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COMPOSITIONS AND METHODS FOR DEPOSITING SILICON NITRIDE FILMS
Described herein are compositions, silicon nitride films and methods for forming silicon nitride films using at least on cyclodisilazane precursor. In one aspect, there is provided a method of forming a silicon nitride film comprising the steps of: providing a substrate in a reactor; introducing into the reactor an at least one cyclodisilazane comprising a hydrocarbon leaving group and two Si-H groups wherein the at least one cyclodisilazane reacts on at least a portion of the surface of the substrate to provide a chemisorbed layer; purging the reactor with a purge gas; introducing a plasma comprising nitrogen and an inert gas into the reactor to react with at least a portion of the chemisorbed layer and provide at least one reactive site wherein the plasma is generated at a power density ranging from about 0.01 to about 1.5 W/cm2.
La présente invention concerne des compositions, des films de nitrure de silicium et des procédés de formation de films de nitrure de silicium utilisant au moins un précurseur cyclodisilazane. Sous un aspect, l'invention concerne un procédé de formation d'un film de nitrure de silicium comprenant les étapes consistant : à fournir un substrat dans un réacteur; à introduire dans le réacteur au moins un cyclodisilazane comprenant un groupe partant hydrocarbure et deux groupes Si-H, ledit cyclodisilazane réagissant sur au moins une partie de la surface du substrat pour former une couche chimisorbée; à purger le réacteur avec un gaz de purge; à introduire un plasma comprenant de l'azote et un gaz inerte dans le réacteur pour réagir avec au moins une partie de la couche chimisorbée et fournir au moins un site réactif, le plasma étant généré à une densité de puissance allant d'environ 0,01 à environ 1,5 W/cm2.
COMPOSITIONS AND METHODS FOR DEPOSITING SILICON NITRIDE FILMS
Described herein are compositions, silicon nitride films and methods for forming silicon nitride films using at least on cyclodisilazane precursor. In one aspect, there is provided a method of forming a silicon nitride film comprising the steps of: providing a substrate in a reactor; introducing into the reactor an at least one cyclodisilazane comprising a hydrocarbon leaving group and two Si-H groups wherein the at least one cyclodisilazane reacts on at least a portion of the surface of the substrate to provide a chemisorbed layer; purging the reactor with a purge gas; introducing a plasma comprising nitrogen and an inert gas into the reactor to react with at least a portion of the chemisorbed layer and provide at least one reactive site wherein the plasma is generated at a power density ranging from about 0.01 to about 1.5 W/cm2.
La présente invention concerne des compositions, des films de nitrure de silicium et des procédés de formation de films de nitrure de silicium utilisant au moins un précurseur cyclodisilazane. Sous un aspect, l'invention concerne un procédé de formation d'un film de nitrure de silicium comprenant les étapes consistant : à fournir un substrat dans un réacteur; à introduire dans le réacteur au moins un cyclodisilazane comprenant un groupe partant hydrocarbure et deux groupes Si-H, ledit cyclodisilazane réagissant sur au moins une partie de la surface du substrat pour former une couche chimisorbée; à purger le réacteur avec un gaz de purge; à introduire un plasma comprenant de l'azote et un gaz inerte dans le réacteur pour réagir avec au moins une partie de la couche chimisorbée et fournir au moins un site réactif, le plasma étant généré à une densité de puissance allant d'environ 0,01 à environ 1,5 W/cm2.
COMPOSITIONS AND METHODS FOR DEPOSITING SILICON NITRIDE FILMS
COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS PERMETTANT LE DÉPÔT DE FILMS DE NITRURE DE SILICIUM
LEI XINJIAN (author) / KIM MOO-SUNG (author) / XIAO MANCHAO (author)
2017-03-30
Patent
Electronic Resource
English
Non-equilibrium, Atmospheric-pressure Plasma Jet for Depositing Silicon Oxide Films
| British Library Online Contents | 2012
| British Library Online Contents | 2013