), et une couche de câblage interne (24) qui est disposée à l'intérieur du substrat isolant (18). La phase cristalline du substrat isolant (18) comprend au moins Al2O3 ou un composé contenant Al2O3 en tant que phase cristalline principale, et la taille des grains cristallins de Al2O3 est inférieure à 1,5 μm. Les couches de câblage de surface et la couche de câblage interne contiennent du cuivre et du tungstène, du cuivre et du molybdène, ou du cuivre, du tungstène et du molybdène ; et les tailles des grains du tungstène et du molybdène sont inférieures à 1,0 μm. Les couches de câblage de surface et la couche de câblage interne ont des rugosités de surface Ra inférieures à 2,5 μm.
本発明は配線基板に関する。配線基板（１２）は、絶縁基板（１８）と、該絶縁基板（１８）の表面に配設された表面配線層（２０、２２）と、絶縁基板（１８）の内部に配設された内部配線層（２４）とを有する配線基板（１２）であって、絶縁基板（１８）は、結晶相が、少なくともＡｌ2Ｏ3又はＡｌ2Ｏ3を含む化合物を主結晶相とし、Ａｌ2Ｏ3の結晶粒径が１．５μｍ未満であり、表面配線層及び内部配線層は、銅とタングステンあるいは銅とモリブデンあるいは銅とタングステン及びモリブデンを含み、タングステン及びモリブデンの粒径が１．０μｍ未満であり、表面配線層及び内部配線層の表面粗さＲａが２．５μｍ未満である。
WIRING SUBSTRATE
SUBSTRAT DE CÂBLAGE
配線基板
UMEDA YUHJI (author) / ITO HARUHIKO (author)
2016-09-22
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2016
European Patent Office | 2020
WIRING SUBSTRATE, MULTI-PIECE WIRING SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| European Patent Office | 2019
Wiring substrate, multi-piece wiring substrate, and method for manufacturing same
| European Patent Office | 2016
Piezoelectric/electrostrictive element and wiring substrate
| European Patent Office | 2016