A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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METHOD FOR PURIFYING SAPPHIRE
There is disclosed a method for purifying sapphire which includes irradiating a sapphire sample with microwave radiation with power in a range from about 0.3kW to about 300kW, at a frequency in a range from about 300 MHz to 600 GHz for a selected period of time to cause microwave thermal and field induced migration of impurities to one or more internal interfaces at which the impurities are trapped and neutralized and/or to one or more exterior surfaces. The impurities located on the one or more external surfaces are removed.
L'invention concerne un procédé pour purifier du saphir, qui consiste à irradier un échantillon de saphir par un rayonnement de micro-ondes d'une énergie dans une plage d'environ 0,3 kW à environ 300 kW, à une fréquence dans une plage d'environ 300 MHz à 600 GHz pendant une durée sélectionnée pour provoquer une migration, induite thermiquement et par un champ par les micro-ondes, d'impuretés vers une ou plusieurs interfaces internes au niveau de laquelle/desquelles les impuretés sont piégées et neutralisées et/ou vers une ou plusieurs surfaces extérieures. Les impuretés situées sur ladite une ou lesdites plusieurs surfaces externes sont éliminées.
METHOD FOR PURIFYING SAPPHIRE
There is disclosed a method for purifying sapphire which includes irradiating a sapphire sample with microwave radiation with power in a range from about 0.3kW to about 300kW, at a frequency in a range from about 300 MHz to 600 GHz for a selected period of time to cause microwave thermal and field induced migration of impurities to one or more internal interfaces at which the impurities are trapped and neutralized and/or to one or more exterior surfaces. The impurities located on the one or more external surfaces are removed.
L'invention concerne un procédé pour purifier du saphir, qui consiste à irradier un échantillon de saphir par un rayonnement de micro-ondes d'une énergie dans une plage d'environ 0,3 kW à environ 300 kW, à une fréquence dans une plage d'environ 300 MHz à 600 GHz pendant une durée sélectionnée pour provoquer une migration, induite thermiquement et par un champ par les micro-ondes, d'impuretés vers une ou plusieurs interfaces internes au niveau de laquelle/desquelles les impuretés sont piégées et neutralisées et/ou vers une ou plusieurs surfaces extérieures. Les impuretés situées sur ladite une ou lesdites plusieurs surfaces externes sont éliminées.
METHOD FOR PURIFYING SAPPHIRE
PROCÉDÉ DE PURIFICATION DE SAPHIR
SOUZA CHRISTINA F (author) / RUDA HARRY (author)
2017-02-09
Patent
Electronic Resource
English
| European Patent Office | 2025
| European Patent Office | 2020
Sapphire chemical thinning liquid and sapphire thinning method
| European Patent Office | 2024